Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142397) > Сторінка 2079 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2074 2075 2076 2077 2078 2079 2080 2081 2082 2083 2084 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STMFS4834NST1G ONSEMI Description: ONSEMI - STMFS4834NST1G - NFET SO8FL 30V SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4962NFT1G ONSEMI Description: ONSEMI - NTMFS4962NFT1G - MOSFET N-CH 30V SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+122.22 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - STMFS4834NST - NFET SO8FL SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NFAP0560L3TT NFAP0560L3TT ONSEMI 3213435.pdf Description: ONSEMI - NFAP0560L3TT - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 5 A, 2 kV, SIP 29, SIP
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SIP
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SIP 29
Produktpalette: SIPK Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60F ONSEMI ONSM-S-A0013297725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FSBB30CH60F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPMEA-027, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMEA-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+1881.09 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF ONSEMI ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 20 A, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FPAM50LH60G ONSEMI Description: ONSEMI - FPAM50LH60G - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2.5 kV, S32EA-032, SPM2
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM2
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: S32EA-032
Produktpalette: PFC SPM 2 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+2728.90 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DTT1 ONSEMI ONSMS13467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74VHC1G132DTT1 - MC74VHC1G132DTT1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SV04XV5T2 NL17SV04XV5T2 ONSEMI ONSMS08933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NL17SV04XV5T2 - NL17SV04XV5T2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G ONSEMI ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
SPS9001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SPS9001 - SPS9001 - SS T092 GP XSTR PNP SPCL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6411
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+330.75 грн
50+224.77 грн
100+194.01 грн
500+176.97 грн
1500+159.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI 2304887.pdf Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.35 грн
14+62.30 грн
100+41.19 грн
500+32.86 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI 2572530.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.56 грн
10+297.42 грн
100+228.19 грн
500+192.05 грн
1000+160.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.76 грн
50+111.10 грн
100+95.72 грн
500+86.50 грн
1500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7678 FDMS7678 ONSEMI ONSM-S-A0003585007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.06 грн
14+61.53 грн
100+39.91 грн
500+32.46 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.01 грн
500+176.97 грн
1500+159.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 ONSEMI ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.88 грн
5+528.17 грн
10+426.47 грн
50+384.10 грн
100+281.30 грн
250+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 ONSEMI 2304725.pdf Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.77 грн
10+149.56 грн
100+116.23 грн
500+89.68 грн
1000+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.52 грн
10+211.10 грн
100+175.20 грн
500+145.23 грн
1000+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.53 грн
10+136.74 грн
100+94.01 грн
500+72.38 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ONSEMI 2859353.pdf Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.78 грн
500+152.37 грн
1500+132.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+371.77 грн
50+263.23 грн
100+176.91 грн
500+156.34 грн
1500+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.05 грн
500+202.37 грн
1000+183.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 ONSEMI 2304431.pdf Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+247.85 грн
500+229.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.20 грн
500+145.23 грн
1000+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.01 грн
500+72.38 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.72 грн
500+86.50 грн
1500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.29 грн
10+105.98 грн
100+68.20 грн
500+56.90 грн
1000+49.59 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI 2572530.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+228.19 грн
500+192.05 грн
1000+160.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.91 грн
500+156.34 грн
1500+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+335.88 грн
500+276.97 грн
1000+221.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.49 грн
10+415.36 грн
100+335.88 грн
500+276.97 грн
1000+221.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 ONSEMI ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+426.47 грн
50+384.10 грн
100+281.30 грн
250+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.20 грн
500+56.90 грн
1000+49.59 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ONSEMI 2859353.pdf Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z ONSEMI ONSM-S-A0013670076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 36672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.69 грн
10+164.09 грн
100+121.36 грн
500+94.44 грн
1000+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616S FDMS3616S ONSEMI FAIRS30082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSD ONSEMI ONSM-S-A0013669896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDC FDMS3006SDC ONSEMI ONSM-S-A0003590349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S FDMS8570S ONSEMI ONSM-S-A0003584935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDC FDMS3008SDC ONSEMI ONSM-S-A0003590947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S FDMS9600S ONSEMI 2859354.pdf Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.68 грн
10+135.03 грн
100+104.27 грн
500+80.15 грн
1000+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085 FDMS86381-F085 ONSEMI 2298425.pdf Description: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L FDMS8350L ONSEMI 2572528.pdf Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L FDMS8350L ONSEMI 2572528.pdf Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686S FDMS3686S ONSEMI ONSM-S-A0003585303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 225267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S ONSEMI ONSM-S-A0003585470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025AS ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0355S FDMS0355S ONSEMI FAIR-S-A0000809241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS0355S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 1336
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2508SDC FDMS2508SDC ONSEMI FAIRS45113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS2508SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 31736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+113.67 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FDMS0312S ONSEMI FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560S ONSEMI ONSM-S-A0003585452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS7560S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS038ZS ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - FDMS038ZS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306S ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - FDMS0306S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S FDMS3669S ONSEMI ONSM-S-A0003585221-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2504SDC FDMS2504SDC ONSEMI FAIRS45136-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS2504SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+172.64 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86204 ONSEMI 30fdms86204.pdf Description: ONSEMI - FDMS86204 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STMFS4834NST1G - NFET SO8FL 30V SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
682+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 682
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4962NFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4962NFT1G - MOSFET N-CH 30V SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+122.22 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STMFS4834NST - NFET SO8FL SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NFAP0560L3TT 3213435.pdf
NFAP0560L3TT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAP0560L3TT - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 5 A, 2 kV, SIP 29, SIP
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SIP
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SIP 29
Produktpalette: SIPK Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60F ONSM-S-A0013297725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB30CH60F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPMEA-027, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMEA-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+1881.09 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGP10N60UNDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 20 A, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FPAM50LH60G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPAM50LH60G - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2.5 kV, S32EA-032, SPM2
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM2
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: S32EA-032
Produktpalette: PFC SPM 2 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+2728.90 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DTT1 ONSMS13467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC1G132DTT1 - MC74VHC1G132DTT1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SV04XV5T2 ONSMS08933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NL17SV04XV5T2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SV04XV5T2 - NL17SV04XV5T2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
SPS9001 nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPS9001 - SPS9001 - SS T092 GP XSTR PNP SPCL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6411+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6411
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
FDMS8680
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 5500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC 2552627.pdf
FDMS86101DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+330.75 грн
50+224.77 грн
100+194.01 грн
500+176.97 грн
1500+159.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ 2304887.pdf
FDMS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.35 грн
14+62.30 грн
100+41.19 грн
500+32.86 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC 2572530.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+396.56 грн
10+297.42 грн
100+228.19 грн
500+192.05 грн
1000+160.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 2304630.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.76 грн
50+111.10 грн
100+95.72 грн
500+86.50 грн
1500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7678 ONSM-S-A0003585007-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS7678
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.06 грн
14+61.53 грн
100+39.91 грн
500+32.46 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC 2552627.pdf
FDMS86101DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+194.01 грн
500+176.97 грн
1500+159.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86550ET60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+629.88 грн
5+528.17 грн
10+426.47 грн
50+384.10 грн
100+281.30 грн
250+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 2304725.pdf
FDMS3572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.77 грн
10+149.56 грн
100+116.23 грн
500+89.68 грн
1000+79.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 3974159.pdf
FDMS86255
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.52 грн
10+211.10 грн
100+175.20 грн
500+145.23 грн
1000+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L 2572531.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+208.53 грн
10+136.74 грн
100+94.01 грн
500+72.38 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 2859353.pdf
FDMS86152
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC 2572534.pdf
FDMS86500DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+171.78 грн
500+152.37 грн
1500+132.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 2572529.pdf
FDMS86150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+371.77 грн
50+263.23 грн
100+176.91 грн
500+156.34 грн
1500+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C 2619968.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+229.05 грн
500+202.37 грн
1000+183.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 2304431.pdf
FDMS86180
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+247.85 грн
500+229.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 3974159.pdf
FDMS86255
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.20 грн
500+145.23 грн
1000+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L 2572531.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.01 грн
500+72.38 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 2304630.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.72 грн
500+86.50 грн
1500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 2303919.pdf
FDMS86183
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.29 грн
10+105.98 грн
100+68.20 грн
500+56.90 грн
1000+49.59 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC 2572530.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+228.19 грн
500+192.05 грн
1000+160.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 2572529.pdf
FDMS86150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+176.91 грн
500+156.34 грн
1500+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+335.88 грн
500+276.97 грн
1000+221.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+567.49 грн
10+415.36 грн
100+335.88 грн
500+276.97 грн
1000+221.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86550ET60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+426.47 грн
50+384.10 грн
100+281.30 грн
250+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 2303919.pdf
FDMS86183
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.20 грн
500+56.90 грн
1000+49.59 грн
5000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 2859353.pdf
FDMS86152
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z ONSM-S-A0013670076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 36672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.69 грн
10+164.09 грн
100+121.36 грн
500+94.44 грн
1000+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616S FAIRS30082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS3616S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSD ONSM-S-A0013669896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDC ONSM-S-A0003590349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS3006SDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S ONSM-S-A0003584935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8570S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDC ONSM-S-A0003590947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS3008SDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S 2859354.pdf
FDMS9600S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.68 грн
10+135.03 грн
100+104.27 грн
500+80.15 грн
1000+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085 2298425.pdf
FDMS86381-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L 2572528.pdf
FDMS8350L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L 2572528.pdf
FDMS8350L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686S ONSM-S-A0003585303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS3686S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 225267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S ONSM-S-A0003585470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025AS nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0355S FAIR-S-A0000809241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS0355S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0355S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1336+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 1336
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2508SDC FAIRS45113-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2508SDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS2508SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 31736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+113.67 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0312S FAIR-S-A0002363702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS0312S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0312S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7560S ONSM-S-A0003585452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7560S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS038ZS nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS038ZS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS0306S nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0306S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3669S ONSM-S-A0003585221-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS3669S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3669S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS2504SDC FAIRS45136-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS2504SDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS2504SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+172.64 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86204 30fdms86204.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86204 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
382+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2074 2075 2076 2077 2078 2079 2080 2081 2082 2083 2084 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]