Результат пошуку "IRF5210" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF5210PBF IRF5210PBF
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар
IR irf5210pbf-221443.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
  • 153 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 JSMSEMI description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
100+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.31 грн
10+113.22 грн
25+101.48 грн
50+93.93 грн
100+85.54 грн
500+67.93 грн
1000+60.38 грн
2000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.84 грн
89+159.48 грн
163+86.92 грн
165+82.98 грн
500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+167.64 грн
50+129.55 грн
100+110.06 грн
500+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 74637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+126.01 грн
184+77.25 грн
185+76.48 грн
500+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 74645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.37 грн
10+125.72 грн
50+77.07 грн
100+73.58 грн
500+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineon_irf5210_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.84 грн
10+159.48 грн
50+86.92 грн
100+82.98 грн
500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S IRF5210S MULTICOMP PRO 4419348.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S IRF5210S MULTICOMP PRO 4419348.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CN CHIPNOBO Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.08 грн
5+145.09 грн
10+127.47 грн
25+106.51 грн
50+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+261.84 грн
78+181.39 грн
79+179.58 грн
99+137.91 грн
109+116.20 грн
250+110.43 грн
500+87.08 грн
1600+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.64 грн
10+182.04 грн
25+140.18 грн
100+122.05 грн
250+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 26829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.84 грн
10+181.39 грн
25+179.58 грн
50+137.91 грн
100+116.20 грн
250+110.43 грн
500+87.08 грн
1600+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.40 грн
1600+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.19 грн
1600+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+276.64 грн
78+182.04 грн
101+140.18 грн
112+122.05 грн
250+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF International Rectifier HiRel Products irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e IRF5210STRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR IR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
IR irf5210-datasheet.pdf description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e description Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
IR irf5210spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 International Rectifier/Infineon IRF5210.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210L IRF5210L Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF IRF5210LPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e description Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF International Rectifier/Infineon irf5210pbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF Infineon Technologies infineonirf5210datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR IRF5210STRR Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf description TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF International Rectifier irf5210pbf.pdf MOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF International Rectifier irf5210spbf.pdf P-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210S AUIRF5210S Infineon Technologies AUIRF5210S.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL AUIRF5210STRL Infineon Technologies auirf5210s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd8ce13c3 Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF
Код товару: 113380
1 Додати до обраних Обраний товар
irf5210pbf-221443.pdf
IRF5210PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності: 186 шт
  • 153 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+93.00 грн
10+88.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: JSMSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.31 грн
10+113.22 грн
25+101.48 грн
50+93.93 грн
100+85.54 грн
500+67.93 грн
1000+60.38 грн
2000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+270.84 грн
89+159.48 грн
163+86.92 грн
165+82.98 грн
500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.71 грн
10+167.64 грн
50+129.55 грн
100+110.06 грн
500+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 74637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+126.01 грн
184+77.25 грн
185+76.48 грн
500+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 74645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.37 грн
10+125.72 грн
50+77.07 грн
100+73.58 грн
500+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineon_irf5210_datasheet_en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
на замовлення 15246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+270.84 грн
10+159.48 грн
50+86.92 грн
100+82.98 грн
500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF INFN-S-A0012838248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S 4419348.pdf
IRF5210S
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210S 4419348.pdf
IRF5210S
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRL-CN
Виробник: CHIPNOBO
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+195.08 грн
5+145.09 грн
10+127.47 грн
25+106.51 грн
50+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+261.84 грн
78+181.39 грн
79+179.58 грн
99+137.91 грн
109+116.20 грн
250+110.43 грн
500+87.08 грн
1600+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+276.64 грн
10+182.04 грн
25+140.18 грн
100+122.05 грн
250+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 26829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+261.84 грн
10+181.39 грн
25+179.58 грн
50+137.91 грн
100+116.20 грн
250+110.43 грн
500+87.08 грн
1600+78.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+89.40 грн
1600+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+89.19 грн
1600+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 17210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+276.64 грн
78+182.04 грн
101+140.18 грн
112+122.05 грн
250+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF5210STRRPBF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: IR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210
Код товару: 21990
Додати до обраних Обраний товар
description irf5210-datasheet.pdf
IRF5210
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.50 грн
10+33.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF
Код товару: 85148
Додати до обраних Обраний товар
description irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF
Код товару: 37137
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf-datasheet.pdf
IRF5210SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2780/150
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795
Додати до обраних Обраний товар
irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210 description IRF5210.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210L irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF infineonirf5210datasheetv0101en.pdf
IRF5210PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRR irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210LPBF description irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210SPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
Виробник: International Rectifier
P-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
Виробник: International Rectifier
P-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210S AUIRF5210S.pdf
AUIRF5210S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRL auirf5210s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd8ce13c3
AUIRF5210STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]