Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101976) > Сторінка 730 з 1700

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 725 726 727 728 729 730 731 732 733 734 735 850 1020 1190 1360 1530 1700  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KDZVTR30B KDZVTR30B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 32V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 32 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 23 V
на замовлення 6656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.24 грн
19+18.21 грн
100+12.29 грн
500+8.95 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR33B KDZVTR33B Rohm Semiconductor kdzvtr33b-e.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.3B KDZVTR4.3B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV4.3B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.55V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.55 V
Supplier Device Package: PMDU
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.95 грн
15+22.16 грн
100+13.32 грн
500+11.57 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.7B KDZVTR4.7B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV4.7B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.52 грн
16+21.67 грн
100+14.14 грн
500+10.41 грн
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.1B KDZVTR5.1B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV5.1B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.4 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.95 грн
15+22.25 грн
100+13.36 грн
500+11.60 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.6B KDZVTR5.6B Rohm Semiconductor kdzvtr5.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 5.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
на замовлення 6955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.80 грн
17+20.43 грн
100+13.83 грн
500+10.09 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.2B KDZVTR6.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 17096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.80 грн
15+22.74 грн
100+13.68 грн
500+11.88 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B KDZVTR6.8B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR7.5B KDZVTR7.5B Rohm Semiconductor kdzvtr7.5b-e.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDU
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR8.2B KDZVTR8.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 8.75V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.75 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 5 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.94 грн
15+22.74 грн
100+14.83 грн
500+11.42 грн
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B KDZVTR6.8B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR11B KDZVTR11B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV11B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 11.65V 1W PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11.65 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 BD63715AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 BD63720AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 BD63715AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.96 грн
10+136.70 грн
25+124.95 грн
100+105.16 грн
250+99.39 грн
500+95.92 грн
1000+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 BD63720AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.25 грн
10+135.13 грн
25+123.53 грн
100+103.94 грн
250+98.24 грн
500+94.79 грн
1000+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor rq3e100gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
6000+10.74 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.74 грн
6000+14.39 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB RS1E130GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB RS1E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB RS1E200GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.88 грн
5000+24.52 грн
7500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTB RS1E320GNTB Rohm Semiconductor rs1e320gntb-e Description: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.34 грн
11+30.98 грн
100+19.90 грн
500+14.19 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.00 грн
10+49.85 грн
100+32.74 грн
500+23.79 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.91 грн
11+32.30 грн
100+20.81 грн
500+14.87 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.72 грн
10+47.21 грн
100+30.84 грн
500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.75 грн
10+36.09 грн
100+23.36 грн
500+16.75 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.34 грн
11+30.32 грн
100+15.04 грн
500+13.81 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor rq3e100gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 10358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.50 грн
12+29.83 грн
100+20.39 грн
500+15.86 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.06 грн
10+38.48 грн
100+26.72 грн
500+19.58 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.05 грн
10+41.86 грн
100+28.81 грн
500+22.58 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB RS1E130GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.03 грн
10+39.06 грн
100+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB RS1E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.01 грн
10+46.39 грн
100+30.17 грн
500+21.78 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB RS1E200GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.97 грн
10+60.97 грн
100+40.16 грн
500+29.31 грн
1000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 10628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.87 грн
10+57.10 грн
100+40.54 грн
500+31.32 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280GNTB RS1E280GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E280GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.84 грн
10+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTB RS1E320GNTB Rohm Semiconductor rs1e320gntb-e Description: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB060MM-30TR RB060MM-30TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB060MM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
6000+8.38 грн
9000+7.54 грн
30000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB060MM-60TR RB060MM-60TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB060MM-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 68200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
6000+6.69 грн
9000+6.06 грн
15000+5.52 грн
21000+5.37 грн
30000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB070MM-30TR RB070MM-30TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB070MM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.54 грн
9000+4.49 грн
15000+4.12 грн
21000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-30TR RB160MM-30TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160MM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-40TR RB160MM-40TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160MM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.16 грн
6000+7.23 грн
9000+6.52 грн
15000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-50TR RB160MM-50TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160MM-50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-60TR RB160MM-60TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160MM-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
6000+5.34 грн
9000+5.29 грн
15000+4.95 грн
21000+4.86 грн
30000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB161MM-20TR RB161MM-20TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB161MM-20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 25V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.60 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB162MM-40TR RB162MM-40TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RB162MM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
6000+4.59 грн
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR30B datasheet?p=KDZV30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR30B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 32V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 32 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 23 V
на замовлення 6656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.24 грн
19+18.21 грн
100+12.29 грн
500+8.95 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR33B kdzvtr33b-e.pdf
KDZVTR33B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.3B datasheet?p=KDZV4.3B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR4.3B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.55V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.55 V
Supplier Device Package: PMDU
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.95 грн
15+22.16 грн
100+13.32 грн
500+11.57 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.7B datasheet?p=KDZV4.7B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR4.7B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.52 грн
16+21.67 грн
100+14.14 грн
500+10.41 грн
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.1B datasheet?p=KDZV5.1B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR5.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.4 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.95 грн
15+22.25 грн
100+13.36 грн
500+11.60 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.6B kdzvtr5.6b-e.pdf
KDZVTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
на замовлення 6955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.80 грн
17+20.43 грн
100+13.83 грн
500+10.09 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.2B datasheet?p=KDZV6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 17096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.80 грн
15+22.74 грн
100+13.68 грн
500+11.88 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B kdzv10b.pdf
KDZVTR6.8B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR7.5B kdzvtr7.5b-e.pdf
KDZVTR7.5B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDU
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR8.2B datasheet?p=KDZV8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR8.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.75V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.75 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 5 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.94 грн
15+22.74 грн
100+14.83 грн
500+11.42 грн
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B kdzv10b.pdf
KDZVTR9.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B kdzv10b.pdf
KDZVTR6.8B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B kdzv10b.pdf
KDZVTR9.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR11B datasheet?p=KDZV11B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR11B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11.65V 1W PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11.65 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63715AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+99.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63720AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63715AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.96 грн
10+136.70 грн
25+124.95 грн
100+105.16 грн
250+99.39 грн
500+95.92 грн
1000+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63720AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.25 грн
10+135.13 грн
25+123.53 грн
100+103.94 грн
250+98.24 грн
500+94.79 грн
1000+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB rq3e100gntb-e.pdf
RQ3E100GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.37 грн
6000+10.74 грн
9000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.74 грн
6000+14.39 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E180GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E130GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E200GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E240GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.88 грн
5000+24.52 грн
7500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTB rs1e320gntb-e
RS1E320GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.34 грн
11+30.98 грн
100+19.90 грн
500+14.19 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.00 грн
10+49.85 грн
100+32.74 грн
500+23.79 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.91 грн
11+32.30 грн
100+20.81 грн
500+14.87 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.72 грн
10+47.21 грн
100+30.84 грн
500+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.75 грн
10+36.09 грн
100+23.36 грн
500+16.75 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.34 грн
11+30.32 грн
100+15.04 грн
500+13.81 грн
1000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB rq3e100gntb-e.pdf
RQ3E100GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 10358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.50 грн
12+29.83 грн
100+20.39 грн
500+15.86 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.06 грн
10+38.48 грн
100+26.72 грн
500+19.58 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E180GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.05 грн
10+41.86 грн
100+28.81 грн
500+22.58 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E130GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.03 грн
10+39.06 грн
100+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+46.39 грн
100+30.17 грн
500+21.78 грн
1000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E200GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.97 грн
10+60.97 грн
100+40.16 грн
500+29.31 грн
1000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E240GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 10628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.87 грн
10+57.10 грн
100+40.54 грн
500+31.32 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280GNTB datasheet?p=RS1E280GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E280GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.84 грн
10+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTB rs1e320gntb-e
RS1E320GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB060MM-30TR datasheet?p=RB060MM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB060MM-30TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.08 грн
6000+8.38 грн
9000+7.54 грн
30000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB060MM-60TR datasheet?p=RB060MM-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB060MM-60TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 68200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.17 грн
6000+6.69 грн
9000+6.06 грн
15000+5.52 грн
21000+5.37 грн
30000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB070MM-30TR datasheet?p=RB070MM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB070MM-30TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.76 грн
6000+4.54 грн
9000+4.49 грн
15000+4.12 грн
21000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-30TR datasheet?p=RB160MM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB160MM-30TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-40TR datasheet?p=RB160MM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB160MM-40TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.16 грн
6000+7.23 грн
9000+6.52 грн
15000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-50TR datasheet?p=RB160MM-50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB160MM-50TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB160MM-60TR datasheet?p=RB160MM-60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB160MM-60TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.98 грн
6000+5.34 грн
9000+5.29 грн
15000+4.95 грн
21000+4.86 грн
30000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB161MM-20TR datasheet?p=RB161MM-20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB161MM-20TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 25V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.60 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB162MM-40TR datasheet?p=RB162MM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB162MM-40TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDU
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.22 грн
6000+4.59 грн
9000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 725 726 727 728 729 730 731 732 733 734 735 850 1020 1190 1360 1530 1700  [ Наступна Сторінка >> ]