Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102285) > Сторінка 948 з 1705

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 943 944 945 946 947 948 949 950 951 952 953 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
11+28.97 грн
25+27.04 грн
100+20.30 грн
250+18.84 грн
500+15.94 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+58.47 грн
100+45.57 грн
500+35.33 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+74.03 грн
100+57.74 грн
500+44.76 грн
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 RBQ10T65ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.51 грн
50+59.62 грн
100+53.21 грн
500+39.40 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.36 грн
10+72.50 грн
100+56.56 грн
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.60 грн
10+64.83 грн
100+50.59 грн
500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX R6015FNX Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55874.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+3.16 грн
9000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 15156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
28+11.04 грн
100+6.05 грн
500+4.90 грн
1000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA VMN2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA VMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 21682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
38+8.28 грн
100+4.78 грн
500+3.59 грн
1000+3.25 грн
2000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.47 грн
16000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
20+15.94 грн
100+8.09 грн
500+6.46 грн
1000+5.75 грн
2000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+2.87 грн
9000+2.71 грн
15000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 20347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
30+10.27 грн
100+5.82 грн
500+4.64 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+67.13 грн
100+52.23 грн
500+41.55 грн
1000+33.85 грн
2000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.95 грн
10+68.20 грн
100+53.05 грн
500+42.20 грн
1000+34.38 грн
2000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+78.93 грн
100+59.75 грн
500+45.72 грн
1000+40.69 грн
2000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+55.25 грн
100+42.98 грн
500+34.18 грн
1000+27.85 грн
2000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.80 грн
10+100.08 грн
100+69.08 грн
500+51.68 грн
1000+47.45 грн
2000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR UT6J3TCR Rohm Semiconductor ut6j3tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+47.21 грн
100+30.84 грн
500+22.33 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.57 грн
10000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 SFR10EZPF1001 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.53 грн
28+11.04 грн
53+5.84 грн
100+4.06 грн
500+2.46 грн
1000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 RD3P130SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.75 грн
10+124.22 грн
100+85.19 грн
500+64.27 грн
1000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB161SS-207HFT2R Rohm Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A KMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: KMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 BU7233SF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: CMOS, Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Supplier Device Package: 8-SOP
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Current - Quiescent (Max): 25µA
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.34 грн
5000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 BU7233SF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: CMOS, Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Supplier Device Package: 8-SOP
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Current - Quiescent (Max): 25µA
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.25 грн
10+85.52 грн
25+71.85 грн
100+52.91 грн
250+45.78 грн
500+41.39 грн
1000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL DTC114TE3HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
14+23.37 грн
100+13.23 грн
500+8.22 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.93 грн
10+329.91 грн
100+240.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13 RGWS80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWS80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.52 грн
30+199.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65DHRC11 RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.17 грн
30+389.43 грн
120+329.15 грн
510+277.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 RGSX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.17 грн
30+412.85 грн
120+382.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 RGWS00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.09 грн
30+308.09 грн
120+258.61 грн
510+210.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 RGTH00TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.48 грн
10+363.01 грн
100+265.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 RGWX5TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.37 грн
30+281.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 RGT80TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.24 грн
10+400.33 грн
100+397.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT00TS65DGC13 RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor rgt00ts65dgc13-e.pdf Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 RGTH50TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.51 грн
10+208.14 грн
100+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13 RGT40TS65DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.93 грн
30+317.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 RGWX5TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.41 грн
10+375.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 RGW00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.37 грн
10+305.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 RGW80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.57 грн
10+277.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor rgt50ts65d-e.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1503 SFR18EZPF1503 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 150K OHM 1% 1/4W 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 150 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
11+28.97 грн
25+27.04 грн
100+20.30 грн
250+18.84 грн
500+15.94 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.64 грн
10+58.47 грн
100+45.57 грн
500+35.33 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T45ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+74.03 грн
100+57.74 грн
500+44.76 грн
1000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T65ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
50+59.62 грн
100+53.21 грн
500+39.40 грн
1000+36.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+72.50 грн
100+56.56 грн
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+64.83 грн
100+50.59 грн
500+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM300C12P3E201
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55874.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.47 грн
6000+3.16 грн
9000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 15156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
28+11.04 грн
100+6.05 грн
500+4.90 грн
1000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA VMN2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA VMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 21682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
38+8.28 грн
100+4.78 грн
500+3.59 грн
1000+3.25 грн
2000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.47 грн
16000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
20+15.94 грн
100+8.09 грн
500+6.46 грн
1000+5.75 грн
2000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.16 грн
6000+2.87 грн
9000+2.71 грн
15000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 20347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
30+10.27 грн
100+5.82 грн
500+4.64 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
10+67.13 грн
100+52.23 грн
500+41.55 грн
1000+33.85 грн
2000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.95 грн
10+68.20 грн
100+53.05 грн
500+42.20 грн
1000+34.38 грн
2000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+78.93 грн
100+59.75 грн
500+45.72 грн
1000+40.69 грн
2000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 5A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+55.25 грн
100+42.98 грн
500+34.18 грн
1000+27.85 грн
2000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.80 грн
10+100.08 грн
100+69.08 грн
500+51.68 грн
1000+47.45 грн
2000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR ut6j3tcr-e.pdf
UT6J3TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+47.21 грн
100+30.84 грн
500+22.33 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.57 грн
10000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR10EZPF1001 sfr-e.pdf
SFR10EZPF1001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 1 KOHM 1% 1/8W 0805
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 1 kOhms
на замовлення 18626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
28+11.04 грн
53+5.84 грн
100+4.06 грн
500+2.46 грн
1000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P130SPTL1 datasheet?p=RD3P130SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P130SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.75 грн
10+124.22 грн
100+85.19 грн
500+64.27 грн
1000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB161SS-207HFT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A KMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: KMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU7233SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: CMOS, Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Supplier Device Package: 8-SOP
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Current - Quiescent (Max): 25µA
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.34 грн
5000+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BU7233SF-E2 datasheet?p=BU7233SF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU7233SF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 2 CMOS 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: CMOS, Open-Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 1.8V ~ 5.5V, ±0.9V ~ 2.75V
Supplier Device Package: 8-SOP
Propagation Delay (Max): 1.8µs
Current - Quiescent (Max): 25µA
Voltage - Input Offset (Max): 11mV @ 3V
Current - Input Bias (Max): 1pA @ 3V
Current - Output (Typ): 6mA @ 3V
CMRR, PSRR (Typ): 80dB CMRR, 80dB PSRR
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
10+85.52 грн
25+71.85 грн
100+52.91 грн
250+45.78 грн
500+41.39 грн
1000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TE3HZGTL datasheet?p=DTC114TE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114TE3HZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
14+23.37 грн
100+13.23 грн
500+8.22 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.93 грн
10+329.91 грн
100+240.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13 datasheet?p=RGWS80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWS80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.52 грн
30+199.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGS80TS65DHRC11 datasheet?p=RGS80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS80TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 272 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.17 грн
30+389.43 грн
120+329.15 грн
510+277.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGSX5TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/113ns
Switching Energy: 3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 114 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 404 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.17 грн
30+412.85 грн
120+382.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWS00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+553.09 грн
30+308.09 грн
120+258.61 грн
510+210.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 277 W
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.48 грн
10+363.01 грн
100+265.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.37 грн
30+281.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT80TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.24 грн
10+400.33 грн
100+397.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT00TS65DGC13 rgt00ts65dgc13-e.pdf
RGT00TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH50TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/94ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.51 грн
10+208.14 грн
100+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13 datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40TS65DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.93 грн
30+317.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.41 грн
10+375.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW00TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.37 грн
10+305.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGW80TS65DHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.57 грн
10+277.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11 rgt50ts65d-e.pdf
RGT50TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1503 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1503
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 150K OHM 1% 1/4W 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 150 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 943 944 945 946 947 948 949 950 951 952 953 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]