Результат пошуку "18n-50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 149
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 86
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 87
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 60
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 173
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 Монтаж: THT |
у наявності: 9 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50005T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 5V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Clear Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50005W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 5V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Clear Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N500120T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 120V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Clear Ratings: AC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N500120T | VCC |
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N500120W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 120V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Clear Ratings: AC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50012T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 12V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Clear Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50012T | VCC |
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50012W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 12V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Clear Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50028T | VCC |
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
CNX718N50028W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MMPackaging: Bulk Voltage: 28V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Clear Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Fresnel Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDA18N50 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 239W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
FDP18N50 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| FDP18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDPF18N50 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDPF18N50 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| FDPF18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDPF18N50T | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDPF18N50T | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FQA18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FQH18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FQP18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FQPF18N50V2SDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
G18N50T | Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-11-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±20ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 37754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-12-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 37754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-13-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 37754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-22-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-23-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-33-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (5x3.2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 18812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-72-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-73-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BC-83-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (7x5) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 20936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-11-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±20ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 37754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-12-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 37754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-13-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 37754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-23-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 5146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-33-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (5x3.2) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 18812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-72-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-73-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6) Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SIT1602BI-83-18N-50.000000 | SiTime |
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOSPackaging: Strip Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCMOS, LVCMOS Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 4.1mA Supplier Device Package: 4-PQFN (7x5) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Frequency: 50 MHz Base Resonator: MEMS |
на замовлення 20936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 48 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 48 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRFB18N50K 17A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRFB18N50K 17A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| AV218N50 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDA18N50 | FAIRCHILD |
09+ TO3P |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 210.00 грн |
| 10+ | 195.00 грн |
| BXP18N50F |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.80 грн |
| 10+ | 80.66 грн |
| 25+ | 72.23 грн |
| 100+ | 60.78 грн |
| 250+ | 54.73 грн |
| 500+ | 48.13 грн |
| BXP18N50F |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.56 грн |
| 10+ | 100.52 грн |
| 25+ | 86.68 грн |
| 100+ | 72.93 грн |
| 250+ | 65.68 грн |
| 500+ | 57.75 грн |
| 1000+ | 52.03 грн |
| CNX718N50005T |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1269.85 грн |
| CNX718N50005W |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1269.85 грн |
| CNX718N500120T |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Clear
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Clear
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1269.85 грн |
| 100+ | 1084.09 грн |
| CNX718N500120T |
![]() |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1787.25 грн |
| 10+ | 1272.55 грн |
| 100+ | 945.43 грн |
| 500+ | 927.10 грн |
| CNX718N500120W |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1269.85 грн |
| CNX718N50012T |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1215.20 грн |
| 100+ | 1084.09 грн |
| CNX718N50012T |
![]() |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1685.68 грн |
| 10+ | 1240.05 грн |
| 100+ | 1036.31 грн |
| 500+ | 927.10 грн |
| CNX718N50012W |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1269.85 грн |
| CNX718N50028T |
![]() |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1822.89 грн |
| 10+ | 1435.02 грн |
| 100+ | 1065.33 грн |
| 500+ | 931.68 грн |
| CNX718N50028W |
![]() |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 28V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED PNL IND GRN FRESNEL 18.50MM
Packaging: Bulk
Voltage: 28V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Clear
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Fresnel
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.35 грн |
| 10+ | 1269.85 грн |
| 100+ | 1022.98 грн |
| FDA18N50 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 149+ | 142.35 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.16 грн |
| 10+ | 128.22 грн |
| 100+ | 106.91 грн |
| 500+ | 96.22 грн |
| 1000+ | 95.46 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 101.97 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.96 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.25 грн |
| 3+ | 184.38 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.52 грн |
| 50+ | 108.16 грн |
| 100+ | 105.04 грн |
| 500+ | 97.20 грн |
| 1000+ | 90.33 грн |
| 2000+ | 87.04 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-CH MOSFET
MOSFETs 500V N-CH MOSFET
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.78 грн |
| 10+ | 121.20 грн |
| 100+ | 102.33 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 176.62 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.01 грн |
| 10+ | 177.40 грн |
| 25+ | 152.73 грн |
| 50+ | 150.35 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 308.41 грн |
| 10+ | 221.06 грн |
| 25+ | 183.28 грн |
| 50+ | 180.42 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.35 грн |
| 50+ | 135.30 грн |
| 100+ | 131.47 грн |
| 500+ | 115.32 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 323.42 грн |
| 10+ | 155.45 грн |
| 100+ | 120.66 грн |
| 500+ | 115.31 грн |
| 1000+ | 113.02 грн |
| FQA18N50V2 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 247.87 грн |
| FQH18N50V2 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 243.62 грн |
| FQP18N50V2 | ![]() |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 351.98 грн |
| FQPF18N50V2SDTU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 123.23 грн |
| G18N50T |
![]() |
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.57 грн |
| 50+ | 105.75 грн |
| IRFB18N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.55 грн |
| 10+ | 132.05 грн |
| 50+ | 119.32 грн |
| IRFB18N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.86 грн |
| 3+ | 186.37 грн |
| 10+ | 158.46 грн |
| 50+ | 143.19 грн |
| 250+ | 142.23 грн |
| SIT1602BC-11-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 37754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.48 грн |
| 10+ | 49.48 грн |
| 25+ | 46.81 грн |
| 50+ | 42.12 грн |
| 100+ | 40.37 грн |
| 250+ | 38.18 грн |
| 500+ | 36.00 грн |
| 1000+ | 34.51 грн |
| 2500+ | 32.64 грн |
| SIT1602BC-12-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 37754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.17 грн |
| 10+ | 46.62 грн |
| 25+ | 44.13 грн |
| 50+ | 39.70 грн |
| 100+ | 38.06 грн |
| 250+ | 35.99 грн |
| 500+ | 33.94 грн |
| 1000+ | 32.53 грн |
| 2500+ | 30.77 грн |
| SIT1602BC-13-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 37754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.43 грн |
| 10+ | 37.71 грн |
| 25+ | 35.64 грн |
| 50+ | 32.07 грн |
| 100+ | 30.75 грн |
| 250+ | 29.08 грн |
| 500+ | 27.42 грн |
| 1000+ | 26.29 грн |
| 2500+ | 24.86 грн |
| SIT1602BC-22-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.44 грн |
| 10+ | 86.15 грн |
| 25+ | 81.43 грн |
| 50+ | 73.27 грн |
| 100+ | 70.23 грн |
| 250+ | 66.42 грн |
| 500+ | 62.63 грн |
| 1000+ | 60.04 грн |
| 2500+ | 56.78 грн |
| SIT1602BC-23-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.61 грн |
| 10+ | 69.53 грн |
| 25+ | 65.74 грн |
| 50+ | 59.16 грн |
| 100+ | 56.70 грн |
| 250+ | 53.62 грн |
| 500+ | 50.56 грн |
| 1000+ | 48.47 грн |
| 2500+ | 45.84 грн |
| SIT1602BC-33-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (5x3.2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (5x3.2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 18812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.57 грн |
| 10+ | 73.34 грн |
| 25+ | 69.34 грн |
| 50+ | 62.38 грн |
| 100+ | 59.80 грн |
| 250+ | 56.55 грн |
| 500+ | 53.32 грн |
| 1000+ | 51.12 грн |
| 2500+ | 48.34 грн |
| SIT1602BC-72-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.44 грн |
| 10+ | 86.23 грн |
| 25+ | 81.49 грн |
| 50+ | 73.31 грн |
| 100+ | 70.27 грн |
| 250+ | 66.46 грн |
| 500+ | 62.67 грн |
| 1000+ | 60.08 грн |
| SIT1602BC-73-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.61 грн |
| 10+ | 69.53 грн |
| 25+ | 65.80 грн |
| 50+ | 59.19 грн |
| 100+ | 56.74 грн |
| 250+ | 53.66 грн |
| 500+ | 50.60 грн |
| 1000+ | 48.51 грн |
| SIT1602BC-83-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (7x5)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (7x5)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 20936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.57 грн |
| 10+ | 73.42 грн |
| 25+ | 69.49 грн |
| 50+ | 62.49 грн |
| 100+ | 59.91 грн |
| 250+ | 56.65 грн |
| 500+ | 53.42 грн |
| 1000+ | 51.21 грн |
| 2500+ | 48.43 грн |
| SIT1602BI-11-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±20ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 37754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.30 грн |
| 10+ | 50.35 грн |
| 25+ | 47.57 грн |
| 50+ | 42.81 грн |
| 100+ | 41.03 грн |
| 250+ | 38.80 грн |
| 500+ | 36.58 грн |
| 1000+ | 35.07 грн |
| 2500+ | 33.17 грн |
| SIT1602BI-12-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 37754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.00 грн |
| 10+ | 47.49 грн |
| 25+ | 44.90 грн |
| 50+ | 40.39 грн |
| 100+ | 38.72 грн |
| 250+ | 36.62 грн |
| 500+ | 34.53 грн |
| 1000+ | 33.10 грн |
| 2500+ | 31.30 грн |
| SIT1602BI-13-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2.5x2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 37754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.26 грн |
| 10+ | 38.50 грн |
| 25+ | 36.43 грн |
| 50+ | 32.79 грн |
| 100+ | 31.43 грн |
| 250+ | 29.72 грн |
| 500+ | 28.03 грн |
| 1000+ | 26.87 грн |
| 2500+ | 25.41 грн |
| SIT1602BI-23-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.09 грн |
| 10+ | 71.04 грн |
| 25+ | 67.20 грн |
| 50+ | 60.45 грн |
| 100+ | 57.95 грн |
| 250+ | 54.81 грн |
| 500+ | 51.68 грн |
| 1000+ | 49.54 грн |
| 2500+ | 46.86 грн |
| SIT1602BI-33-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (5x3.2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (5x3.2)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 18812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.22 грн |
| 10+ | 74.94 грн |
| 25+ | 70.86 грн |
| 50+ | 63.75 грн |
| 100+ | 61.12 грн |
| 250+ | 57.80 грн |
| 500+ | 54.50 грн |
| 1000+ | 52.25 грн |
| 2500+ | 49.41 грн |
| SIT1602BI-72-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.91 грн |
| 10+ | 87.66 грн |
| 25+ | 82.89 грн |
| 50+ | 74.58 грн |
| 100+ | 71.50 грн |
| 250+ | 67.62 грн |
| 500+ | 63.76 грн |
| 1000+ | 61.12 грн |
| SIT1602BI-73-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (2x1.6)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.09 грн |
| 10+ | 71.12 грн |
| 25+ | 67.24 грн |
| 50+ | 60.50 грн |
| 100+ | 58.00 грн |
| 250+ | 54.85 грн |
| 500+ | 51.72 грн |
| 1000+ | 49.58 грн |
| SIT1602BI-83-18N-50.000000 |
![]() |
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (7x5)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 50.0000MHZ H/LV-CMOS
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCMOS, LVCMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 4.1mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (7x5)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 20936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.04 грн |
| 10+ | 75.09 грн |
| 25+ | 71.02 грн |
| 50+ | 63.87 грн |
| 100+ | 61.23 грн |
| 250+ | 57.90 грн |
| 500+ | 54.60 грн |
| 1000+ | 52.34 грн |
| 2500+ | 49.50 грн |
| WMJ18N50D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 96.81 грн |
| 6+ | 71.59 грн |
| 10+ | 53.54 грн |
| 30+ | 48.13 грн |
| 120+ | 44.55 грн |
| WMJ18N50D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.17 грн |
| 4+ | 89.22 грн |
| 10+ | 64.24 грн |
| 30+ | 57.75 грн |
| 120+ | 53.46 грн |
| 300+ | 51.26 грн |
| 900+ | 48.11 грн |
| Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 138.08 грн |
| Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 123.56 грн |
| Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 48 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 79.11 грн |
| Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 48 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 104.63 грн |
| Транзистор польовий IRFB18N50K 17A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 189.00 грн |
| Транзистор польовий IRFB18N50K 17A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 225.26 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]





















