Результат пошуку "IRF630" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 243 шт
168 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.39 грн
10+57.24 грн
29+32.53 грн
79+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.67 грн
10+71.33 грн
29+39.04 грн
79+36.86 грн
5000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.69 грн
10+53.61 грн
100+44.72 грн
500+39.49 грн
1000+37.75 грн
2000+34.41 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+100.95 грн
500+90.86 грн
1000+83.79 грн
10000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+41.30 грн
297+41.01 грн
313+38.89 грн
500+34.49 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.50 грн
14+61.99 грн
100+57.73 грн
500+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+44.40 грн
50+44.08 грн
100+41.80 грн
500+37.07 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+100.95 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+100.95 грн
500+90.86 грн
1000+83.79 грн
10000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 ON Semiconductor IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+45.70 грн
1000+42.16 грн
10000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 ON Semiconductor IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+45.70 грн
1000+42.16 грн
10000+37.58 грн
100000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.78 грн
10+63.64 грн
25+50.93 грн
39+23.84 грн
107+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.93 грн
10+79.30 грн
25+61.11 грн
39+28.61 грн
107+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
491+24.76 грн
493+24.66 грн
512+23.74 грн
519+22.57 грн
1000+20.40 грн
2000+19.55 грн
5000+18.88 грн
10000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.94 грн
19+46.00 грн
100+40.90 грн
500+36.32 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
546+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 546
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF630N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.35 грн
10+41.32 грн
100+30.93 грн
500+29.64 грн
1000+28.20 грн
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.62 грн
50+26.50 грн
100+25.52 грн
500+24.26 грн
1000+21.92 грн
2000+21.02 грн
5000+20.29 грн
10000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.57 грн
9+47.53 грн
25+41.93 грн
26+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.69 грн
5+59.23 грн
25+50.31 грн
26+43.87 грн
70+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.22 грн
10+49.98 грн
34+27.71 грн
93+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.47 грн
10+62.28 грн
34+33.26 грн
93+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.37 грн
16+56.37 грн
100+56.20 грн
500+50.77 грн
1000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+44.89 грн
275+44.18 грн
500+43.47 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.48 грн
173+70.19 грн
250+67.37 грн
500+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.55 грн
10+46.11 грн
100+39.19 грн
500+38.88 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.50 грн
15+48.24 грн
100+47.48 грн
500+45.05 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.61 грн
10+43.32 грн
100+36.99 грн
500+36.31 грн
1000+35.32 грн
2000+34.72 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.17 грн
23+40.50 грн
63+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.61 грн
23+50.47 грн
63+46.05 грн
1000+44.44 грн
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+70.72 грн
174+69.96 грн
178+68.31 грн
500+58.46 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.16 грн
10+77.93 грн
100+59.58 грн
500+51.47 грн
1000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+80.89 грн
155+78.84 грн
500+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+86.95 грн
100+84.74 грн
500+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.77 грн
50+74.95 грн
100+73.19 грн
500+62.63 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.22 грн
10+105.47 грн
100+69.73 грн
500+61.47 грн
800+48.66 грн
2400+46.77 грн
4800+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.06 грн
10+109.83 грн
100+69.73 грн
800+52.60 грн
2400+49.04 грн
4800+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M ST TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF ST 00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP ST 09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 243 шт
168 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.39 грн
10+57.24 грн
29+32.53 грн
79+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.67 грн
10+71.33 грн
29+39.04 грн
79+36.86 грн
5000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.69 грн
10+53.61 грн
100+44.72 грн
500+39.49 грн
1000+37.75 грн
2000+34.41 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+100.95 грн
500+90.86 грн
1000+83.79 грн
10000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+41.30 грн
297+41.01 грн
313+38.89 грн
500+34.49 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.50 грн
14+61.99 грн
100+57.73 грн
500+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+44.40 грн
50+44.08 грн
100+41.80 грн
500+37.07 грн
1000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+100.95 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+100.95 грн
500+90.86 грн
1000+83.79 грн
10000+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+45.70 грн
1000+42.16 грн
10000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+45.70 грн
1000+42.16 грн
10000+37.58 грн
100000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.78 грн
10+63.64 грн
25+50.93 грн
39+23.84 грн
107+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.93 грн
10+79.30 грн
25+61.11 грн
39+28.61 грн
107+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
929+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
491+24.76 грн
493+24.66 грн
512+23.74 грн
519+22.57 грн
1000+20.40 грн
2000+19.55 грн
5000+18.88 грн
10000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 491
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.94 грн
19+46.00 грн
100+40.90 грн
500+36.32 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
546+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 546
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon-IRF630N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.35 грн
10+41.32 грн
100+30.93 грн
500+29.64 грн
1000+28.20 грн
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.62 грн
50+26.50 грн
100+25.52 грн
500+24.26 грн
1000+21.92 грн
2000+21.02 грн
5000+20.29 грн
10000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.57 грн
9+47.53 грн
25+41.93 грн
26+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.69 грн
5+59.23 грн
25+50.31 грн
26+43.87 грн
70+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.22 грн
10+49.98 грн
34+27.71 грн
93+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.47 грн
10+62.28 грн
34+33.26 грн
93+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.37 грн
16+56.37 грн
100+56.20 грн
500+50.77 грн
1000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+44.89 грн
275+44.18 грн
500+43.47 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.48 грн
173+70.19 грн
250+67.37 грн
500+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.55 грн
10+46.11 грн
100+39.19 грн
500+38.88 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.50 грн
15+48.24 грн
100+47.48 грн
500+45.05 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.61 грн
10+43.32 грн
100+36.99 грн
500+36.31 грн
1000+35.32 грн
2000+34.72 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.17 грн
23+40.50 грн
63+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.61 грн
23+50.47 грн
63+46.05 грн
1000+44.44 грн
5000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+70.72 грн
174+69.96 грн
178+68.31 грн
500+58.46 грн
1000+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.16 грн
10+77.93 грн
100+59.58 грн
500+51.47 грн
1000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+80.89 грн
155+78.84 грн
500+66.39 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+86.95 грн
100+84.74 грн
500+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.77 грн
50+74.95 грн
100+73.19 грн
500+62.63 грн
1000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.22 грн
10+105.47 грн
100+69.73 грн
500+61.47 грн
800+48.66 грн
2400+46.77 грн
4800+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.06 грн
10+109.83 грн
100+69.73 грн
800+52.60 грн
2400+49.04 грн
4800+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Виробник: FAIRCHILD
f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M
Виробник: ST
TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF
Виробник: ST
00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP
Виробник: ST
09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]