Фото | Назва | Виробник | Інформація |
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NCV33269DTRK5.0G | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCV33269DTRKG | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCV33269DT-5.0G. | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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NCV33269DTRK-12G. | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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NCV33269DR2G. | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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BZX79C3V6 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FNB41060B2 | ONSEMI |
![]() SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
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FSV2060L | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSV20120V | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 270A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSV2060L | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FSV20120V | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 270A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD86580-F085 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC610PZ | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB024N06 | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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FDB024N06 | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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FYP1010DNTU | ONSEMI |
![]() SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDB060AN08A0 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20074DR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20074DR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20074DTBR2G | ONSEMI |
![]() Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 2.7 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Bandbreite: 3 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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NCV20074DTBR2G | ONSEMI |
![]() SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SZBZX84B5V1LT1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 28255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBPC1202 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Durchlassstoßstrom: 0 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 0 Bauform - Brückengleichrichter: Module usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: 0 Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSD363YTU | ONSEMI |
![]() SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NZT605 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSC2690AYS | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KSA1220AYS | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.2 MSL: - Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 175 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SPZT651T1G | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 800 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SPZT651T1G | ONSEMI |
![]() Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Verlustleistung: 800 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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BZX79-C24 | ONSEMI |
![]() Zener-Spannung, nom.: 24 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-35 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 500 Betriebstemperatur, max.: 200 Produktpalette: BZX79 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FDPF8N60ZUT | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34.5W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SV32P5X | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7SV Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7SV32P5X | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7SV Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 24mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 900mV euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S32P5X | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S32P5X | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: 7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SC-70 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NC7S32L6X | ONSEMI |
![]() Logikfunktion: OR-Gatter Logik-IC-Familie: NC7S Bauform - Logikbaustein: MicroPak Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: NC7S32 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 2 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Eins SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NE5534ADR2G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423390 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCN8024DTBR2G | ONSEMI |
![]() Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCN8024RDWR2G | ONSEMI |
![]() Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Box-Decoder mit CA, Pay-TV, Pay-Per-View, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifikation MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2N4922G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21DW5T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-88A Durchlassstoßstrom: 625mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDB8874 | ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
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FDT86256 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDT86256 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC857BDW1T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 31104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV14040BDR2G | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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NLV14040BDTR2G | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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NLV14029BDR2G | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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NLV14040BDG | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
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NLV14020BDR2G | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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DAP222T1G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 41470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SB1201S-TL-E | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DAN222G | ONSEMI |
![]() Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2 Sperrverzögerungszeit: 4 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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FSQ0165RLX | ONSEMI |
![]() MSL: MSL 3 - 168 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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FGL12040WD | ONSEMI |
![]() SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
![]() Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Ausgangsstrom, max.: 65 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FAN5333ASX | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 1.8V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 10413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
![]() Schaltfrequenz: 1.5 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 5.5 Bauform - Treiber: SOT-23 Bausteintopologie: Boost (Aufwärts) Ausgangsstrom, max.: 1.5 Eingangsspannung, min.: 1.8 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
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FAN5333BSX | ONSEMI |
![]() IC-Montage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCV33269DTRK5.0G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCV33269DTRKG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCV33269DT-5.0G. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCV33269DTRK-12G. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCV33269DR2G. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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BZX79C3V6 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
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50+ | 16.51 грн |
82+ | 10.15 грн |
202+ | 4.09 грн |
500+ | 3.44 грн |
FNB41060B2 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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FSV2060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 125.44 грн |
10+ | 95.73 грн |
100+ | 70.64 грн |
500+ | 55.64 грн |
1000+ | 39.40 грн |
FSV20120V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 155.98 грн |
10+ | 106.46 грн |
100+ | 74.52 грн |
500+ | 55.18 грн |
1000+ | 44.28 грн |
5000+ | 43.15 грн |
FSV2060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 70.64 грн |
500+ | 55.64 грн |
1000+ | 39.40 грн |
FSV20120V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 74.52 грн |
500+ | 55.18 грн |
1000+ | 44.28 грн |
5000+ | 43.15 грн |
FDD86580-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 57.36 грн |
16+ | 54.39 грн |
100+ | 48.28 грн |
500+ | 44.29 грн |
1000+ | 28.51 грн |
FDC610PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 44.24 грн |
25+ | 34.08 грн |
100+ | 23.36 грн |
500+ | 17.01 грн |
1000+ | 13.58 грн |
5000+ | 10.75 грн |
FDB024N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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FDB024N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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FYP1010DNTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 291.33 грн |
10+ | 212.10 грн |
100+ | 166.71 грн |
500+ | 119.55 грн |
NCV20074DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 65.36 грн |
14+ | 60.25 грн |
50+ | 49.76 грн |
100+ | 36.48 грн |
250+ | 33.32 грн |
500+ | 32.96 грн |
NCV20074DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 36.48 грн |
250+ | 33.32 грн |
500+ | 32.96 грн |
NCV20074DTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.7
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.7
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCV20074DTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SZBZX84B5V1LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 28255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
53+ | 15.76 грн |
74+ | 11.22 грн |
172+ | 4.80 грн |
500+ | 4.02 грн |
1000+ | 2.55 грн |
5000+ | 1.88 грн |
GBPC1202 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 0
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: 0
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 0
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: 0
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 566.97 грн |
10+ | 453.91 грн |
25+ | 433.27 грн |
50+ | 382.40 грн |
100+ | 335.30 грн |
KSD363YTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
NZT605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 23.27 грн |
500+ | 16.71 грн |
1000+ | 12.52 грн |
5000+ | 11.39 грн |
KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 66.19 грн |
18+ | 46.79 грн |
100+ | 29.38 грн |
500+ | 23.76 грн |
1000+ | 19.88 грн |
KSA1220AYS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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SPZT651T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SPZT651T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 800
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 800
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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BZX79-C24 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C24 - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 24
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX79-C24 - Zener-Diode, 24 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 24
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDPF8N60ZUT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF8N60ZUT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 1.15 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.5W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 141.12 грн |
NC7SV32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 33.09 грн |
47+ | 17.83 грн |
100+ | 9.90 грн |
500+ | 8.43 грн |
1000+ | 7.02 грн |
5000+ | 6.35 грн |
NC7SV32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7SV32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 24mA, 0.9V bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SV
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 11.14 грн |
500+ | 8.35 грн |
1000+ | 5.93 грн |
5000+ | 5.45 грн |
NC7S32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 5.26 грн |
1000+ | 3.17 грн |
NC7S32P5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NC7S32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 2.6mA, 2V bis 6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 23.60 грн |
75+ | 11.14 грн |
146+ | 5.67 грн |
500+ | 4.90 грн |
1000+ | 4.19 грн |
5000+ | 3.18 грн |
NC7S32L6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S32L6X - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7S32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7S32L6X - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7S32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7S32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NE5534ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 38.13 грн |
500+ | 24.14 грн |
NCN8024DTBR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN8024DTBR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCN8024DTBR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Boxen, bedingter Zugang, Pay-TV, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifizierung
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
NCN8024RDWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCN8024RDWR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Box-Decoder mit CA, Pay-TV, Pay-Per-View, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifikation
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCN8024RDWR2G - SMART CARD-SCHNITTSTELLE, -40 BIS 85°C
Schnittstellenanwendungsbereich: Set-Top-Box-Decoder mit CA, Pay-TV, Pay-Per-View, CAM, POS/ATM, Zugangskontrolle & Identifikation
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
2N4922G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 64.37 грн |
16+ | 53.48 грн |
100+ | 33.75 грн |
BAS21DW5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21DW5T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88A
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BAS21DW5T1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88A
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
44+ | 18.90 грн |
62+ | 13.45 грн |
100+ | 8.50 грн |
500+ | 4.90 грн |
1500+ | 3.24 грн |
FDB8874 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDT86256 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 89.96 грн |
50+ | 79.56 грн |
250+ | 64.62 грн |
1000+ | 43.30 грн |
FDT86256 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 64.62 грн |
1000+ | 43.30 грн |
BC857BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
86+ | 9.66 грн |
139+ | 5.94 грн |
224+ | 3.70 грн |
500+ | 3.25 грн |
1500+ | 2.82 грн |
NLV14040BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14040BDR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14040BDTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14040BDTR2G - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14029BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14029BDR2G - BINARY/DECADE UP/DOWN COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NLV14040BDG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14040BDG - 12-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NLV14020BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14020BDR2G - 14-BIT BINARY COUNTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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DAP222T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - DAP222T1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
70+ | 11.80 грн |
114+ | 7.25 грн |
233+ | 3.55 грн |
500+ | 2.97 грн |
1000+ | 2.43 грн |
5000+ | 1.82 грн |
2SB1201S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 88.31 грн |
16+ | 53.40 грн |
100+ | 36.48 грн |
500+ | 30.50 грн |
1000+ | 23.20 грн |
2SB1201S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 36.48 грн |
500+ | 30.50 грн |
1000+ | 23.20 грн |
DAN222G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - DAN222G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 2
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 4
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FSQ0165RLX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSQ0165RLX - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FGL12040WD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGL12040WD - IGBT, 1200 V, 40 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FAN5333BSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Ausgangsstrom, max.: 65
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FAN5333ASX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 127.92 грн |
10+ | 107.29 грн |
50+ | 97.38 грн |
100+ | 80.47 грн |
250+ | 72.86 грн |
500+ | 71.45 грн |
FAN5333BSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5Aout, 1.5MHz, SOT-23-5
Schaltfrequenz: 1.5
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 5.5
Bauform - Treiber: SOT-23
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 1.5
Eingangsspannung, min.: 1.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FAN5333BSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FAN5333BSX - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 1.8V-5.5Vin, 1.5MHz Schaltfrequenz, 30V/65mAout, SOT-23-5
IC-Montage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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