Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCV7340D13R2G | onsemi | Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NCV7380DG | onsemi | Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQA44N30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS123-F169 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G785-BSS123 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NC7SP38P5X | onsemi | Description: IC GATE NAND OD 1CH 2-INP SC70-5 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NC7SP38P5X | onsemi | Description: IC GATE NAND OD 1CH 2-INP SC70-5 |
на замовлення 44100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NC7SVL08FHX | onsemi | Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6MICROPAK2 |
на замовлення 4664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
ESD5581MXT5G | onsemi |
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC 2X3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz (Max) Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max) Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 24747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MM74HC245AWMX-L22178 | onsemi | Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 20SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MTD20P03HDL1 | onsemi |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NRVBA1H100NT3G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 1A 100V 1201 SMA2 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NRVBA1H100NT3G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 1A 100V 1201 SMA2 |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDD6685-G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CS403GT5 | onsemi |
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 23050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CS403GTHA5 | onsemi |
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 7050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTMD3N08LR2 | onsemi |
Description: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
на замовлення 114190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTMD6601NR2G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
на замовлення 60595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC78M20CT | onsemi | Description: IC REG LINEAR 20V 500MA TO220AB |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDMS86380-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDMS86380-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDMS86380-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDWS86380-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STK6712BMK4-E | onsemi | Description: UNIPOLAR FIXED-CURRENT CHOPPER-T |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STK6713BMK4-C-E | onsemi | Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 16SIP |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H605FNR2G | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H604FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H606FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H601FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H600FNG | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H605FNR2 | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H601FNR2 | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H603FNR2 | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H601FNR2G | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H605FNG | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H600FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H602FNG | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 12197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H600FNR2 | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H607FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 9938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H607FNG | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H600FNR2G | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H603FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC10H605FN | onsemi | Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC100EPT25D | onsemi |
Description: IC XLATOR ECL-LVTTL DIFF 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Non-Inverted Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Supplier Device Package: 8-SOIC Channel Type: Unidirectional Output Signal: LVTTL Translator Type: Mixed Signal Channels per Circuit: 1 Input Signal: ECL Part Status: Active Number of Circuits: 1 |
на замовлення 34368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MC74HCT573ADWR | onsemi |
Description: OCTAL 3-STATE TRANSPARENT LATCH/ Packaging: Bulk Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Output Type: Tri-State Mounting Type: Surface Mount Circuit: 1:8 Logic Type: D-Type Transparent Latch Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Independent Circuits: 1 Current - Output High, Low: 6mA, 6mA Delay Time - Propagation: 30ns Supplier Device Package: 20-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FAN2108EMPX | onsemi | Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 25MLP |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDP2D3N10C | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
1P85-MMBD4148 | onsemi |
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MMBD4148-D87Z | onsemi |
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MMBD4148-D87Z | onsemi |
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NXH80B120H2Q0SNG | onsemi |
Description: PIM POWER MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual Boost Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 103 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CS51411EMNR2G | onsemi |
Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 18DFN Packaging: Bulk Package / Case: 18-VFDFN Exposed Pad Output Type: Adjustable Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 1.5A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 260kHz Voltage - Input (Max): 40V Topology: Buck Supplier Device Package: 18-DFN (5x6) Synchronous Rectifier: No Voltage - Output (Max): 38V Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output (Min/Fixed): 1.27V |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LA6565VR-TLM-E | onsemi | Description: IC MOTOR DRIVER 44SSOP |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
NV25160DTVLT3G | onsemi | Description: 16KB SPI SER CMOS EEPROM TSSOP8 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FOD8320 | onsemi | Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 5SOP |
на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVD2955T4G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NVD2955T4G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDS4465-PG | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
S2ZMMBZ18VALT1G | onsemi |
Description: TVS DIODE SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S2ZMMBZ18VALT1G | onsemi |
Description: TVS DIODE SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Part Status: Active |
на замовлення 31846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
FQA44N30 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
Description: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BSS123-F169 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товар відсутній
G785-BSS123 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товар відсутній
NC7SP38P5X |
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND OD 1CH 2-INP SC70-5
Description: IC GATE NAND OD 1CH 2-INP SC70-5
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.8 грн |
6000+ | 7.06 грн |
15000+ | 6.6 грн |
30000+ | 6.05 грн |
NC7SP38P5X |
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND OD 1CH 2-INP SC70-5
Description: IC GATE NAND OD 1CH 2-INP SC70-5
на замовлення 44100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.93 грн |
14+ | 20.19 грн |
25+ | 18.48 грн |
100+ | 12.9 грн |
250+ | 11.69 грн |
500+ | 9.68 грн |
1000+ | 7.14 грн |
NC7SVL08FHX |
Виробник: onsemi
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6MICROPAK2
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6MICROPAK2
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ESD5581MXT5G |
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC 2X3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC 2X3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 24747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 19.45 грн |
18+ | 15.54 грн |
100+ | 8.23 грн |
500+ | 5.08 грн |
1000+ | 3.46 грн |
2000+ | 3.12 грн |
5000+ | 2.67 грн |
MTD20P03HDL1 |
товар відсутній
NRVBA1H100NT3G |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 1A 100V 1201 SMA2
Description: DIODE SCHOTTKY 1A 100V 1201 SMA2
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FDD6685-G |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
товар відсутній
CS403GT5 |
на замовлення 23050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
485+ | 41.24 грн |
CS403GTHA5 |
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
485+ | 41.24 грн |
NTMD3N08LR2 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 114190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1374+ | 15.85 грн |
NTMD6601NR2G |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
на замовлення 60595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC78M20CT |
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 20V 500MA TO220AB
Description: IC REG LINEAR 20V 500MA TO220AB
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STK6712BMK4-E |
Виробник: onsemi
Description: UNIPOLAR FIXED-CURRENT CHOPPER-T
Description: UNIPOLAR FIXED-CURRENT CHOPPER-T
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 528.57 грн |
STK6713BMK4-C-E |
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 16SIP
Description: IC MOTOR DRIVER UNIPOLAR 16SIP
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H605FNR2G |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H604FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H606FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H601FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H600FNG |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H605FNR2 |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H601FNR2 |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H603FNR2 |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H601FNR2G |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H605FNG |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H600FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H602FNG |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 12197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H600FNR2 |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H607FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 9938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H607FNG |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H600FNR2G |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H603FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC10H605FN |
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
Description: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 28PLCC
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MC100EPT25D |
Виробник: onsemi
Description: IC XLATOR ECL-LVTTL DIFF 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: LVTTL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 1
Input Signal: ECL
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Description: IC XLATOR ECL-LVTTL DIFF 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: LVTTL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 1
Input Signal: ECL
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 34368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
105+ | 189.15 грн |
MC74HCT573ADWR |
Виробник: onsemi
Description: OCTAL 3-STATE TRANSPARENT LATCH/
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Delay Time - Propagation: 30ns
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
Description: OCTAL 3-STATE TRANSPARENT LATCH/
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Delay Time - Propagation: 30ns
Supplier Device Package: 20-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
FAN2108EMPX |
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 25MLP
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 25MLP
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FDP2D3N10C |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 412.77 грн |
50+ | 317.42 грн |
100+ | 284.01 грн |
500+ | 235.17 грн |
1P85-MMBD4148 |
Виробник: onsemi
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товар відсутній
MMBD4148-D87Z |
Виробник: onsemi
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товар відсутній
MMBD4148-D87Z |
Виробник: onsemi
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
товар відсутній
NXH80B120H2Q0SNG |
Виробник: onsemi
Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
товар відсутній
CS51411EMNR2G |
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 18DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 260kHz
Voltage - Input (Max): 40V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 18-DFN (5x6)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 38V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.27V
Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 18DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 260kHz
Voltage - Input (Max): 40V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 18-DFN (5x6)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 38V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.27V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
217+ | 92.22 грн |
LA6565VR-TLM-E |
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DRIVER 44SSOP
Description: IC MOTOR DRIVER 44SSOP
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FOD8320 |
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 5SOP
Description: OPTOISO 5KV 1CH GATE DRIVER 5SOP
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 411.33 грн |
10+ | 280.25 грн |
100+ | 229.56 грн |
500+ | 181.61 грн |
1000+ | 166.58 грн |
NVD2955T4G |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVD2955T4G |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4465-PG |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
S2ZMMBZ18VALT1G |
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Part Status: Active
Description: TVS DIODE SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.36 грн |
6000+ | 3 грн |
9000+ | 2.49 грн |
30000+ | 2.29 грн |
S2ZMMBZ18VALT1G |
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Part Status: Active
Description: TVS DIODE SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Part Status: Active
на замовлення 31846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 20.17 грн |
22+ | 13.18 грн |
100+ | 6.43 грн |
500+ | 5.04 грн |
1000+ | 3.5 грн |