Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141199) > Сторінка 2210 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2205 2206 2207 2208 2209 2210 2211 2212 2213 2214 2215 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SC4474E 2SC4474E ONSEMI SNYOS11317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4474E - 2SC4474E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 1233
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4406-3-TL-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC4406-3-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4406-4-TL-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC4406-4-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4487T-AN ONSEMI ONSMS36370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4487T-AN - 2SC4487T-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4414S-AC ONSEMI SNYOS00400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC4414S-AC - 2SC4414S-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2004
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4454R-AC ONSEMI SNYOS19807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC4454R-AC - 2SC4454R-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2671+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2671
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4489T-AN ONSEMI ONSMS36372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4489T-AN - 2SC4489T-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 320017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4449E-AA ONSEMI SNYOD004-54.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4449E-AA - 2SC4449E-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+94.95 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4483S-AN ONSEMI SNYOD004-38.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4483S-AN - 2SC4483S-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4429M ONSEMI SNYOS19624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4429M - 2SC4429M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4487S-AN ONSEMI ONSMS36370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4487S-AN - 2SC4487S-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 307371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4443-4-TL-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC4443-4-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 1781
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4454Q-AC ONSEMI SNYOS19807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC4454Q-AC - 2SC4454Q-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4485S-AN ONSEMI Description: ONSEMI - 2SC4485S-AN - 2SC4485 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4403-3-TL-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC4403-3-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4485T-AN ONSEMI Description: ONSEMI - 2SC4485T-AN - 2SC4485 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4412-5-TB-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SC4412-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4428M ONSEMI SNYOS11462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4428M - 2SC4428M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+124.23 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4413-TL-E ONSEMI SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC4413-TL-E - 2SC4413-TL-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1106
В кошику  од. на суму  грн.
NCP6924BFCHT1G ONSEMI ONSMS38095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP6924BFCHT1G - NCP6924 - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 138696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G NVMFS5C404NLWFAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+753.36 грн
10+527.09 грн
50+462.31 грн
200+368.31 грн
500+313.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G NVMFS5C404NLWFAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+527.09 грн
50+462.31 грн
200+368.31 грн
500+313.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1117ST33T3G ONSEMI 4660965.pdf Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LINEARSPANNUNGSREGLER
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 215093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.72 грн
50+28.22 грн
250+22.80 грн
1000+19.45 грн
2000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.53 грн
10+131.33 грн
100+116.24 грн
500+90.64 грн
1000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.24 грн
500+90.64 грн
1000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DA121TT1G ONSEMI ONSM-S-A0013339683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DA121TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 368700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VT1G MM3Z11VT1G ONSEMI 1876691.pdf Description: ONSEMI - MM3Z11VT1G - Zener-Diode, 11 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 1SMB5915BT3G ONSEMI 1smb5913bt3-d.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+25.20 грн
55+16.33 грн
100+10.20 грн
500+8.98 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 1SMB5915BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.65 грн
500+9.23 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPG MC78L05ABPG ONSEMI mc78l00a-d.pdf Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.99 грн
50+95.83 грн
100+68.41 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.41 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979NT4G NTD4979NT4G ONSEMI NTD4979N.pdf Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG ESD8040MUTAG ONSEMI esd8040-d.pdf Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG ESD8040MUTAG ONSEMI esd8040-d.pdf Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD80
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655 ONSEMI ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655G ONSEMI ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G ONSEMI 2236975.pdf Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - SPANN.REF. SHUNT EINST. 1.24V SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.98 грн
53+16.77 грн
100+14.55 грн
500+11.87 грн
1500+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G TLV431BSN1T1G ONSEMI 2236975.pdf Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.55 грн
500+11.87 грн
1500+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ONSEMI 2353986.pdf Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - TVS-DIODE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+19.34 грн
67+13.31 грн
151+5.90 грн
500+5.31 грн
1000+4.75 грн
5000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI 2353986.pdf Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.31 грн
1000+4.75 грн
5000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G SESD9L5.0ST5G ONSEMI 2580986.pdf Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.32 грн
36+24.67 грн
100+14.82 грн
500+12.03 грн
1000+7.41 грн
5000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G SESD9L5.0ST5G ONSEMI 2580986.pdf Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.82 грн
500+12.03 грн
1000+7.41 грн
5000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007RLG ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4007RLG - DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 1KV, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+17.66 грн
88+10.12 грн
139+6.42 грн
500+4.33 грн
1000+3.10 грн
2500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S ONSEMI NTH4L022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.70 грн
5+1122.50 грн
10+982.30 грн
50+894.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1 ONSEMI NVHL160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+730.29 грн
5+640.67 грн
10+552.82 грн
50+512.51 грн
100+472.33 грн
250+471.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ONSEMI NTH4L160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 ONSEMI NTH4L080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+787.08 грн
5+629.13 грн
10+470.30 грн
50+430.11 грн
100+390.94 грн
250+384.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 ONSEMI NVH4L080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+853.63 грн
5+739.16 грн
10+624.70 грн
50+575.13 грн
100+526.33 грн
250+521.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 ONSEMI NTBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2905.19 грн
5+2674.48 грн
10+2443.77 грн
50+2223.90 грн
100+2011.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 ONSEMI NTBG015N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNG ONSEMI NXH40B120MNQ1SNG-D.PDF Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9142.40 грн
5+7999.49 грн
10+6628.53 грн
20+5518.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 NVH4L160N120SC1 ONSEMI NVH4L160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.67 грн
5+569.68 грн
10+562.58 грн
50+514.98 грн
100+466.24 грн
250+458.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI NTBG045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+603.40 грн
50+590.98 грн
100+538.05 грн
250+487.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ONSEMI NTBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+716.98 грн
5+671.73 грн
10+625.58 грн
50+552.06 грн
100+508.83 грн
250+498.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1 ONSEMI NVBG160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1279.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1 ONSEMI NVBG160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1581.26 грн
10+1279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1 ONSEMI NVBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+874.93 грн
5+740.94 грн
10+606.95 грн
50+546.29 грн
100+499.71 грн
250+494.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 ONSEMI NTBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2630.11 грн
100+2599.06 грн
500+2385.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5259B 1N5259B ONSEMI ONSM-S-A0006942416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4474E SNYOS11317-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC4474E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4474E - 2SC4474E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1233+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 1233
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4406-3-TL-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4406-3-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4406-4-TL-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4406-4-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4487T-AN ONSMS36370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4487T-AN - 2SC4487T-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4414S-AC SNYOS00400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4414S-AC - 2SC4414S-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2004+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2004
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4454R-AC SNYOS19807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4454R-AC - 2SC4454R-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2671+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2671
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4489T-AN ONSMS36372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4489T-AN - 2SC4489T-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 320017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4449E-AA SNYOD004-54.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4449E-AA - 2SC4449E-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+94.95 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4483S-AN SNYOD004-38.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4483S-AN - 2SC4483S-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3206+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4429M SNYOS19624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4429M - 2SC4429M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4487S-AN ONSMS36370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4487S-AN - 2SC4487S-AN, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 307371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4443-4-TL-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4443-4-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1781+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 1781
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4454Q-AC SNYOS19807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4454Q-AC - 2SC4454Q-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4485S-AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4485S-AN - 2SC4485 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4403-3-TL-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4403-3-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4485T-AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4485T-AN - 2SC4485 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4412-5-TB-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4412-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3206+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4428M SNYOS11462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4428M - 2SC4428M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
236+124.23 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4413-TL-E SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4413-TL-E - 2SC4413-TL-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1106+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1106
В кошику  од. на суму  грн.
NCP6924BFCHT1G ONSMS38095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP6924BFCHT1G - NCP6924 - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 138696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G ONSM-S-A0013296278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C404NLWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+753.36 грн
10+527.09 грн
50+462.31 грн
200+368.31 грн
500+313.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G ONSM-S-A0013296278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C404NLWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+527.09 грн
50+462.31 грн
200+368.31 грн
500+313.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1117ST33T3G 4660965.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LINEARSPANNUNGSREGLER
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 215093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.72 грн
50+28.22 грн
250+22.80 грн
1000+19.45 грн
2000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
FDS86141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.53 грн
10+131.33 грн
100+116.24 грн
500+90.64 грн
1000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
FDS86141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.24 грн
500+90.64 грн
1000+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DA121TT1G ONSM-S-A0013339683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DA121TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 368700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VT1G 1876691.pdf
MM3Z11VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z11VT1G - Zener-Diode, 11 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 1smb5913bt3-d.pdf
1SMB5915BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+25.20 грн
55+16.33 грн
100+10.20 грн
500+8.98 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 2160707.pdf
1SMB5915BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.65 грн
500+9.23 грн
1000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPG mc78l00a-d.pdf
MC78L05ABPG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 2907427.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.99 грн
50+95.83 грн
100+68.41 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 2907427.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.41 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979NT4G NTD4979N.pdf
NTD4979NT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG esd8040-d.pdf
ESD8040MUTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG esd8040-d.pdf
ESD8040MUTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD80
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655 ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655G ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G 2236975.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - SPANN.REF. SHUNT EINST. 1.24V SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.98 грн
53+16.77 грн
100+14.55 грн
500+11.87 грн
1500+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G 2236975.pdf
TLV431BSN1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.55 грн
500+11.87 грн
1500+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G 2353986.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - TVS-DIODE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+19.34 грн
67+13.31 грн
151+5.90 грн
500+5.31 грн
1000+4.75 грн
5000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G 2353986.pdf
ESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.31 грн
1000+4.75 грн
5000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G 2580986.pdf
SESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+31.32 грн
36+24.67 грн
100+14.82 грн
500+12.03 грн
1000+7.41 грн
5000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G 2580986.pdf
SESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.82 грн
500+12.03 грн
1000+7.41 грн
5000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007RLG ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - DIODE, STD-ERHOLZEIT, 1A, 1KV, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+17.66 грн
88+10.12 грн
139+6.42 грн
500+4.33 грн
1000+3.10 грн
2500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S-D.PDF
NTH4L022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1262.70 грн
5+1122.50 грн
10+982.30 грн
50+894.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1-D.PDF
NVHL160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+730.29 грн
5+640.67 грн
10+552.82 грн
50+512.51 грн
100+472.33 грн
250+471.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1-D.PDF
NTH4L160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1-D.PDF
NTH4L080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+787.08 грн
5+629.13 грн
10+470.30 грн
50+430.11 грн
100+390.94 грн
250+384.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1-D.PDF
NVH4L080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+853.63 грн
5+739.16 грн
10+624.70 грн
50+575.13 грн
100+526.33 грн
250+521.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1-D.PDF
NTBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2905.19 грн
5+2674.48 грн
10+2443.77 грн
50+2223.90 грн
100+2011.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1-D.PDF
NTBG015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2095.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNG NXH40B120MNQ1SNG-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9142.40 грн
5+7999.49 грн
10+6628.53 грн
20+5518.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 NVH4L160N120SC1-D.PDF
NVH4L160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+577.67 грн
5+569.68 грн
10+562.58 грн
50+514.98 грн
100+466.24 грн
250+458.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1-D.PDF
NTBG045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+603.40 грн
50+590.98 грн
100+538.05 грн
250+487.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1-D.PDF
NTBG080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+716.98 грн
5+671.73 грн
10+625.58 грн
50+552.06 грн
100+508.83 грн
250+498.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1-D.PDF
NVBG160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1279.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1-D.PDF
NVBG160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1581.26 грн
10+1279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1-D.PDF
NVBG080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+874.93 грн
5+740.94 грн
10+606.95 грн
50+546.29 грн
100+499.71 грн
250+494.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1-D.PDF
NTBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2630.11 грн
100+2599.06 грн
500+2385.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5259B ONSM-S-A0006942416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1N5259B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2205 2206 2207 2208 2209 2210 2211 2212 2213 2214 2215 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]