Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147030) > Сторінка 1892 з 2451

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1887 1888 1889 1890 1891 1892 1893 1894 1895 1896 1897 1960 2205 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1801S-TL-E ONSEMI en2112-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130P FGH30S130P ONSEMI 2859363.pdf Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.60 грн
5+514.40 грн
10+415.38 грн
50+355.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06 FQPF65N06 ONSEMI 2304452.pdf Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.80 грн
10+143.29 грн
100+128.00 грн
500+106.14 грн
1000+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5342BG 1N5342BG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.78 грн
40+20.21 грн
100+16.18 грн
500+13.01 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FQA30N40 FQA30N40 ONSEMI ONSM-S-A0003590957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4901TF FQS4901TF ONSEMI 1725581.pdf Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.41 грн
10+116.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1974.66 грн
10+1600.34 грн
50+1549.62 грн
100+1355.22 грн
250+1173.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120ANDTU ONSEMI 2303862.pdf Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241CG BD241CG ONSEMI 1916278.pdf Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.25 грн
19+43.87 грн
100+38.88 грн
500+26.46 грн
1000+21.74 грн
5000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1N5927BRLG 1N5927BRLG ONSEMI ONSMS11851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.42 грн
38+21.65 грн
100+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NCT75DR2G NCT75DR2G ONSEMI 1916692.pdf Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.20 грн
50+31.31 грн
100+29.22 грн
500+24.37 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCT75DR2G NCT75DR2G ONSEMI 1916692.pdf Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.22 грн
500+24.37 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC549CTA BC549CTA ONSEMI ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.78 грн
59+13.85 грн
100+8.69 грн
500+5.97 грн
1000+4.84 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A FDH055N15A ONSEMI 4189470.pdf Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.28 грн
5+522.44 грн
10+516.81 грн
50+295.26 грн
100+271.17 грн
250+269.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB251GEVB FUSB251GEVB ONSEMI EVBUM2637-D.PDF Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8386.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G NCP603SN180T1G ONSEMI 2907206.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.32 грн
24+34.78 грн
100+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G NCP603SN180T1G ONSEMI 2907206.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G NCP603SN500T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G NCP603SN500T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN330T1G NCP603SN330T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V-6Vin, 375mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.22 грн
23+35.66 грн
100+24.39 грн
500+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SNADJT1G NCP603SNADJT1G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.48 грн
16+51.60 грн
100+28.90 грн
500+26.69 грн
1000+18.77 грн
2500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN300T1G NCP603SN300T1G ONSEMI NCP603-D.PDF Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN130T1G NCP603SN130T1G ONSEMI NCP603-D.PDF Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.28 грн
50+143.29 грн
100+107.06 грн
500+79.98 грн
1000+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A FDS9431A ONSEMI 2304010.pdf Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.17 грн
50+54.18 грн
100+42.10 грн
500+32.74 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1SV251-TB-E 1SV251-TB-E ONSEMI ONSMS36284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT1G BAS40LT1G ONSEMI 2353772.pdf Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.69 грн
148+5.46 грн
228+3.53 грн
500+2.71 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NCP730ASNADJT1G NCP730ASNADJT1G ONSEMI 2912887.pdf Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.46 грн
12+70.68 грн
100+46.37 грн
500+34.53 грн
1000+26.01 грн
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3G NSVF5501SKT3G ONSEMI ONSM-S-A0013300142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.61 грн
27+29.95 грн
100+20.69 грн
500+13.83 грн
1000+8.97 грн
5000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3G NSVF5501SKT3G ONSEMI nsvf5501sk-d.pdf Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.40 грн
500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G BD809G ONSEMI 1925023.pdf Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD810G BD810G ONSEMI 1925023.pdf Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340V2T5G NSR0340V2T5G ONSEMI NSR0340V2T1-D.PDF Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIO
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170ADR2G NCP3170ADR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.21 грн
11+78.25 грн
100+49.59 грн
500+33.94 грн
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170BDR2G NCP3170BDR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170ADR2G NCP3170ADR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.59 грн
500+33.94 грн
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170BDR2G NCP3170BDR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP115ASN180T1G ONSEMI 2711386.pdf Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.9
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 445
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.60 грн
34+24.31 грн
100+12.24 грн
500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LC717A00ARGEVK LC717A00ARGEVK ONSEMI 1718386.pdf Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver Berührungssensor
Prozessorkern: LC717A00AR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul
Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684FCT1G NLAS4684FCT1G ONSEMI 1842031.pdf Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684FCT1G NLAS4684FCT1G ONSEMI 1842031.pdf Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H FDD8424H ONSEMI fdd8424h-d.pdf Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H FDD8424H ONSEMI fdd8424h-d.pdf Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T5G ESD5Z3.3T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E ONSEMI 2304828.pdf Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.69 грн
10+171.46 грн
100+148.12 грн
500+136.79 грн
1000+125.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E FCPF190N60E ONSEMI 2303906.pdf Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.24 грн
10+258.40 грн
100+156.17 грн
500+137.54 грн
1000+122.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCP7N60 ONSEMI 2303943.pdf Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.48 грн
10+214.13 грн
100+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 ONSEMI 2859341.pdf Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.36 грн
10+361.44 грн
100+215.74 грн
500+165.94 грн
1000+150.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z ONSEMI ONSM-S-A0003584073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.45 грн
10+198.84 грн
100+169.05 грн
500+129.32 грн
1000+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60 FCPF7N60 ONSEMI 2303943.pdf Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.58 грн
10+111.09 грн
100+102.24 грн
500+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 ONSEMI 3213412.pdf Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.13 грн
10+169.05 грн
100+123.16 грн
500+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60 FCP380N60 ONSEMI ONSM-S-A0003584318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.45 грн
10+222.98 грн
100+119.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 FCPF250N65S3L1-F154 ONSEMI 3213411.pdf Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 ONSEMI fcp125n65s3r0-d.pdf Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.63 грн
10+202.06 грн
100+178.71 грн
500+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z FCP650N80Z ONSEMI 2304829.pdf Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.76 грн
10+186.76 грн
100+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 FCP104N60 ONSEMI 2859340.pdf Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.32 грн
10+454.82 грн
100+275.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 ONSEMI 3213414.pdf Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.24 грн
10+173.08 грн
100+136.85 грн
500+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 ONSEMI 3213413.pdf Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.55 грн
10+202.06 грн
100+121.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWG NTTFS4C13NTWG ONSEMI NTTFS4C13N-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCN8024DWR2G NCN8024DWR2G ONSEMI 2255422.pdf Description: ONSEMI - NCN8024DWR2G - Spezielle Schnittstelle, Set-Top-Boxen, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle, 2.7V-5.5V, SOIC-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.22 грн
10+126.38 грн
50+112.70 грн
100+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-TL-E en2112-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH30S130P 2859363.pdf
FGH30S130P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+612.60 грн
5+514.40 грн
10+415.38 грн
50+355.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF65N06 2304452.pdf
FQPF65N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+161.80 грн
10+143.29 грн
100+128.00 грн
500+106.14 грн
1000+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1N5342BG ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5342BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.78 грн
40+20.21 грн
100+16.18 грн
500+13.01 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FQA30N40 ONSM-S-A0003590957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA30N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQS4901TF 1725581.pdf
FQS4901TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.41 грн
10+116.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1974.66 грн
10+1600.34 грн
50+1549.62 грн
100+1355.22 грн
250+1173.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120ANDTU 2303862.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD241CG 1916278.pdf
BD241CG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.25 грн
19+43.87 грн
100+38.88 грн
500+26.46 грн
1000+21.74 грн
5000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1N5927BRLG ONSMS11851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5927BRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.42 грн
38+21.65 грн
100+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NCT75DR2G 1916692.pdf
NCT75DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.20 грн
50+31.31 грн
100+29.22 грн
500+24.37 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCT75DR2G 1916692.pdf
NCT75DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Digital, ± 1°C, -55 °C, 125 °C, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ± 1°C
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
Auflösung: 12 Bit
Gemessene Temperatur, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemessene Temperatur, min.: -55°C
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: NSOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: I2C, SMBus
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.22 грн
500+24.37 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC549CTA ONSM-S-A0013180388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC549CTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.78 грн
59+13.85 грн
100+8.69 грн
500+5.97 грн
1000+4.84 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDH055N15A 4189470.pdf
FDH055N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+527.28 грн
5+522.44 грн
10+516.81 грн
50+295.26 грн
100+271.17 грн
250+269.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB251GEVB EVBUM2637-D.PDF
FUSB251GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8386.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G 2907206.pdf
NCP603SN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.32 грн
24+34.78 грн
100+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN180T1G 2907206.pdf
NCP603SN180T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 245mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G 1842054.pdf
NCP603SN500T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN500T1G 1842054.pdf
NCP603SN500T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN330T1G 1842054.pdf
NCP603SN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V-6Vin, 375mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.22 грн
23+35.66 грн
100+24.39 грн
500+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SNADJT1G 2160773.pdf
NCP603SNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 375mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.48 грн
16+51.60 грн
100+28.90 грн
500+26.69 грн
1000+18.77 грн
2500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN300T1G NCP603-D.PDF
NCP603SN300T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP603SN130T1G NCP603-D.PDF
NCP603SN130T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z 2298621.pdf
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.28 грн
50+143.29 грн
100+107.06 грн
500+79.98 грн
1000+68.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A 2304010.pdf
FDS9431A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.17 грн
50+54.18 грн
100+42.10 грн
500+32.74 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1SV251-TB-E ONSMS36284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1SV251-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT1G 2353772.pdf
BAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.69 грн
148+5.46 грн
228+3.53 грн
500+2.71 грн
1500+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NCP730ASNADJT1G 2912887.pdf
NCP730ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.46 грн
12+70.68 грн
100+46.37 грн
500+34.53 грн
1000+26.01 грн
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3G ONSM-S-A0013300142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSVF5501SKT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.61 грн
27+29.95 грн
100+20.69 грн
500+13.83 грн
1000+8.97 грн
5000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF5501SKT3G nsvf5501sk-d.pdf
NSVF5501SKT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.40 грн
500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BD809G 1925023.pdf
BD809G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD810G 1925023.pdf
BD810G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340V2T5G NSR0340V2T1-D.PDF
NSR0340V2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIO
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170ADR2G 2354155.pdf
NCP3170ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.21 грн
11+78.25 грн
100+49.59 грн
500+33.94 грн
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170BDR2G 2354155.pdf
NCP3170BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170ADR2G 2354155.pdf
NCP3170ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.59 грн
500+33.94 грн
2500+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3170BDR2G 2354155.pdf
NCP3170BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP115ASN180T1G 2711386.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.9
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 445
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.60 грн
34+24.31 грн
100+12.24 грн
500+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
LC717A00ARGEVK 1718386.pdf
LC717A00ARGEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver Berührungssensor
Prozessorkern: LC717A00AR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul
Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684FCT1G 1842031.pdf
NLAS4684FCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684FCT1G 1842031.pdf
NLAS4684FCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H fdd8424h-d.pdf
FDD8424H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8424H fdd8424h-d.pdf
FDD8424H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
ESD5Z3.3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E 2304828.pdf
FCP165N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.69 грн
10+171.46 грн
100+148.12 грн
500+136.79 грн
1000+125.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E 2303906.pdf
FCPF190N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.24 грн
10+258.40 грн
100+156.17 грн
500+137.54 грн
1000+122.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 2303943.pdf
FCP7N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.48 грн
10+214.13 грн
100+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 2859341.pdf
FCPF099N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.36 грн
10+361.44 грн
100+215.74 грн
500+165.94 грн
1000+150.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSM-S-A0003584073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCPF400N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.45 грн
10+198.84 грн
100+169.05 грн
500+129.32 грн
1000+97.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60 2303943.pdf
FCPF7N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.58 грн
10+111.09 грн
100+102.24 грн
500+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3R0L-F154 3213412.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.13 грн
10+169.05 грн
100+123.16 грн
500+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP380N60 ONSM-S-A0003584318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCP380N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.45 грн
10+222.98 грн
100+119.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF250N65S3L1-F154 3213411.pdf
FCPF250N65S3L1-F154
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP125N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.63 грн
10+202.06 грн
100+178.71 грн
500+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z 2304829.pdf
FCP650N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.76 грн
10+186.76 грн
100+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60 2859340.pdf
FCP104N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP104N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+469.32 грн
10+454.82 грн
100+275.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154 3213414.pdf
FCPF600N65S3R0L-F154
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.24 грн
10+173.08 грн
100+136.85 грн
500+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 3213413.pdf
FCPF360N65S3R0L-F154
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.55 грн
10+202.06 грн
100+121.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS4C13NTWG NTTFS4C13N-D.PDF
NTTFS4C13NTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCN8024DWR2G 2255422.pdf
NCN8024DWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN8024DWR2G - Spezielle Schnittstelle, Set-Top-Boxen, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle, 2.7V-5.5V, SOIC-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.22 грн
10+126.38 грн
50+112.70 грн
100+86.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1887 1888 1889 1890 1891 1892 1893 1894 1895 1896 1897 1960 2205 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]