Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102056) > Сторінка 936 з 1701

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 931 932 933 934 935 936 937 938 939 940 941 1020 1190 1360 1530 1700 1701  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SDR03EZPF13R0 SDR03EZPF13R0 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.56 грн
10000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 SDR03EZPF13R0 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.63 грн
30+11.07 грн
100+4.31 грн
1000+1.69 грн
2500+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 SDR03EZPD4701 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 SDR03EZPD4701 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
20+16.57 грн
100+6.46 грн
1000+2.54 грн
2500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 SDR03EZPD2741 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 SDR03EZPD2741 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
20+16.57 грн
100+6.46 грн
1000+2.54 грн
2500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70HMFHT116 BAV70HMFHT116 Rohm Semiconductor bav70hmfht116-e.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR RB411VAM-50TR Rohm Semiconductor rb411vam-50tr-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR RB411VAM-50TR Rohm Semiconductor rb411vam-50tr-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
13+26.98 грн
100+18.34 грн
500+12.91 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A SML-D13UWT86A Rohm Semiconductor sml-d13x-e.pdf Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A SML-D13UWT86A Rohm Semiconductor sml-d13x-e.pdf Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.73 грн
14+25.01 грн
100+14.38 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.48 грн
10+125.71 грн
100+98.03 грн
500+76.00 грн
1000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.94 грн
30+400.90 грн
120+338.41 грн
510+283.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6035KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.80 грн
10+695.16 грн
100+575.53 грн
500+470.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-40NZC9 RB095T-40NZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB095T-40NZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 6A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.88 грн
50+116.37 грн
100+95.74 грн
500+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-90 RB095T-90 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB095T-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 3A TO220FN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.84 грн
17+19.60 грн
100+7.66 грн
1000+3.01 грн
2500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.25 грн
10+98.00 грн
100+66.31 грн
500+49.49 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+37.47 грн
11+31.00 грн
25+28.93 грн
100+21.72 грн
250+20.16 грн
500+17.06 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.39 грн
10+62.57 грн
100+48.76 грн
500+37.80 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.82 грн
10+79.22 грн
100+61.79 грн
500+47.90 грн
1000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 RBQ10T65ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.27 грн
10+77.58 грн
100+60.52 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.90 грн
10+69.38 грн
100+54.14 грн
500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX R6015FNX Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+59791.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+3.10 грн
9000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.18 грн
31+10.82 грн
100+7.09 грн
500+5.28 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.33 грн
37+9.02 грн
100+5.70 грн
500+3.89 грн
1000+3.47 грн
2000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.16 грн
16000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.40 грн
21+15.66 грн
100+9.23 грн
500+6.95 грн
1000+6.07 грн
2000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+3.10 грн
9000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.59 грн
30+11.15 грн
100+6.86 грн
500+5.06 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.00 грн
10+72.82 грн
100+53.57 грн
500+39.69 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.97 грн
10+72.99 грн
100+56.77 грн
500+45.16 грн
1000+36.79 грн
2000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.30 грн
10+84.47 грн
100+63.94 грн
500+48.93 грн
1000+43.55 грн
2000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.19 грн
10+62.90 грн
100+46.44 грн
500+34.20 грн
1000+31.18 грн
2000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.51 грн
10+107.10 грн
100+73.92 грн
500+55.31 грн
1000+50.78 грн
2000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR UT6J3TCR Rohm Semiconductor ut6j3tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.79 грн
10+45.51 грн
100+29.77 грн
500+21.56 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.68 грн
10000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.48 грн
28+11.81 грн
53+6.25 грн
100+4.35 грн
500+2.63 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 sdr-e.pdf
SDR03EZPF13R0
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.56 грн
10000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 sdr-e.pdf
SDR03EZPF13R0
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.63 грн
30+11.07 грн
100+4.31 грн
1000+1.69 грн
2500+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 sdr-e.pdf
SDR03EZPD4701
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 sdr-e.pdf
SDR03EZPD4701
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.44 грн
20+16.57 грн
100+6.46 грн
1000+2.54 грн
2500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2741
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2741
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.44 грн
20+16.57 грн
100+6.46 грн
1000+2.54 грн
2500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70HMFHT116 bav70hmfht116-e.pdf
BAV70HMFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR rb411vam-50tr-e.pdf
RB411VAM-50TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR rb411vam-50tr-e.pdf
RB411VAM-50TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.92 грн
13+26.98 грн
100+18.34 грн
500+12.91 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A sml-d13x-e.pdf
SML-D13UWT86A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A sml-d13x-e.pdf
SML-D13UWT86A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.73 грн
14+25.01 грн
100+14.38 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.48 грн
10+125.71 грн
100+98.03 грн
500+76.00 грн
1000+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.94 грн
30+400.90 грн
120+338.41 грн
510+283.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13 datasheet?p=R6035KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.80 грн
10+695.16 грн
100+575.53 грн
500+470.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-40NZC9 datasheet?p=RB095T-40NZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB095T-40NZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 6A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.88 грн
50+116.37 грн
100+95.74 грн
500+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-90 datasheet?p=RB095T-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB095T-90
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 3A TO220FN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.84 грн
17+19.60 грн
100+7.66 грн
1000+3.01 грн
2500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.25 грн
10+98.00 грн
100+66.31 грн
500+49.49 грн
1000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.47 грн
11+31.00 грн
25+28.93 грн
100+21.72 грн
250+20.16 грн
500+17.06 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.39 грн
10+62.57 грн
100+48.76 грн
500+37.80 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T45ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.82 грн
10+79.22 грн
100+61.79 грн
500+47.90 грн
1000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T65ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.27 грн
10+77.58 грн
100+60.52 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.90 грн
10+69.38 грн
100+54.14 грн
500+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM300C12P3E201
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+59791.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.40 грн
6000+3.10 грн
9000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.18 грн
31+10.82 грн
100+7.09 грн
500+5.28 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.33 грн
37+9.02 грн
100+5.70 грн
500+3.89 грн
1000+3.47 грн
2000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.16 грн
16000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.40 грн
21+15.66 грн
100+9.23 грн
500+6.95 грн
1000+6.07 грн
2000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.40 грн
6000+3.10 грн
9000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.59 грн
30+11.15 грн
100+6.86 грн
500+5.06 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+72.82 грн
100+53.57 грн
500+39.69 грн
1000+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
10+72.99 грн
100+56.77 грн
500+45.16 грн
1000+36.79 грн
2000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.30 грн
10+84.47 грн
100+63.94 грн
500+48.93 грн
1000+43.55 грн
2000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.19 грн
10+62.90 грн
100+46.44 грн
500+34.20 грн
1000+31.18 грн
2000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.51 грн
10+107.10 грн
100+73.92 грн
500+55.31 грн
1000+50.78 грн
2000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR ut6j3tcr-e.pdf
UT6J3TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.79 грн
10+45.51 грн
100+29.77 грн
500+21.56 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.68 грн
10000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.48 грн
28+11.81 грн
53+6.25 грн
100+4.35 грн
500+2.63 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 931 932 933 934 935 936 937 938 939 940 941 1020 1190 1360 1530 1700 1701  [ Наступна Сторінка >> ]