Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105892) > Сторінка 724 з 1765

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 719 720 721 722 723 724 725 726 727 728 729 880 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
R8010ANX R8010ANX Rohm Semiconductor r8010anx.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX051N25 RCX051N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX051N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.80 грн
10+82.54 грн
100+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX080N25 RCX080N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX080N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.39 грн
10+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX081N20 RCX081N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX160N20 RCX160N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX160N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.79 грн
10+97.43 грн
50+73.78 грн
100+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX200N20 RCX200N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX200N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+89.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX300N20 RCX300N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.59 грн
10+108.81 грн
100+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX450N20 RCX450N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX511N25 RCX511N25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX511N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.66 грн
10+195.01 грн
50+151.44 грн
100+128.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX700N20 RCX700N20 Rohm Semiconductor datasheet?p=RCX700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.11 грн
10+225.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX050N50 ZDX050N50 Rohm Semiconductor datasheet?p=ZDX050N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+70.32 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX080N50 ZDX080N50 Rohm Semiconductor datasheet?p=ZDX080N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+90.71 грн
100+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX130N50 ZDX130N50 Rohm Semiconductor datasheet?p=ZDX130N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2R EM6K31GT2R Rohm Semiconductor em6k31-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
15+21.15 грн
100+13.42 грн
500+9.45 грн
1000+8.43 грн
2000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CR EM6K34T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K34&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 44979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
17+18.63 грн
50+13.45 грн
100+11.04 грн
500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2R ES6U1T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=ES6U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.75 грн
11+30.31 грн
100+19.41 грн
500+13.82 грн
1000+12.40 грн
2000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CR ES6U3T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=ES6U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+32.99 грн
100+22.52 грн
500+16.66 грн
1000+15.18 грн
2000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB HP8KA1TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.04 грн
10+79.64 грн
50+59.85 грн
100+50.16 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K11TB HS8K11TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HS8K11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+44.82 грн
100+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR QH8MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.45 грн
50+31.24 грн
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR QS8J13TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+57.95 грн
50+43.08 грн
100+35.89 грн
500+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL R5009FNJTL Rohm Semiconductor r5009fnjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.17 грн
10+158.21 грн
100+127.16 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL R5011FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.45 грн
10+102.62 грн
100+81.65 грн
500+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5016FNJTL R5016FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5016FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 16A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.44 грн
10+160.04 грн
100+129.46 грн
500+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTL R6002ENDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6002END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL R6004ENDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.77 грн
10+99.34 грн
100+77.45 грн
500+60.04 грн
1000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTL R6004ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6004ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL R6007ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.82 грн
10+124.61 грн
100+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL R6009ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTL R6011ENJTL Rohm Semiconductor r6011enjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.28 грн
10+243.96 грн
100+199.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTL R6012FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6012FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.91 грн
10+188.83 грн
100+152.74 грн
500+127.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTL R6015ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.70 грн
10+187.23 грн
100+137.10 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL R6020ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.53 грн
10+160.12 грн
100+112.18 грн
500+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTL R6020FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.66 грн
10+205.09 грн
100+150.90 грн
500+119.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTL R6024ENJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.65 грн
10+225.48 грн
100+160.19 грн
500+124.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RAL025P01TCR RAL025P01TCR Rohm Semiconductor ral025p01tcr-e Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL RCD041N25TL Rohm Semiconductor rcd041n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL RCD051N20TL Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD075N19TL RCD075N19TL Rohm Semiconductor rcd075n19.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ081N20TL RCJ081N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N20TL RCJ120N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N25TL RCJ120N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ120N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.84 грн
10+70.02 грн
100+49.15 грн
500+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ220N25TL RCJ220N25TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RCJ220N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.15 грн
10+159.13 грн
100+111.33 грн
500+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL RE1C001ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
31+10.08 грн
100+6.26 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL RE1C002UNTCL Rohm Semiconductor re1c002untcl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 639920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
34+9.16 грн
50+6.52 грн
100+5.31 грн
500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
26+11.76 грн
100+7.32 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR RF4C050APTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.50 грн
10+47.42 грн
100+31.03 грн
500+22.50 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 RK7002BMT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
38+8.09 грн
54+5.74 грн
100+4.67 грн
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RND030N20TL RND030N20TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RND030N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+44.36 грн
100+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTR RQ1C065UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
10+40.32 грн
100+30.11 грн
500+22.20 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTR RQ1C075UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1C075UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E070BNTB RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor rq3e070bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 7341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
13+25.20 грн
100+15.13 грн
500+13.15 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
11+28.25 грн
50+20.59 грн
100+16.98 грн
500+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor rq3e100bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 11261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
11+29.70 грн
50+21.65 грн
100+17.87 грн
500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120BNTB RQ3E120BNTB Rohm Semiconductor rq3e120bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130BNTB RQ3E130BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E130BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+38.33 грн
100+24.80 грн
500+17.81 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150BNTB RQ3E150BNTB Rohm Semiconductor rq3e150bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB Rohm Semiconductor rq3e160adtb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB RQ3E180BNTB Rohm Semiconductor rq3e180bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.82 грн
10+40.62 грн
100+27.39 грн
500+21.25 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R8010ANX r8010anx.pdf
R8010ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX051N25 datasheet?p=RCX051N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX051N25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.80 грн
10+82.54 грн
100+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX080N25 datasheet?p=RCX080N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX080N25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.39 грн
10+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX081N20 datasheet?p=RCX081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX081N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 8A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX160N20 datasheet?p=RCX160N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX160N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.79 грн
10+97.43 грн
50+73.78 грн
100+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX200N20 datasheet?p=RCX200N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX200N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.18 грн
10+89.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX300N20 datasheet?p=RCX300N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX300N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.59 грн
10+108.81 грн
100+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX450N20 datasheet?p=RCX450N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX450N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCX511N25 datasheet?p=RCX511N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX511N25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.66 грн
10+195.01 грн
50+151.44 грн
100+128.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCX700N20 datasheet?p=RCX700N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCX700N20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.11 грн
10+225.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX050N50 datasheet?p=ZDX050N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ZDX050N50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.97 грн
10+70.32 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX080N50 datasheet?p=ZDX080N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ZDX080N50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.97 грн
10+90.71 грн
100+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZDX130N50 datasheet?p=ZDX130N50&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ZDX130N50
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31GT2R em6k31-e.pdf
EM6K31GT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.68 грн
15+21.15 грн
100+13.42 грн
500+9.45 грн
1000+8.43 грн
2000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K34T2CR datasheet?p=EM6K34&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6K34T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 44979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.72 грн
17+18.63 грн
50+13.45 грн
100+11.04 грн
500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2R datasheet?p=ES6U1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ES6U1T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.75 грн
11+30.31 грн
100+19.41 грн
500+13.82 грн
1000+12.40 грн
2000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CR datasheet?p=ES6U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
ES6U3T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.54 грн
10+32.99 грн
100+22.52 грн
500+16.66 грн
1000+15.18 грн
2000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8KA1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.04 грн
10+79.64 грн
50+59.85 грн
100+50.16 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K11TB datasheet?p=HS8K11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HS8K11TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.54 грн
10+44.82 грн
100+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8MA2TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.57 грн
10+42.45 грн
50+31.24 грн
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS8J13TR datasheet?p=QS8J13&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS8J13TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.94 грн
10+57.95 грн
50+43.08 грн
100+35.89 грн
500+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL r5009fnjtl-e.pdf
R5009FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.17 грн
10+158.21 грн
100+127.16 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5011FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.45 грн
10+102.62 грн
100+81.65 грн
500+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5016FNJTL datasheet?p=R5016FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5016FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 16A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.44 грн
10+160.04 грн
100+129.46 грн
500+108.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTL datasheet?p=R6002END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6002ENDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTL datasheet?p=R6004END&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.77 грн
10+99.34 грн
100+77.45 грн
500+60.04 грн
1000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTL datasheet?p=R6004ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6004ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL datasheet?p=R6007ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6007ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.82 грн
10+124.61 грн
100+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTL datasheet?p=R6009ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTL r6011enjtl-e.pdf
R6011ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.28 грн
10+243.96 грн
100+199.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTL datasheet?p=R6012FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6012FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.91 грн
10+188.83 грн
100+152.74 грн
500+127.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTL datasheet?p=R6015ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.70 грн
10+187.23 грн
100+137.10 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTL datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.53 грн
10+160.12 грн
100+112.18 грн
500+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTL datasheet?p=R6020FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.66 грн
10+205.09 грн
100+150.90 грн
500+119.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTL datasheet?p=R6024ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024ENJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+353.65 грн
10+225.48 грн
100+160.19 грн
500+124.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RAL025P01TCR ral025p01tcr-e
RAL025P01TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL rcd041n25.pdf
RCD041N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL rcd051n20.pdf
RCD051N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD075N19TL rcd075n19.pdf
RCD075N19TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ081N20TL datasheet?p=RCJ081N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ081N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N20TL datasheet?p=RCJ120N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ120N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ120N25TL datasheet?p=RCJ120N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ120N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.84 грн
10+70.02 грн
100+49.15 грн
500+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCJ220N25TL datasheet?p=RCJ220N25&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RCJ220N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.15 грн
10+159.13 грн
100+111.33 грн
500+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C001ZPTL datasheet?p=RE1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C001ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.44 грн
31+10.08 грн
100+6.26 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002UNTCL re1c002untcl-e.pdf
RE1C002UNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 639920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
34+9.16 грн
50+6.52 грн
100+5.31 грн
500+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RE1E002SPTCL datasheet?p=RE1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1E002SPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 24614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.82 грн
26+11.76 грн
100+7.32 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C050APTR datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4C050APTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.50 грн
10+47.42 грн
100+31.03 грн
500+22.50 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RK7002BMT116 datasheet?p=RK7002BM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RK7002BMT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
38+8.09 грн
54+5.74 грн
100+4.67 грн
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RND030N20TL datasheet?p=RND030N20&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RND030N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+44.36 грн
100+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C065UNTR datasheet?p=RQ1C065UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1C065UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.16 грн
10+40.32 грн
100+30.11 грн
500+22.20 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1C075UNTR datasheet?p=RQ1C075UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1C075UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E070BNTB rq3e070bntb-e.pdf
RQ3E070BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 7341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.30 грн
13+25.20 грн
100+15.13 грн
500+13.15 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.58 грн
11+28.25 грн
50+20.59 грн
100+16.98 грн
500+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100BNTB rq3e100bntb-e.pdf
RQ3E100BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 11261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.95 грн
11+29.70 грн
50+21.65 грн
100+17.87 грн
500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120BNTB rq3e120bntb-e.pdf
RQ3E120BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E130BNTB datasheet?p=RQ3E130BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E130BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.23 грн
10+38.33 грн
100+24.80 грн
500+17.81 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150BNTB rq3e150bntb-e.pdf
RQ3E150BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E160ADTB rq3e160adtb-e.pdf
RQ3E160ADTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB rq3e180bntb-e.pdf
RQ3E180BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.82 грн
10+40.62 грн
100+27.39 грн
500+21.25 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 719 720 721 722 723 724 725 726 727 728 729 880 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]