Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101621) > Сторінка 728 з 1694

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 733 845 1014 1183 1352 1521 1690 1694  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KDZVTR9.1B KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR10B KDZVTR10B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV10B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 10.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
на замовлення 8972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
17+18.62 грн
100+12.61 грн
500+9.20 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR11B KDZVTR11B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV11B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 11.65V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11.65 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
17+18.70 грн
100+12.75 грн
500+8.96 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR12B KDZVTR12B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV12B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 12.75V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.75 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
17+18.70 грн
100+12.68 грн
500+9.25 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR13B KDZVTR13B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV13B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 14.15V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.15 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.59 грн
15+20.59 грн
100+13.18 грн
500+9.28 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR16B KDZVTR16B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV16B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 17.25V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17.25 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
15+20.89 грн
100+12.57 грн
500+10.92 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR18B KDZVTR18B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV18B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 19.15V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 19.15 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 13 V
на замовлення 31622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
14+22.18 грн
100+15.09 грн
500+10.62 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR20B KDZVTR20B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV20B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 21.2V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 21.2 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 15 V
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.52 грн
17+18.02 грн
100+12.22 грн
500+8.91 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR22B KDZVTR22B Rohm Semiconductor kdzvtr22b-e.pdf Description: DIODE ZENER 23.85V 1W PMDU
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR27B KDZVTR27B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV27B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 28.9V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28.9 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
17+18.78 грн
100+12.71 грн
500+9.27 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR3.6B KDZVTR3.6B Rohm Semiconductor kdzvtr3.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 1W PMDU
на замовлення 9457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR3.9B KDZVTR3.9B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR30B KDZVTR30B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 32V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 32 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 23 V
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.52 грн
14+22.71 грн
100+14.44 грн
500+10.19 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR33B KDZVTR33B Rohm Semiconductor kdzvtr33b-e.pdf Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.3B KDZVTR4.3B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV4.3B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.55V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.55 V
Supplier Device Package: PMDU
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.52 грн
15+20.36 грн
100+12.23 грн
500+10.63 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.7B KDZVTR4.7B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV4.7B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 4.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.1B KDZVTR5.1B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV5.1B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.4 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.6B KDZVTR5.6B Rohm Semiconductor kdzvtr5.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 5.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
на замовлення 6955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
17+18.78 грн
100+12.71 грн
500+9.27 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.2B KDZVTR6.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 17096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
15+20.89 грн
100+12.57 грн
500+10.92 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B KDZVTR6.8B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR7.5B KDZVTR7.5B Rohm Semiconductor kdzvtr7.5b-e.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDU
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR8.2B KDZVTR8.2B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 8.75V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.75 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 5 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
15+20.89 грн
100+13.63 грн
500+10.49 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B KDZVTR6.8B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B KDZVTR9.1B Rohm Semiconductor kdzv10b.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR11B KDZVTR11B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZV11B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 11.65V 1W PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11.65 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 BD63715AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 BD63720AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 BD63715AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.53 грн
10+125.60 грн
25+114.80 грн
100+96.62 грн
250+91.32 грн
500+88.13 грн
1000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 BD63720AEFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.96 грн
10+124.16 грн
25+113.50 грн
100+95.50 грн
250+90.26 грн
500+87.10 грн
1000+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor rq3e100gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.39 грн
6000+11.82 грн
9000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
6000+13.22 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB RS1E130GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB RS1E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB RS1E200GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.69 грн
5000+22.53 грн
7500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTB RS1E320GNTB Rohm Semiconductor rs1e320gntb-e Description: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.17 грн
11+28.47 грн
100+18.28 грн
500+13.04 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.26 грн
10+45.80 грн
100+30.08 грн
500+21.86 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR RF4E080GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.53 грн
11+29.68 грн
100+19.12 грн
500+13.66 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.33 грн
10+43.38 грн
100+28.34 грн
500+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR RF4E110GNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.82 грн
10+33.16 грн
100+21.46 грн
500+15.39 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.17 грн
11+27.86 грн
100+13.82 грн
500+12.68 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB RQ3E100GNTB Rohm Semiconductor rq3e100gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.60 грн
10+33.92 грн
100+21.86 грн
500+15.66 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB RQ3E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.24 грн
10+35.35 грн
100+24.55 грн
500+17.99 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB RQ3E180GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.74 грн
10+38.46 грн
100+26.47 грн
500+20.74 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB RS1E130GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.75 грн
10+35.88 грн
100+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB RS1E150GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.76 грн
10+42.62 грн
100+27.72 грн
500+20.01 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB RS1E200GNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+56.02 грн
100+36.90 грн
500+26.93 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B kdzv10b.pdf
KDZVTR9.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR10B datasheet?p=KDZV10B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR10B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
на замовлення 8972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
17+18.62 грн
100+12.61 грн
500+9.20 грн
1000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR11B datasheet?p=KDZV11B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR11B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11.65V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11.65 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.73 грн
17+18.70 грн
100+12.75 грн
500+8.96 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR12B datasheet?p=KDZV12B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR12B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12.75V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12.75 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 9 V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
17+18.70 грн
100+12.68 грн
500+9.25 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR13B datasheet?p=KDZV13B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR13B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 14.15V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14.15 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
на замовлення 8951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.59 грн
15+20.59 грн
100+13.18 грн
500+9.28 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR16B datasheet?p=KDZV16B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR16B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 17.25V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17.25 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 12 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
15+20.89 грн
100+12.57 грн
500+10.92 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR18B datasheet?p=KDZV18B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR18B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 19.15V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 19.15 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 13 V
на замовлення 31622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
14+22.18 грн
100+15.09 грн
500+10.62 грн
1000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR20B datasheet?p=KDZV20B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR20B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 21.2V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 21.2 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 15 V
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.52 грн
17+18.02 грн
100+12.22 грн
500+8.91 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR22B kdzvtr22b-e.pdf
KDZVTR22B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 23.85V 1W PMDU
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR27B datasheet?p=KDZV27B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR27B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 28.9V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28.9 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 21 V
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
17+18.78 грн
100+12.71 грн
500+9.27 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR3.6B kdzvtr3.6b-e.pdf
KDZVTR3.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 1W PMDU
на замовлення 9457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR3.9B kdzv10b.pdf
KDZVTR3.9B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR30B datasheet?p=KDZV30B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR30B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 32V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 32 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 23 V
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.52 грн
14+22.71 грн
100+14.44 грн
500+10.19 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR33B kdzvtr33b-e.pdf
KDZVTR33B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 1W PMDU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.3B datasheet?p=KDZV4.3B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR4.3B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.55V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.55 V
Supplier Device Package: PMDU
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.52 грн
15+20.36 грн
100+12.23 грн
500+10.63 грн
1000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR4.7B datasheet?p=KDZV4.7B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR4.7B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.1B datasheet?p=KDZV5.1B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR5.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.4 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR5.6B kdzvtr5.6b-e.pdf
KDZVTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.95V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.95 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1.5 V
на замовлення 6955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
17+18.78 грн
100+12.71 грн
500+9.27 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.2B datasheet?p=KDZV6.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.6V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.6 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 3 V
на замовлення 17096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
15+20.89 грн
100+12.57 грн
500+10.92 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B kdzv10b.pdf
KDZVTR6.8B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR7.5B kdzvtr7.5b-e.pdf
KDZVTR7.5B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 1W PMDU
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR8.2B datasheet?p=KDZV8.2B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR8.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.75V 1W PMDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.75 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 5 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.02 грн
15+20.89 грн
100+13.63 грн
500+10.49 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B kdzv10b.pdf
KDZVTR9.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR6.8B kdzv10b.pdf
KDZVTR6.8B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 1W PMDU
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR9.1B kdzv10b.pdf
KDZVTR9.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.1V 1W PMDU
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KDZVTR11B datasheet?p=KDZV11B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZVTR11B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11.65V 1W PMDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11.65 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63715AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63720AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD63715AEFV-E2 datasheet?p=BD63715AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63715AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.5A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.53 грн
10+125.60 грн
25+114.80 грн
100+96.62 грн
250+91.32 грн
500+88.13 грн
1000+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD63720AEFV-E2 datasheet?p=BD63720AEFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63720AEFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 28HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1.2A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 28-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.96 грн
10+124.16 грн
25+113.50 грн
100+95.50 грн
250+90.26 грн
500+87.10 грн
1000+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB rq3e100gntb-e.pdf
RQ3E100GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.39 грн
6000+11.82 грн
9000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.46 грн
6000+13.22 грн
9000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E180GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E130GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E200GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E240GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.69 грн
5000+22.53 грн
7500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTB rs1e320gntb-e
RS1E320GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070BNTR datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E070GNTR datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E070GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.17 грн
11+28.47 грн
100+18.28 грн
500+13.04 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080BNTR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.26 грн
10+45.80 грн
100+30.08 грн
500+21.86 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E080GNTR datasheet?p=RF4E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E080GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.53 грн
11+29.68 грн
100+19.12 грн
500+13.66 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110BNTR datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110BNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+43.38 грн
100+28.34 грн
500+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E110GNTR datasheet?p=RF4E110GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E110GNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 15 V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.82 грн
10+33.16 грн
100+21.46 грн
500+15.39 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E080GNTB datasheet?p=RQ3E080GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.17 грн
11+27.86 грн
100+13.82 грн
500+12.68 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E100GNTB rq3e100gntb-e.pdf
RQ3E100GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E120GNTB datasheet?p=RQ3E120GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 9679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.60 грн
10+33.92 грн
100+21.86 грн
500+15.66 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E150GNTB datasheet?p=RQ3E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V
на замовлення 19165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.24 грн
10+35.35 грн
100+24.55 грн
500+17.99 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTB datasheet?p=RQ3E180GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E180GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.74 грн
10+38.46 грн
100+26.47 грн
500+20.74 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTB datasheet?p=RS1E130GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E130GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.75 грн
10+35.88 грн
100+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTB datasheet?p=RS1E150GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E150GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.76 грн
10+42.62 грн
100+27.72 грн
500+20.01 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTB datasheet?p=RS1E200GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E200GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.77 грн
10+56.02 грн
100+36.90 грн
500+26.93 грн
1000+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 723 724 725 726 727 728 729 730 731 732 733 845 1014 1183 1352 1521 1690 1694  [ Наступна Сторінка >> ]