Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101738) > Сторінка 725 з 1696

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 720 721 722 723 724 725 726 727 728 729 730 845 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BH29M0AWHFV-TR BH29M0AWHFV-TR Rohm Semiconductor bhxxm0a-e.pdf Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU11UA3WNVX-TL BU11UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU13UA3WNVX-TL BU13UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU19UA3WNVX-TL BU19UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1AUA3WNVX-TL BU1AUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1BTD2WNVX-TL BU1BTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1BUA3WNVX-TL BU1BUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1CUA3WNVX-TL BU1CUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU22UA3WNVX-TL BU22UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU23UA3WNVX-TL BU23UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU27UA3WNVX-TL BU27UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU28UA3WNVX-TL BU28UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU29UA3WNVX-TL BU29UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2ATD2WNVX-TL BU2ATD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2AUA3WNVX-TL BU2AUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2HTD2WNVX-TL BU2HTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2HUA3WNVX-TL BU2HUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2JTD2WNVX-TL BU2JTD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2JUA3WNVX-TL BU2JUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2KUA3WNVX-TL BU2KUA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU31UA3WNVX-TL BU31UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU32UA3WNVX-TL BU32UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU34TD2WNVX-TL BU34TD2WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxtd2wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU34UA3WNVX-TL BU34UA3WNVX-TL Rohm Semiconductor buxxua3wnvx-e.pdf Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU7421SG-TR BU7421SG-TR Rohm Semiconductor bu7421g-e.pdf Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZ6A1206GMP-TR Rohm Semiconductor BZ6Axx06GMP.pdf Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZ6A1806GMP-TR Rohm Semiconductor BZ6Axx06GMP.pdf Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD15IC0MEFJ-ME2 BD15IC0MEFJ-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD15IC0MEFJ-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 700 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q793-N01HBZ03B ML610Q793-N01HBZ03B Rohm Semiconductor datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q793-SDK ML610Q793-SDK Rohm Semiconductor ML610Q793.pdf Description: ML610Q793 EVAL BRD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q793-N01HBZ03B ML610Q793-N01HBZ03B Rohm Semiconductor datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1774EBTLP 2SA1774EBTLP Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CDZT2RA8.2B CDZT2RA8.2B Rohm Semiconductor cdz8.2b.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDD022N50TL RDD022N50TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RDD022N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDD022N60TL RDD022N60TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RDD022N60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMF23NTR UMF23NTR Rohm Semiconductor EMF23,UMF23N.pdf Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMF24NTR UMF24NTR Rohm Semiconductor EMF24,UMF24N.pdf Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMG7NTR UMG7NTR Rohm Semiconductor Transistors - General Purpose.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ8NTR UMZ8NTR Rohm Semiconductor emz8.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AGC SCS215AGC Rohm Semiconductor scs215ag-e.pdf Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEC SCS215AEC Rohm Semiconductor scs215ae-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AEC SCS220AEC Rohm Semiconductor scs220ae-e.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS230AE2C SCS230AE2C Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS206AMC SCS206AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS206AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS208AMC SCS208AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS208AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AMC SCS212AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS212AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.30 грн
10+351.29 грн
100+255.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AMC SCS215AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS215AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AMC SCS220AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS220AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLL SCS212AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AJTLL SCS215AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS215AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AJTLL SCS220AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS220AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+372.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLL SCS212AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.60 грн
10+254.09 грн
100+243.98 грн
500+192.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AJTLL SCS215AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS215AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.36 грн
10+398.91 грн
100+292.35 грн
500+234.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AJTLL SCS220AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS220AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.44 грн
10+511.25 грн
100+388.37 грн
500+336.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD95861MUV-EVK-101 BD95861MUV-EVK-101 Rohm Semiconductor BD95861MUVEVK-101.pdf Description: EVAL BOARD FOR BD95861
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 5.5V
Voltage - Input: 7.5V ~ 18V
Current - Output: 6A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: BD95861
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU90002GWZ-EVK-101 BU90002GWZ-EVK-101 Rohm Semiconductor BU90002GWXEVK-101.pdf Description: BOARD EVAL BU90002GWZ REG
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU52012NVX-TR BU52012NVX-TR Rohm Semiconductor bu52002gul-e.pdf Description: IC HALL SENSOR 0.5MA UNIPO 4-SSO
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU52053NVX-TR BU52053NVX-TR Rohm Semiconductor datasheet?p=BU52011HFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR 4SS0N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±5mT Trip, ±0.6mT Release
Current - Output (Max): 500µA
Current - Supply (Max): 8µA
Supplier Device Package: SSON004X1216
Test Condition: 25°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.91 грн
10+60.41 грн
25+48.36 грн
100+41.58 грн
500+34.97 грн
1000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU52054GWZ-E2 BU52054GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU52054GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±7.9mT Trip, ±3.5mT Release
Current - Output (Max): 500µA
Current - Supply (Max): 8µA
Supplier Device Package: UCSP35L1
Test Condition: 25°C
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.55 грн
10+32.79 грн
25+28.74 грн
50+27.31 грн
100+26.03 грн
500+23.07 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BU52055GWZ-E2 BU52055GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU52055GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±5.5mT Trip, ±1.5mT Release
Current - Output (Max): 500µA
Current - Supply (Max): 8µA
Supplier Device Package: UCSP35L1
Test Condition: 25°C
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.55 грн
10+32.79 грн
25+28.74 грн
50+27.31 грн
100+26.03 грн
500+23.07 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BH29M0AWHFV-TR bhxxm0a-e.pdf
BH29M0AWHFV-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU11UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU11UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU13UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU13UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU19UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU19UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1AUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU1AUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1BTD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU1BTD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1BUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU1BUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU1CUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU1CUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU22UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU22UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU23UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU23UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU27UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU27UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU28UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU28UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU29UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU29UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2ATD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU2ATD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2AUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2AUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2HTD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU2HTD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU2HUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2HUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2JTD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU2JTD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2JUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2JUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU2KUA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU2KUA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU31UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU31UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU32UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU32UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU34TD2WNVX-TL buxxtd2wnvx-e.pdf
BU34TD2WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU34UA3WNVX-TL buxxua3wnvx-e.pdf
BU34UA3WNVX-TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU7421SG-TR bu7421g-e.pdf
BU7421SG-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZ6A1206GMP-TR BZ6Axx06GMP.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZ6A1806GMP-TR BZ6Axx06GMP.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD15IC0MEFJ-ME2 datasheet?p=BD15IC0MEFJ-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD15IC0MEFJ-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 700 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q793-N01HBZ03B datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
ML610Q793-N01HBZ03B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q793-SDK ML610Q793.pdf
ML610Q793-SDK
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML610Q793 EVAL BRD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q793-N01HBZ03B datasheet?p=ML610Q793&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
ML610Q793-N01HBZ03B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1774EBTLP 2sa1576u3t106r-e.pdf
2SA1774EBTLP
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CDZT2RA8.2B cdz8.2b.pdf
CDZT2RA8.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDD022N50TL datasheet?p=RDD022N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RDD022N50TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDD022N60TL datasheet?p=RDD022N60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RDD022N60TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMF23NTR EMF23,UMF23N.pdf
UMF23NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMF24NTR EMF24,UMF24N.pdf
UMF24NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMG7NTR Transistors - General Purpose.pdf
UMG7NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ8NTR emz8.pdf
UMZ8NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AGC scs215ag-e.pdf
SCS215AGC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AEC scs215ae-e.pdf
SCS215AEC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AEC scs220ae-e.pdf
SCS220AEC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS230AE2C ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS230AE2C
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS206AMC datasheet?p=SCS206AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS206AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS208AMC datasheet?p=SCS208AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS208AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AMC datasheet?p=SCS212AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS212AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.30 грн
10+351.29 грн
100+255.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AMC datasheet?p=SCS215AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS215AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AMC datasheet?p=SCS220AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS220AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLL datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS212AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AJTLL datasheet?p=SCS215AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS215AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+224.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AJTLL datasheet?p=SCS220AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS220AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+372.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SCS212AJTLL datasheet?p=SCS212AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS212AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.60 грн
10+254.09 грн
100+243.98 грн
500+192.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCS215AJTLL datasheet?p=SCS215AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS215AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.36 грн
10+398.91 грн
100+292.35 грн
500+234.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AJTLL datasheet?p=SCS220AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS220AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.44 грн
10+511.25 грн
100+388.37 грн
500+336.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD95861MUV-EVK-101 BD95861MUVEVK-101.pdf
BD95861MUV-EVK-101
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BD95861
Packaging: Box
Voltage - Output: 0.8V ~ 5.5V
Voltage - Input: 7.5V ~ 18V
Current - Output: 6A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: BD95861
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU90002GWZ-EVK-101 BU90002GWXEVK-101.pdf
BU90002GWZ-EVK-101
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BOARD EVAL BU90002GWZ REG
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU52012NVX-TR bu52002gul-e.pdf
BU52012NVX-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC HALL SENSOR 0.5MA UNIPO 4-SSO
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU52053NVX-TR datasheet?p=BU52011HFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU52053NVX-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR 4SS0N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±5mT Trip, ±0.6mT Release
Current - Output (Max): 500µA
Current - Supply (Max): 8µA
Supplier Device Package: SSON004X1216
Test Condition: 25°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.91 грн
10+60.41 грн
25+48.36 грн
100+41.58 грн
500+34.97 грн
1000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BU52054GWZ-E2 datasheet?p=BU52054GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU52054GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±7.9mT Trip, ±3.5mT Release
Current - Output (Max): 500µA
Current - Supply (Max): 8µA
Supplier Device Package: UCSP35L1
Test Condition: 25°C
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.55 грн
10+32.79 грн
25+28.74 грн
50+27.31 грн
100+26.03 грн
500+23.07 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BU52055GWZ-E2 datasheet?p=BU52055GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU52055GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL UCSP35L1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±5.5mT Trip, ±1.5mT Release
Current - Output (Max): 500µA
Current - Supply (Max): 8µA
Supplier Device Package: UCSP35L1
Test Condition: 25°C
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.55 грн
10+32.79 грн
25+28.74 грн
50+27.31 грн
100+26.03 грн
500+23.07 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 720 721 722 723 724 725 726 727 728 729 730 845 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]