Продукція > PN JUNCTION SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PN JUNCTION SEMICONDUCTOR (37) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
P1H06300D8 P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8.pdf Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8*8
Power Dissipation (Max): 55.5W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06004G2 P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO263-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 14A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case: TO-263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06006G2 P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO263-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case: TO-263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008E2 P3D06008E2 PN Junction Semiconductor P3D06008E2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008F2 P3D06008F2 PN Junction Semiconductor P3D06008F2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220F-2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008G2 P3D06008G2 PN Junction Semiconductor P3D06008G2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008I2 P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220I-2
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008T2 P3D06008T2 PN Junction Semiconductor P3D06008T2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06016GS P3D06016GS PN Junction Semiconductor P3D06016GS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 16A TO263S
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.57 грн
11+515.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06020P3 P3D06020P3 PN Junction Semiconductor P3D06020P3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO3PF-3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.34 грн
11+585.85 грн
101+484.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06040K3 P3D06040K3 PN Junction Semiconductor P3D06040K3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 40A TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.89 грн
11+913.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010G2 P3D12010G2 PN Junction Semiconductor P3D12010G2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO263-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.58 грн
11+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010K2 P3D12010K2 PN Junction Semiconductor P3D12010K2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.58 грн
11+446.21 грн
101+369.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010K3 P3D12010K3 PN Junction Semiconductor P3D12010K3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.58 грн
11+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010T2 P3D12010T2 PN Junction Semiconductor P3D12010T2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.58 грн
11+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12015K2 P3D12015K2 PN Junction Semiconductor P3D12015K2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.97 грн
11+741.34 грн
101+597.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12015T2 P3D12015T2 PN Junction Semiconductor P3D12015T2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO220-2
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.97 грн
11+741.34 грн
101+597.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12040K2 P3D12040K2 PN Junction Semiconductor P3D12040K2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 40A TO247-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1425.12 грн
11+1240.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12040K3 P3D12040K3 PN Junction Semiconductor P3D12040K3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 40A TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1425.12 грн
11+1240.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06040K3 P3M06040K3 PN Junction Semiconductor P3M06040K3.pdf Description: SICFET N-CH 650V 68A TO247-3
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.52 грн
11+847.74 грн
101+829.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06040K4 P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4.pdf Description: SICFET N-CH 650V 68A TO247-4
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.52 грн
11+847.74 грн
101+829.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06300D8 P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8.pdf Description: SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.00 грн
11+346.88 грн
101+317.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06300T3 P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3.pdf Description: SICFET N-CH 650V 9A TO-220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.65 грн
11+357.14 грн
101+327.06 грн
1001+264.60 грн
2000+211.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12017K4 P3M12017K4 PN Junction Semiconductor P3M12017K4.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 75mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 789W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 75A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12025K3 P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 113A TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 17.7mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 524W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12025K4 P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 577W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2232.04 грн
11+2041.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12040G7 P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 69A TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12040K3 P3M12040K3 PN Junction Semiconductor P3M12040K3.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 349W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12080G7 P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30mA (Typ)
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12080K3 P3M12080K3 PN Junction Semiconductor P3M12080K3.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 221W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12080K4 P3M12080K4 PN Junction Semiconductor P3M12080K4.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12160K3 P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 110W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12160K4 P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 110W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M171K0T3 P3M171K0T3 PN Junction Semiconductor P3M171K0T3.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 6A TO-220-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.41 грн
11+432.81 грн
101+396.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M173K0T3 P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.41 грн
11+360.47 грн
101+322.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P6D12002E2 P6D12002E2 PN Junction Semiconductor P6D12002E2.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PAA12400BM3 PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3.pdf Description: 1200V HALF-BRIDGE
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 300A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P1H06300D8 P1H06300D8.pdf
P1H06300D8
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8*8
Power Dissipation (Max): 55.5W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06004G2 P3D06004G2.pdf
P3D06004G2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 14A TO263-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 14A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case: TO-263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06006G2 P3D06006G2.pdf
P3D06006G2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO263-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case: TO-263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008E2 P3D06008E2.pdf
P3D06008E2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008F2 P3D06008F2.pdf
P3D06008F2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220F-2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008G2 P3D06008G2.pdf
P3D06008G2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008I2 P3D06008I2.pdf
P3D06008I2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220I-2
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06008T2 P3D06008T2.pdf
P3D06008T2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06016GS P3D06016GS.pdf
P3D06016GS
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 16A TO263S
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.57 грн
11+515.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06020P3 P3D06020P3.pdf
P3D06020P3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO3PF-3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+673.34 грн
11+585.85 грн
101+484.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D06040K3 P3D06040K3.pdf
P3D06040K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 40A TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1053.89 грн
11+913.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010G2 P3D12010G2.pdf
P3D12010G2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO263-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.58 грн
11+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010K2 P3D12010K2.pdf
P3D12010K2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.58 грн
11+446.21 грн
101+369.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010K3 P3D12010K3.pdf
P3D12010K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.58 грн
11+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12010T2 P3D12010T2.pdf
P3D12010T2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.58 грн
11+446.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12015K2 P3D12015K2.pdf
P3D12015K2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.97 грн
11+741.34 грн
101+597.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12015T2 P3D12015T2.pdf
P3D12015T2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO220-2
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+851.97 грн
11+741.34 грн
101+597.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12040K2 P3D12040K2.pdf
P3D12040K2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 40A TO247-2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1425.12 грн
11+1240.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3D12040K3 P3D12040K3.pdf
P3D12040K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 40A TO247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1425.12 грн
11+1240.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06040K3 P3M06040K3.pdf
P3M06040K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 68A TO247-3
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+926.52 грн
11+847.74 грн
101+829.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06040K4 P3M06040K4.pdf
P3M06040K4
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 68A TO247-4
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+926.52 грн
11+847.74 грн
101+829.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06300D8 P3M06300D8.pdf
P3M06300D8
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.00 грн
11+346.88 грн
101+317.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M06300T3 P3M06300T3.pdf
P3M06300T3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 9A TO-220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.65 грн
11+357.14 грн
101+327.06 грн
1001+264.60 грн
2000+211.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12017K4 P3M12017K4.pdf
P3M12017K4
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 75mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 789W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 75A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12025K3 P3M12025K3.pdf
P3M12025K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 113A TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 17.7mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 524W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12025K4 P3M12025K4.pdf
P3M12025K4
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 577W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2232.04 грн
11+2041.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12040G7 P3M12040G7.pdf
P3M12040G7
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 69A TO-263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 357W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12040K3 P3M12040K3.pdf
P3M12040K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 349W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 40A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12080G7 P3M12080G7.pdf
P3M12080G7
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30mA (Typ)
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12080K3 P3M12080K3.pdf
P3M12080K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 221W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12080K4 P3M12080K4.pdf
P3M12080K4
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12160K3 P3M12160K3.pdf
P3M12160K3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 110W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M12160K4 P3M12160K4.pdf
P3M12160K4
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 110W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P3M171K0T3 P3M171K0T3.pdf
P3M171K0T3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 6A TO-220-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.41 грн
11+432.81 грн
101+396.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P3M173K0T3 P3M173K0T3.pdf
P3M173K0T3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+398.41 грн
11+360.47 грн
101+322.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P6D12002E2 P6D12002E2.pdf
P6D12002E2
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PAA12400BM3 PAA12400BM3.pdf
PAA12400BM3
Виробник: PN Junction Semiconductor
Description: 1200V HALF-BRIDGE
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 300A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.