Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102577) > Сторінка 946 з 1710

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 941 942 943 944 945 946 947 948 949 950 951 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SDR03EZPJ243 SDR03EZPJ243 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 kOhms
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.94 грн
44+7.03 грн
81+3.78 грн
113+2.54 грн
500+1.57 грн
1000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 SDR03EZPF13R0 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.45 грн
10000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 SDR03EZPF13R0 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
30+10.32 грн
100+4.01 грн
1000+1.58 грн
2500+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 SDR03EZPD4701 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 SDR03EZPD4701 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
20+15.44 грн
100+6.02 грн
1000+2.37 грн
2500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 SDR03EZPD2741 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 SDR03EZPD2741 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.05 грн
20+15.44 грн
100+6.02 грн
1000+2.37 грн
2500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70HMFHT116 BAV70HMFHT116 Rohm Semiconductor bav70hmfht116-e.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR RB411VAM-50TR Rohm Semiconductor rb411vam-50tr-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR RB411VAM-50TR Rohm Semiconductor rb411vam-50tr-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
13+25.15 грн
100+17.09 грн
500+12.03 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A SML-D13UWT86A Rohm Semiconductor sml-d13x-e.pdf Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A SML-D13UWT86A Rohm Semiconductor sml-d13x-e.pdf Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
14+23.32 грн
100+13.41 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.55 грн
10+117.20 грн
100+91.39 грн
500+70.85 грн
1000+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 R6030KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.69 грн
30+373.73 грн
120+315.48 грн
510+264.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6035KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.67 грн
10+648.06 грн
100+536.53 грн
500+438.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-40NZC9 RB095T-40NZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB095T-40NZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 6A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.72 грн
50+108.48 грн
100+89.25 грн
500+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-90 RB095T-90 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB095T-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 3A TO220FN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ104 SDR10EZPJ104 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 5% 1/2W 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ104 SDR10EZPJ104 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 5% 1/2W 0805
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.26 грн
21+15.14 грн
100+5.92 грн
1000+2.33 грн
2500+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.23 грн
17+18.27 грн
100+7.14 грн
1000+2.81 грн
2500+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL RB085BGE-30TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.46 грн
10+91.36 грн
100+61.82 грн
500+46.14 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR BD4958G-TR Rohm Semiconductor bd48xxg-e.pdf Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
11+28.90 грн
25+26.97 грн
100+20.25 грн
250+18.80 грн
500+15.90 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL RBQ10BM65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.48 грн
10+58.33 грн
100+45.46 грн
500+35.24 грн
1000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+73.85 грн
100+57.60 грн
500+44.65 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 RBQ10T65ANZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.20 грн
50+59.48 грн
100+53.09 грн
500+39.30 грн
1000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL RBQ10NS45ATL Rohm Semiconductor rbq10ns45atl-e.pdf Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.15 грн
10+72.32 грн
100+56.42 грн
500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL RBQ10NS65AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL RBQ10NS65ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL RBQ10NS45AFHTL Rohm Semiconductor rbq10ns45afhtl-e.pdf Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.42 грн
10+64.68 грн
100+50.47 грн
500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL R6015FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX R6015FNX Rohm Semiconductor datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55739.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 RB521VM-30TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.08 грн
31+10.09 грн
100+6.61 грн
500+4.92 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R RB521CM-40T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.29 грн
37+8.41 грн
100+5.31 грн
500+3.63 грн
1000+3.24 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.88 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA RB521CS-30FHT2RA Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.61 грн
21+14.60 грн
100+8.61 грн
500+6.48 грн
1000+5.66 грн
2000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 RB521VM-40TE-17 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.26 грн
30+10.40 грн
100+6.40 грн
500+4.72 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 RB078RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.62 грн
10+67.89 грн
100+49.94 грн
500+37.00 грн
1000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 RB048RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+68.04 грн
100+52.93 грн
500+42.10 грн
1000+34.29 грн
2000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 RB088RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.03 грн
10+78.74 грн
100+59.61 грн
500+45.61 грн
1000+40.60 грн
2000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 RB078RSM10STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.27 грн
10+58.64 грн
100+43.29 грн
500+31.88 грн
1000+29.07 грн
2000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 RB088RSM10STFTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.43 грн
10+99.84 грн
100+68.91 грн
500+51.56 грн
1000+47.34 грн
2000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR UT6J3TCR Rohm Semiconductor ut6j3tcr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.24 грн
10+43.19 грн
100+28.25 грн
500+20.46 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ243 sdr-e.pdf
SDR03EZPJ243
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 kOhms
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.94 грн
44+7.03 грн
81+3.78 грн
113+2.54 грн
500+1.57 грн
1000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 sdr-e.pdf
SDR03EZPF13R0
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.45 грн
10000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF13R0 sdr-e.pdf
SDR03EZPF13R0
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
30+10.32 грн
100+4.01 грн
1000+1.58 грн
2500+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 sdr-e.pdf
SDR03EZPD4701
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD4701 sdr-e.pdf
SDR03EZPD4701
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
20+15.44 грн
100+6.02 грн
1000+2.37 грн
2500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2741
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2741
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.05 грн
20+15.44 грн
100+6.02 грн
1000+2.37 грн
2500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70HMFHT116 bav70hmfht116-e.pdf
BAV70HMFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR rb411vam-50tr-e.pdf
RB411VAM-50TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB411VAM-50TR rb411vam-50tr-e.pdf
RB411VAM-50TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA TUMD2M
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
13+25.15 грн
100+17.09 грн
500+12.03 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A sml-d13x-e.pdf
SML-D13UWT86A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SML-D13UWT86A sml-d13x-e.pdf
SML-D13UWT86A
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MINI-MOLD CHIP LED: ROHM'S CHIP
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
14+23.32 грн
100+13.41 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3H160SPTL1 datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3H160SPTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.55 грн
10+117.20 грн
100+91.39 грн
500+70.85 грн
1000+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13 datasheet?p=R6030KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNZ4C13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.69 грн
30+373.73 грн
120+315.48 грн
510+264.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6035KNZ4C13 datasheet?p=R6035KNZ4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.67 грн
10+648.06 грн
100+536.53 грн
500+438.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-40NZC9 datasheet?p=RB095T-40NZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB095T-40NZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 6A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
50+108.48 грн
100+89.25 грн
500+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RB095T-90 datasheet?p=RB095T-90&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB095T-90
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 90V 3A TO220FN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 90 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ104 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ104
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 5% 1/2W 0805
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ104 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ104
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 5% 1/2W 0805
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 100 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
21+15.14 грн
100+5.92 грн
1000+2.33 грн
2500+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF1003 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 100K OHM 1% 1/2W 0805
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
17+18.27 грн
100+7.14 грн
1000+2.81 грн
2500+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB085BGE-30TL datasheet?p=RB085BGE-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB085BGE-30TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.46 грн
10+91.36 грн
100+61.82 грн
500+46.14 грн
1000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD4958G-TR bd48xxg-e.pdf
BD4958G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RESET CMOS 5.8V 5SSOP
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
11+28.90 грн
25+26.97 грн
100+20.25 грн
250+18.80 грн
500+15.90 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10BM65AFHTL datasheet?p=RBQ10BM65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10BM65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 65 V
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.48 грн
10+58.33 грн
100+45.46 грн
500+35.24 грн
1000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T45ANZC9 datasheet?p=RBQ10T45ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T45ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RBQ10T45ANZ IS LOW IR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 45 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+73.85 грн
100+57.60 грн
500+44.65 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10T65ANZC9 datasheet?p=RBQ10T65ANZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10T65ANZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 65V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.20 грн
50+59.48 грн
100+53.09 грн
500+39.30 грн
1000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45ATL rbq10ns45atl-e.pdf
RBQ10NS45ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SCHOTTKY BARRIER DIODE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.15 грн
10+72.32 грн
100+56.42 грн
500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65AFHTL datasheet?p=RBQ10NS65AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS65ATL datasheet?p=RBQ10NS65A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ10NS65ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 65V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 65 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ10NS45AFHTL rbq10ns45afhtl-e.pdf
RBQ10NS45AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.42 грн
10+64.68 грн
100+50.47 грн
500+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTL datasheet?p=R6015FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNX datasheet?p=R6015FNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6015FNX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201 datasheet?p=BSM300C12P3E201&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM300C12P3E201
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55739.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-30TE-17 datasheet?p=RB521VM-30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-30TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
31+10.09 грн
100+6.61 грн
500+4.92 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CM-40T2R datasheet?p=RB521CM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CM-40T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 100MAVMN2M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2M (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 610 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 23436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
37+8.41 грн
100+5.31 грн
500+3.63 грн
1000+3.24 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.88 грн
16000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521CS-30FHT2RA datasheet?p=RB521CS-30FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521CS-30FHT2RA
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MAVMN2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: VMN2 (SOD-923)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
21+14.60 грн
100+8.61 грн
500+6.48 грн
1000+5.66 грн
2000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.17 грн
6000+2.89 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RB521VM-40TE-17 datasheet?p=RB521VM-40&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB521VM-40TE-17
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: UMD2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 40 V
на замовлення 9399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
30+10.40 грн
100+6.40 грн
500+4.72 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STFTL1 datasheet?p=RB078RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
10+67.89 грн
100+49.94 грн
500+37.00 грн
1000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB048RSM10STL1 datasheet?p=RB048RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB048RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 100V 8A, TO-277GE, ULTRA LOW IR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.4 µA @ 100 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+68.04 грн
100+52.93 грн
500+42.10 грн
1000+34.29 грн
2000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STL1 datasheet?p=RB088RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.03 грн
10+78.74 грн
100+59.61 грн
500+45.61 грн
1000+40.60 грн
2000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB078RSM10STL1 datasheet?p=RB078RSM10S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB078RSM10STL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3 µA @ 100 V
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+58.64 грн
100+43.29 грн
500+31.88 грн
1000+29.07 грн
2000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB088RSM10STFTL1 datasheet?p=RB088RSM10STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088RSM10STFTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.7 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.43 грн
10+99.84 грн
100+68.91 грн
500+51.56 грн
1000+47.34 грн
2000+43.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6J3TCR ut6j3tcr-e.pdf
UT6J3TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.24 грн
10+43.19 грн
100+28.25 грн
500+20.46 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 855 941 942 943 944 945 946 947 948 949 950 951 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]