| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RSH070P05GZETB | ROHM |
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RS1L151ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RSQ015P10FRATR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RSQ025P03HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RSQ025P03HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RD3P06BBKHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 76W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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KTR03EZPF8202 | ROHM |
Description: ROHM - KTR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 82kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: KTR Series productTraceability: No Nennspannung: 350V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR03EZPF8202 | ROHM |
Description: ROHM - ESR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 82kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: ESR Series productTraceability: No Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25A1MFJ-3MGE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423255 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25A1MFJ-3MGE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423255 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR93G46NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 1Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR93G76NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 8Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR93G76NUX-3TTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G76NUX-3TTR - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 8Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR93G86NUX-3TTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR93G46NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 1Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR93G86NUX-3TTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR93G76NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 8Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G640NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G1MFJ-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25G1MFJ-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G128FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G128NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25G128FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25G320NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25G640FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G320NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G640FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25G1MF-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G128NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BR25G1MF-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BR25G640NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR03EZPF2203 | ROHM |
Description: ROHM - ESR03EZPF2203 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz isCanonical: Y Widerstand: 220kohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: ESR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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VS4V5BU1QST18R | ROHM |
Description: ROHM - VS4V5BU1QST18R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.5 V, 12 V, DSN1006tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DSN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 5.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 6.5V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SDR03EZPF1503 | ROHM |
Description: ROHM - SDR03EZPF1503 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 150 kohm, ± 1%, 300 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 300mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz isCanonical: N Widerstand: 150kohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Produktpalette: SDR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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RSQ015N06TR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.29 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RSQ015N06TR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.29 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RGW60NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 67A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RGW50NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 165W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW50NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 165W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RGW40NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 48A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW80NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 83A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RGW40NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 48A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RGW60NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 67A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW80NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 83A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGWS60TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 51A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 214W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 78A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW50NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 165W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW40NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 48A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW60NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 67A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW80TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 214W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 78A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW50NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 165W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BD34302EKV-E2 | ROHM |
Description: ROHM - BD34302EKV-E2 - D/A-Wandler, 2 Kanäle, 32 bit, 2-Draht, DSD, PCM, 5.5 V, 4.5 V, 2 Kanäle, StromtariffCode: 85423990 Ausgang: Strom euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: HTQFPBV Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Auflösung: 32bit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: Dual 32-Bit Current Output DACs productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 4.5V Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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BD34302EKV-E2 | ROHM |
Description: ROHM - BD34302EKV-E2 - D/A-Wandler, 2 Kanäle, 32 bit, 2-Draht, DSD, PCM, 5.5 V, 4.5 V, 2 Kanäle, StromtariffCode: 85423990 Ausgang: Strom euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.4V bis 1.6V, 3V bis 3.6V, 4.5V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: HTQFPBV Bauform - ADC / DAC: HTQFPBV Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 5.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM Auflösung: 32bit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: Dual 32-Bit Current Output DACs productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 4.5V Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RFN10RSM2STL1 | ROHM |
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 nstariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 44ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 130A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 960mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RFN10RSM2STFTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 nstariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 44ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RFN10RSM2STFTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 44ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RFN10RSM2STL1 | ROHM |
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 130A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 960mV Sperrverzögerungszeit: 44ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DTC124TU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC124TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC124T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DTC124TU3HZGT106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC124TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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DTC124TU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - DTC124TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RSH070P05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RS1L151ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSQ015P10FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSQ025P03HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RSQ025P03HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RD3P06BBKHRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KTR03EZPF8202 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: KTR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - KTR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: KTR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESR03EZPF8202 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25A1MFJ-3MGE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25A1MFJ-3MGE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G46NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G76NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G76NUX-3TTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G76NUX-3TTR - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - BR93G76NUX-3TTR - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G86NUX-3TTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G46NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G86NUX-3TTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR93G76NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G640NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G1MFJ-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G1MFJ-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G128FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G128NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G128FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G320NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G640FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G320NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G640FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G1MF-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G128NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G1MF-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BR25G640NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESR03EZPF2203 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR03EZPF2203 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
isCanonical: Y
Widerstand: 220kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
Description: ROHM - ESR03EZPF2203 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
isCanonical: Y
Widerstand: 220kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VS4V5BU1QST18R |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VS4V5BU1QST18R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.5 V, 12 V, DSN1006
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - VS4V5BU1QST18R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.5 V, 12 V, DSN1006
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SDR03EZPF1503 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SDR03EZPF1503 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 150 kohm, ± 1%, 300 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 300mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
isCanonical: N
Widerstand: 150kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produktpalette: SDR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
Description: ROHM - SDR03EZPF1503 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 150 kohm, ± 1%, 300 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 300mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
isCanonical: N
Widerstand: 150kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produktpalette: SDR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSQ015N06TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.29 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.29 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSQ015N06TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.29 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.29 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW60NL65HRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW50NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW50NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW40NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW80NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW40NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW60NL65HRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW80NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGWS60TS65GC13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW80TS65DGC13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW50NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW40NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW60NL65DHRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW80TS65GC13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW50NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD34302EKV-E2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD34302EKV-E2 - D/A-Wandler, 2 Kanäle, 32 bit, 2-Draht, DSD, PCM, 5.5 V, 4.5 V, 2 Kanäle, Strom
tariffCode: 85423990
Ausgang: Strom
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTQFPBV
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Auflösung: 32bit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: Dual 32-Bit Current Output DACs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ROHM - BD34302EKV-E2 - D/A-Wandler, 2 Kanäle, 32 bit, 2-Draht, DSD, PCM, 5.5 V, 4.5 V, 2 Kanäle, Strom
tariffCode: 85423990
Ausgang: Strom
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: HTQFPBV
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Auflösung: 32bit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: Dual 32-Bit Current Output DACs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BD34302EKV-E2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD34302EKV-E2 - D/A-Wandler, 2 Kanäle, 32 bit, 2-Draht, DSD, PCM, 5.5 V, 4.5 V, 2 Kanäle, Strom
tariffCode: 85423990
Ausgang: Strom
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.4V bis 1.6V, 3V bis 3.6V, 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTQFPBV
Bauform - ADC / DAC: HTQFPBV
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM
Auflösung: 32bit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: Dual 32-Bit Current Output DACs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ROHM - BD34302EKV-E2 - D/A-Wandler, 2 Kanäle, 32 bit, 2-Draht, DSD, PCM, 5.5 V, 4.5 V, 2 Kanäle, Strom
tariffCode: 85423990
Ausgang: Strom
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.4V bis 1.6V, 3V bis 3.6V, 4.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: HTQFPBV
Bauform - ADC / DAC: HTQFPBV
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM
Auflösung: 32bit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: Dual 32-Bit Current Output DACs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 4.5V
Schnittstellen: 2-Draht, DSD, PCM
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFN10RSM2STL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 44ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 130A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 960mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 44ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 130A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 960mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFN10RSM2STFTL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFN10RSM2STFTL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RFN10RSM2STFTL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RFN10RSM2STL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC124TU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC124TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC124T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC124TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC124T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC124TU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC124TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: ROHM - DTC124TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC124TU3T106 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC124TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - DTC124TU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





















