Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105892) > Сторінка 727 з 1765

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 880 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ5E035BNTCL RQ5E035BNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.22 грн
9000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTL RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5H020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.26 грн
6000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL RQ5L015SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050UNTR RQ6C050UNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6C050UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
6000+11.69 грн
9000+11.15 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR RQ6P015SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6P015SP&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.41 грн
9000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL RRF015P03GTL Rohm Semiconductor rrf015p03tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.17 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A045APTCR RT1A045APTCR Rohm Semiconductor RT1A045AP.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR RT1A060APTR Rohm Semiconductor rt1a060aptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR RT1C060UNTR Rohm Semiconductor rt1c060un.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E040RPTR RT1E040RPTR Rohm Semiconductor RT1E040RP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E050RPTR RT1E050RPTR Rohm Semiconductor rt1e050rptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
6000+2.80 грн
9000+2.64 грн
15000+2.30 грн
21000+2.19 грн
30000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCL RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
9000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.34 грн
16000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.62 грн
16000+2.49 грн
24000+2.46 грн
40000+2.22 грн
56000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C001ZPT2L RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.40 грн
24000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.80 грн
16000+5.11 грн
24000+4.87 грн
40000+4.31 грн
56000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C026ZPT2CR RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1C026ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E025RPT2CR RW1E025RPT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E025RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RYE002N05TCL RYE002N05TCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RYE002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Supplier Device Package: EMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZF013P01TL RZF013P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF013P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.80 грн
24000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J11TCR TT8J11TCR Rohm Semiconductor TT8J11.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J13TCR TT8J13TCR Rohm Semiconductor TT8J13.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K11TCR TT8K11TCR Rohm Semiconductor TT8K11.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR TT8K1TR Rohm Semiconductor tt8k1tr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor TT8M1_DS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Rohm Semiconductor TT8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR TT8U2TR Rohm Semiconductor tt8u2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.69 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.81 грн
9000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR VT6J1T2CR Rohm Semiconductor vt6j1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR Rohm Semiconductor vt6k1t2cr-e Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZC8 R6015ANZC8 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8 R6015ENZC8 Rohm Semiconductor r6015enz.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8 R6020ANZC8 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9 R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor TR_UL-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8 R6020ENZC8 Rohm Semiconductor TR_UL-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9 R6024ENZ1C9 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC8 R6024ENZC8 Rohm Semiconductor TO3PF_Inner_Structure.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZC8 R6025ANZC8 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6025ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZ1C9 R6025FNZ1C9 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6025FNZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZC8 R6025FNZC8 Rohm Semiconductor r6025fnz.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ1C9 R6030ENZ1C9 Rohm Semiconductor r6030enz1.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8 R6030ENZC8 Rohm Semiconductor TO3PF_Inner_Structure.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ1C9 R6035ENZ1C9 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6035ENZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8 R6035ENZC8 Rohm Semiconductor TR_UL-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZ1C9 R6046FNZ1C9 Rohm Semiconductor r6046fnz1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.33 грн
10+710.34 грн
100+591.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6047ENZ1C9 R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor TO247_Inner_Structure.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ1C9 R6076ENZ1C9 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6076ENZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5009ANX R5009ANX Rohm Semiconductor R5009ANX Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+102.70 грн
100+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU9794AKV-E2 BU9794AKV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU9794AKV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC DRVR 140 SEGMENT 64VQFP
Current - Supply: 5 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: 140 Segment
Display Type: LCD
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Interface: 3-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.90 грн
2000+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU9794AKV-E2 BU9794AKV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU9794AKV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC DRVR 140 SEGMENT 64VQFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: 140 Segment
Interface: 3-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: LCD
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Supply: 5 µA
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.26 грн
10+188.07 грн
25+177.82 грн
100+144.62 грн
250+137.21 грн
500+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035BNTCL datasheet?p=RQ5E035BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035BNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.22 грн
9000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5H020SPTL datasheet?p=RQ5H020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5H020SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.26 грн
6000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L015SPTL datasheet?p=RQ5L015SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L015SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6C050UNTR datasheet?p=RQ6C050UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6C050UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.24 грн
6000+11.69 грн
9000+11.15 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E035ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR datasheet?p=RQ6P015SP&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RQ6P015SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.41 грн
9000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL rrf015p03tl-e.pdf
RRF015P03GTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.17 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A045APTCR RT1A045AP.pdf
RT1A045APTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR rt1a060aptr-e.pdf
RT1A060APTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR rt1c060un.pdf
RT1C060UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E040RPTR RT1E040RP.pdf
RT1E040RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E050RPTR rt1e050rptr-e.pdf
RT1E050RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.25 грн
6000+2.80 грн
9000+2.64 грн
15000+2.30 грн
21000+2.19 грн
30000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCL datasheet?p=RU1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1E002SPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.84 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1J002YNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.39 грн
9000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+3.34 грн
16000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.62 грн
16000+2.49 грн
24000+2.46 грн
40000+2.22 грн
56000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C001ZPT2L datasheet?p=RV2C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.40 грн
24000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.80 грн
16000+5.11 грн
24000+4.87 грн
40000+4.31 грн
56000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C026ZPT2CR datasheet?p=RW1C026ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1C026ZPT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E025RPT2CR datasheet?p=RW1E025RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E025RPT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RYE002N05TCL datasheet?p=RYE002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYE002N05TCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Supplier Device Package: EMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZF013P01TL datasheet?p=RZF013P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF013P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM001P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.80 грн
24000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J11TCR TT8J11.pdf
TT8J11TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8J13TCR TT8J13.pdf
TT8J13TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K11TCR TT8K11.pdf
TT8K11TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR tt8k1tr-e.pdf
TT8K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
TT8M1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.89 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3.pdf
TT8M3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR tt8u2.pdf
TT8U2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.69 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K34NTCN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.81 грн
9000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR vt6j1.pdf
VT6J1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR vt6k1t2cr-e
VT6K1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VT6M1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZC8 datasheet?p=R6015ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015ANZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8 r6015enz.pdf
R6015ENZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8 datasheet?p=R6020ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020ANZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9 TR_UL-e.pdf
R6020ENZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8 TR_UL-e.pdf
R6020ENZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9 datasheet?p=R6024ENZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024ENZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC8 TO3PF_Inner_Structure.pdf
R6024ENZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZC8 datasheet?p=R6025ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6025ANZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZ1C9 datasheet?p=R6025FNZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6025FNZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZC8 r6025fnz.pdf
R6025FNZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ1C9 r6030enz1.pdf
R6030ENZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8 TO3PF_Inner_Structure.pdf
R6030ENZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZ1C9 datasheet?p=R6035ENZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6035ENZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6035ENZC8 TR_UL-e.pdf
R6035ENZC8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6046FNZ1C9 r6046fnz1-e.pdf
R6046FNZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+860.33 грн
10+710.34 грн
100+591.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6047ENZ1C9 TO247_Inner_Structure.pdf
R6047ENZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 25.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6076ENZ1C9 datasheet?p=R6076ENZ1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6076ENZ1C9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 44.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5009ANX R5009ANX
R5009ANX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.94 грн
10+102.70 грн
100+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU9794AKV-E2 datasheet?p=BU9794AKV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU9794AKV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DRVR 140 SEGMENT 64VQFP
Current - Supply: 5 µA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: 140 Segment
Display Type: LCD
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Interface: 3-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+114.90 грн
2000+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU9794AKV-E2 datasheet?p=BU9794AKV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU9794AKV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DRVR 140 SEGMENT 64VQFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-VQFP (10x10)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: 140 Segment
Interface: 3-Wire Serial
Mounting Type: Surface Mount
Display Type: LCD
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Supply: 5 µA
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.26 грн
10+188.07 грн
25+177.82 грн
100+144.62 грн
250+137.21 грн
500+123.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 722 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 880 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]