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NCV2931ACDR2G NCV2931ACDR2G ONSEMI ONSMS26170-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
Ausgangsspannung, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.14 грн
17+49.68 грн
100+34.08 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
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NCV3065DR2G NCV3065DR2G ONSEMI 715058.pdf Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.09 грн
250+48.67 грн
500+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH3360-TL-W. CPH3360-TL-W. ONSEMI 2000334.pdf Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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CPH3360-TL-W. CPH3360-TL-W. ONSEMI 2000334.pdf Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCP551SN33T1G NCP551SN33T1G ONSEMI 2160723.pdf Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BC807-40LT3G BC807-40LT3G ONSEMI 2237009.pdf Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+12.05 грн
110+7.55 грн
250+4.66 грн
1000+2.31 грн
5000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 69
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NVTFS5C453NLWFTAG NVTFS5C453NLWFTAG ONSEMI 2339393.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
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P6KE15A.. P6KE15A.. ONSEMI 2285771.pdf Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G NRVBA340T3G ONSEMI 1750836.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G NRVBA340T3G ONSEMI 1750836.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G-VF01 ONSEMI 2907064.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NRVBA340T3G-VF01 ONSEMI 2907064.pdf Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
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NUP4202W1T2G NUP4202W1T2G ONSEMI nup4202w1-d.pdf Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-88
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP42
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 74037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.97 грн
16+53.73 грн
100+40.85 грн
500+27.97 грн
1000+22.78 грн
5000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
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BD180G BD180G ONSEMI ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.04 грн
15+56.20 грн
100+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
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CS5173EDR8G CS5173EDR8G ONSEMI 710337.pdf Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.63 грн
10+137.00 грн
50+124.62 грн
100+103.46 грн
250+83.47 грн
500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
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CS5173EDR8G CS5173EDR8G ONSEMI 710337.pdf Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.46 грн
250+83.47 грн
500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
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BZX85-C6V2 BZX85-C6V2 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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BAV70WT1G BAV70WT1G ONSEMI 1910408.pdf Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.38 грн
1500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
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DFB2040 DFB2040 ONSEMI dfb2080-d.pdf Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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EU-SIGFOX-GEVB EU-SIGFOX-GEVB ONSEMI 2616225.pdf Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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FDS6612A FDS6612A ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.43 грн
14+62.23 грн
100+39.53 грн
500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
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FDS6670AS FDS6670AS ONSEMI 2572541.pdf Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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FDS6690AS FDS6690AS ONSEMI 2304185.pdf Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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S2J S2J ONSEMI s2m-d.pdf Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.86 грн
57+14.69 грн
110+7.56 грн
500+6.69 грн
1000+5.87 грн
5000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 37
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NL17SZ126DFT2G NL17SZ126DFT2G ONSEMI 2355063.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.40 грн
46+18.24 грн
110+7.55 грн
500+5.23 грн
1000+3.17 грн
5000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 31
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BCX19LT1G BCX19LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.27 грн
91+9.16 грн
145+5.71 грн
500+3.88 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 55
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NC7SZ157P6X NC7SZ157P6X ONSEMI 2304287.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 2:1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.64 грн
61+13.70 грн
106+7.79 грн
500+4.60 грн
1500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 43
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CAT5113VI-00-GT3 CAT5113VI-00-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5113VI-00-GT3 CAT5113VI-00-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5140ZI-00-GT3. CAT5140ZI-00-GT3. ONSEMI Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5111ZI-00-T3. CAT5111ZI-00-T3. ONSEMI Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5221WI-00-T1. CAT5221WI-00-T1. ONSEMI Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FDPF12N50FT FDPF12N50FT ONSEMI FDPF12N50FT-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI 2729279.pdf Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.93 грн
10+118.02 грн
100+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
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NCL31000ASGEVB NCL31000ASGEVB ONSEMI evbum2798-d.pdf Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI ONSM-S-A0003590004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.19 грн
10+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FQA32N20C FQA32N20C ONSEMI 1851213.pdf Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.02 грн
10+245.93 грн
100+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA10N80C-F109 FQA10N80C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.63 грн
10+323.51 грн
100+241.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA40N25 FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.43 грн
10+181.56 грн
100+160.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA9P25 FQA9P25 ONSEMI 2907411.pdf Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.33 грн
10+215.40 грн
100+149.38 грн
500+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FQA28N15 FQA28N15 ONSEMI ONSM-S-A0013297967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA6N90C-F109 FQA6N90C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA65N20 FQA65N20 ONSEMI ONSM-S-A0003589944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA8N100C FQA8N100C ONSEMI ONSM-S-A0003590025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.11 грн
10+326.81 грн
100+231.90 грн
500+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA170N06 FQA170N06 ONSEMI ONSM-S-A0003590828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA90N15-F109 FQA90N15-F109 ONSEMI FQA90N15_F109-D.PDF Description: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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FQA27N25 FQA27N25 ONSEMI FQA27N25-D.pdf Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA44N30 FQA44N30 ONSEMI FQA44N30-D.pdf Description: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA8N90C-F109 FQA8N90C-F109 ONSEMI FQA8N90C_F109-D.PDF Description: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA160N08 FQA160N08 ONSEMI FQA160N08-D.pdf Description: ONSEMI - FQA160N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NCV7708BDWR2G NCV7708BDWR2G ONSEMI 1842106.pdf Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
Ausgangsstrom: 500
Motortyp: H-Brücke
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: WSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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NCV7708BDWR2G NCV7708BDWR2G ONSEMI 1842106.pdf Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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SCV431BSN1T1G SCV431BSN1T1G ONSEMI 2907256.pdf Description: ONSEMI - SCV431BSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 16V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.34 грн
500+20.15 грн
1000+14.57 грн
2500+13.86 грн
5000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQP32N20C FQP32N20C ONSEMI FQPF32N20C-D.pdf Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.30 грн
10+222.00 грн
100+182.39 грн
500+144.07 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FAN7631SJX FAN7631SJX ONSEMI 2288526.pdf Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung: 17
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 130
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.01 грн
10+144.42 грн
50+133.70 грн
100+114.18 грн
250+99.03 грн
500+86.30 грн
1000+67.13 грн
2500+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.89 грн
50+23.44 грн
100+18.98 грн
500+12.57 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
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FQB55N10 FQB55N10 ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.35 грн
10+144.42 грн
100+98.21 грн
500+85.83 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.98 грн
500+12.57 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDN358P FDN358P ONSEMI FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 83634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.16 грн
50+34.33 грн
100+22.70 грн
500+17.17 грн
1500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
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FFSP1665A FFSP1665A ONSEMI FFSP1665A-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NCV2931ACDR2G ONSMS26170-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
NCV2931ACDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2931ACDR2G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 6V bis 40Vin, 160mV Dropout, 3V bis 29.5Vout/0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 3V
Ausgangsspannung, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.14 грн
17+49.68 грн
100+34.08 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
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NCV3065DR2G 715058.pdf
NCV3065DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.09 грн
250+48.67 грн
500+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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CPH3360-TL-W. 2000334.pdf
CPH3360-TL-W.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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CPH3360-TL-W. 2000334.pdf
CPH3360-TL-W.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3360-TL-W. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.233 ohm, CPH, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 900
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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NCP551SN33T1G 2160723.pdf
NCP551SN33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP551SN33T1G - LDO-Festspannungsregler, 4.3V bis 12V, 40mV Dropout, 3.3Vout, 150mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.3V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 40mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 40mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BC807-40LT3G 2237009.pdf
BC807-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+12.05 грн
110+7.55 грн
250+4.66 грн
1000+2.31 грн
5000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 69
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NVTFS5C453NLWFTAG 2339393.pdf
NVTFS5C453NLWFTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
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P6KE15A.. 2285771.pdf
P6KE15A..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6KE15A.. - TVS-Diode, P6KE1, Unidirektional, 12.8 V, 21.2 V, DO-204AC, 2 Pin(s)
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchbruchspannung, min.: 14.3
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 15.8
Sperrspannung: 12.8
Spitzenimpulsverlustleistung: 600
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: P6KE1
Klemmspannung, max.: 21.2
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G 1750836.pdf
NRVBA340T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G 1750836.pdf
NRVBA340T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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NRVBA340T3G-VF01 2907064.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NRVBA340T3G-VF01 2907064.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBA340T3G-VF01 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NUP4202W1T2G nup4202w1-d.pdf
NUP4202W1T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP42
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SC-88
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500W
usEccn: EAR99
Produktpalette: NUP42
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 74037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.97 грн
16+53.73 грн
100+40.85 грн
500+27.97 грн
1000+22.78 грн
5000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
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BD180G ONSM-S-A0013776956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BD180G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.04 грн
15+56.20 грн
100+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
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CS5173EDR8G 710337.pdf
CS5173EDR8G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.63 грн
10+137.00 грн
50+124.62 грн
100+103.46 грн
250+83.47 грн
500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
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CS5173EDR8G 710337.pdf
CS5173EDR8G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CS5173EDR8G - Aufwärts-Schaltregler (Boost), feste Ausgangsspannung, 2.7V bis 30Vin, 40V/1.5Aout, 560 kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: 3V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 39V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 560kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.46 грн
250+83.47 грн
500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
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BZX85-C6V2 2303870.pdf
BZX85-C6V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V2 - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BAV70WT1G 1910408.pdf
BAV70WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.38 грн
1500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
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DFB2040 dfb2080-d.pdf
DFB2040
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2040 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 20 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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EU-SIGFOX-GEVB 2616225.pdf
EU-SIGFOX-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EU-SIGFOX-GEVB - Entwicklungsboard, Sigfox, 868MHz (EU), Erweiterungsboard für IoT-Development Kit
Prozessorkern: AX-SFEU-1-01-TX30
Kit-Anwendungsbereich: HF / ZF
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: IoT-IDK-EU-SigFox-Evaluationsboard AX-SFEU-1-01-TX30
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDS6612A 2304579.pdf
FDS6612A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+75.43 грн
14+62.23 грн
100+39.53 грн
500+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
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FDS6670AS 2572541.pdf
FDS6670AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FDS6690AS 2304185.pdf
FDS6690AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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S2J s2m-d.pdf
S2J
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S2J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.86 грн
57+14.69 грн
110+7.56 грн
500+6.69 грн
1000+5.87 грн
5000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 37
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NL17SZ126DFT2G 2355063.pdf
NL17SZ126DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ126DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.40 грн
46+18.24 грн
110+7.55 грн
500+5.23 грн
1000+3.17 грн
5000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 31
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BCX19LT1G ONSM-S-A0013215100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCX19LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCX19LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.27 грн
91+9.16 грн
145+5.71 грн
500+3.88 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 55
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NC7SZ157P6X 2304287.pdf
NC7SZ157P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ157P6X - Multiplexer, 1 Kanal, 2:1, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74157
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S157
Logiktyp: Multiplexer
euEccn: NLR
Leitungskonfiguration: 2:1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.64 грн
61+13.70 грн
106+7.79 грн
500+4.60 грн
1500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 43
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CAT5113VI-00-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113VI-00-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5113VI-00-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113VI-00-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-00-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.7 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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CAT5140ZI-00-GT3.
CAT5140ZI-00-GT3.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5140ZI-00-GT3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 256
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5111ZI-00-T3.
CAT5111ZI-00-T3.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111ZI-00-T3. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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CAT5221WI-00-T1.
CAT5221WI-00-T1.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5221WI-00-T1. - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 100 kohm, Zweifach, I2C, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Zweifach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl Schritte: 64
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FDPF12N50FT FDPF12N50FT-D.pdf
FDPF12N50FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.59 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.59
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FDPF55N06 2729279.pdf
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.93 грн
10+118.02 грн
100+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
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NCL31000ASGEVB evbum2798-d.pdf
NCL31000ASGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31000ASGEVB - Evaluationsboard, NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorkern: NCL31000MNITWG, NCL31000MNSTWG, NCL31001MNITWG, NCL31001MNSTWG
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCL31000, Arduino-Shield, intelligenter LED-Treiber
Prozessorserie: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FQA70N10 ONSM-S-A0003590004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.19 грн
10+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FQA32N20C 1851213.pdf
FQA32N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.02 грн
10+245.93 грн
100+170.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA10N80C-F109 ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA10N80C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+379.63 грн
10+323.51 грн
100+241.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+314.43 грн
10+181.56 грн
100+160.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA9P25 2907411.pdf
FQA9P25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+215.40 грн
100+149.38 грн
500+117.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FQA28N15 ONSM-S-A0013297967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA28N15
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA6N90C-F109 ONSM-S-A0013297680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA6N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA65N20 ONSM-S-A0003589944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA65N20
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA8N100C ONSM-S-A0003590025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA8N100C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.11 грн
10+326.81 грн
100+231.90 грн
500+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FQA170N06 ONSM-S-A0003590828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA170N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA90N15-F109 FQA90N15_F109-D.PDF
FQA90N15-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA27N25 FQA27N25-D.pdf
FQA27N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA44N30 FQA44N30-D.pdf
FQA44N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA8N90C-F109 FQA8N90C_F109-D.PDF
FQA8N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQA160N08 FQA160N08-D.pdf
FQA160N08
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA160N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NCV7708BDWR2G 1842106.pdf
NCV7708BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
Ausgangsstrom: 500
Motortyp: H-Brücke
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: WSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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NCV7708BDWR2G 1842106.pdf
NCV7708BDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7708BDWR2G - Motortreiber, Halbbrücke, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, 500mA/6 Ausgänge, WSOIC-28
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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SCV431BSN1T1G 2907256.pdf
SCV431BSN1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SCV431BSN1T1G - VOLT REF, SHUNT, 1.24-16V, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 16V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.34 грн
500+20.15 грн
1000+14.57 грн
2500+13.86 грн
5000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQP32N20C FQPF32N20C-D.pdf
FQP32N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.30 грн
10+222.00 грн
100+182.39 грн
500+144.07 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FAN7631SJX 2288526.pdf
FAN7631SJX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7631SJX - PWM-Controller, bis zu 25V Versorgungsspannung, 300kHz, 1V/1Aout, SOIC-16
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Eingangsspannung: 17
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 130
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.01 грн
10+144.42 грн
50+133.70 грн
100+114.18 грн
250+99.03 грн
500+86.30 грн
1000+67.13 грн
2500+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.89 грн
50+23.44 грн
100+18.98 грн
500+12.57 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
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FQB55N10 2572544.pdf
FQB55N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.35 грн
10+144.42 грн
100+98.21 грн
500+85.83 грн
1000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
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FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.98 грн
500+12.57 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDN358P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 83634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.16 грн
50+34.33 грн
100+22.70 грн
500+17.17 грн
1500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
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FFSP1665A FFSP1665A-D.PDF
FFSP1665A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1665A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
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