Результат пошуку "IRF630" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.81 грн
10+63.27 грн
25+35.68 грн
69+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+69.55 грн
10+59.20 грн
100+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.37 грн
10+78.84 грн
25+42.81 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630-1849162.pdf description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.38 грн
10+58.92 грн
100+49.64 грн
500+41.51 грн
1000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+101.19 грн
500+91.08 грн
1000+83.99 грн
10000+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.43 грн
14+60.32 грн
100+57.06 грн
500+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.00 грн
50+55.44 грн
100+52.68 грн
500+42.23 грн
1000+37.82 грн
2000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+59.84 грн
206+59.24 грн
217+56.29 грн
500+45.10 грн
1000+40.41 грн
2000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 11621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.61 грн
50+49.86 грн
100+48.81 грн
500+39.08 грн
1000+35.89 грн
2000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+71.78 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+101.19 грн
500+91.08 грн
1000+83.99 грн
10000+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 FAIRCHILD IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+45.81 грн
1000+42.26 грн
10000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 FAIRCHILD IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+45.81 грн
1000+42.26 грн
10000+37.68 грн
100000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.94 грн
10+46.41 грн
25+37.57 грн
39+22.90 грн
108+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.13 грн
10+57.84 грн
25+45.08 грн
39+27.48 грн
108+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1146+10.63 грн
1210+10.06 грн
1294+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 1146
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 134844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+30.14 грн
406+30.02 грн
434+28.11 грн
500+25.63 грн
1000+22.50 грн
2000+21.37 грн
5000+21.16 грн
10000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.77 грн
50+40.12 грн
100+37.35 грн
500+31.61 грн
1000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.64 грн
10+90.36 грн
100+46.40 грн
500+35.75 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.95 грн
50+27.86 грн
100+26.08 грн
500+23.79 грн
1000+20.90 грн
2000+19.85 грн
5000+19.66 грн
10000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.67 грн
10+97.64 грн
25+43.03 грн
100+36.36 грн
250+36.14 грн
500+32.44 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.57 грн
9+45.51 грн
25+40.14 грн
26+35.15 грн
70+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.08 грн
5+56.71 грн
25+48.17 грн
26+42.18 грн
70+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.19 грн
183+66.70 грн
200+61.51 грн
1000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.92 грн
10+63.19 грн
26+34.62 грн
71+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.50 грн
10+78.75 грн
26+41.54 грн
71+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+90.86 грн
198+61.68 грн
204+59.84 грн
500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.12 грн
13+47.48 грн
25+36.30 грн
100+34.65 грн
500+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+55.91 грн
271+44.99 грн
278+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.85 грн
50+44.73 грн
100+44.06 грн
500+41.10 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.28 грн
10+78.28 грн
25+46.22 грн
100+44.85 грн
500+42.81 грн
1000+42.09 грн
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.85 грн
25+28.31 грн
100+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.06 грн
11+78.47 грн
100+50.55 грн
500+45.66 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay Siliconix irf630.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.83 грн
50+42.33 грн
100+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.68 грн
10+49.57 грн
10000+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.52 грн
22+40.59 грн
61+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.82 грн
22+50.58 грн
61+46.08 грн
5000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.48 грн
50+72.54 грн
100+70.67 грн
500+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.20 грн
50+74.74 грн
100+72.31 грн
500+57.41 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.52 грн
10+105.15 грн
25+73.29 грн
100+71.04 грн
500+57.25 грн
1000+50.43 грн
2000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+80.98 грн
152+80.49 грн
157+77.87 грн
500+61.83 грн
1000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 69 шт
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.81 грн
10+63.27 грн
25+35.68 грн
69+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.55 грн
10+59.20 грн
100+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.37 грн
10+78.84 грн
25+42.81 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.19 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description irf630-1849162.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.38 грн
10+58.92 грн
100+49.64 грн
500+41.51 грн
1000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.19 грн
500+91.08 грн
1000+83.99 грн
10000+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.43 грн
14+60.32 грн
100+57.06 грн
500+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.00 грн
50+55.44 грн
100+52.68 грн
500+42.23 грн
1000+37.82 грн
2000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+59.84 грн
206+59.24 грн
217+56.29 грн
500+45.10 грн
1000+40.41 грн
2000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 11621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.61 грн
50+49.86 грн
100+48.81 грн
500+39.08 грн
1000+35.89 грн
2000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
290+71.78 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.19 грн
500+91.08 грн
1000+83.99 грн
10000+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
575+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+45.81 грн
1000+42.26 грн
10000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+45.81 грн
1000+42.26 грн
10000+37.68 грн
100000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.94 грн
10+46.41 грн
25+37.57 грн
39+22.90 грн
108+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.13 грн
10+57.84 грн
25+45.08 грн
39+27.48 грн
108+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1146+10.63 грн
1210+10.06 грн
1294+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 1146
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 134844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
404+30.14 грн
406+30.02 грн
434+28.11 грн
500+25.63 грн
1000+22.50 грн
2000+21.37 грн
5000+21.16 грн
10000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.77 грн
50+40.12 грн
100+37.35 грн
500+31.61 грн
1000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.64 грн
10+90.36 грн
100+46.40 грн
500+35.75 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+27.95 грн
50+27.86 грн
100+26.08 грн
500+23.79 грн
1000+20.90 грн
2000+19.85 грн
5000+19.66 грн
10000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.67 грн
10+97.64 грн
25+43.03 грн
100+36.36 грн
250+36.14 грн
500+32.44 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
554+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.57 грн
9+45.51 грн
25+40.14 грн
26+35.15 грн
70+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.08 грн
5+56.71 грн
25+48.17 грн
26+42.18 грн
70+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
174+70.19 грн
183+66.70 грн
200+61.51 грн
1000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.92 грн
10+63.19 грн
26+34.62 грн
71+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.50 грн
10+78.75 грн
26+41.54 грн
71+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+90.86 грн
198+61.68 грн
204+59.84 грн
500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.12 грн
13+47.48 грн
25+36.30 грн
100+34.65 грн
500+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+55.91 грн
271+44.99 грн
278+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.85 грн
50+44.73 грн
100+44.06 грн
500+41.10 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.28 грн
10+78.28 грн
25+46.22 грн
100+44.85 грн
500+42.81 грн
1000+42.09 грн
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+33.85 грн
25+28.31 грн
100+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.06 грн
11+78.47 грн
100+50.55 грн
500+45.66 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.83 грн
50+42.33 грн
100+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.68 грн
10+49.57 грн
10000+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.52 грн
22+40.59 грн
61+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.82 грн
22+50.58 грн
61+46.08 грн
5000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.48 грн
50+72.54 грн
100+70.67 грн
500+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+75.20 грн
50+74.74 грн
100+72.31 грн
500+57.41 грн
1000+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.52 грн
10+105.15 грн
25+73.29 грн
100+71.04 грн
500+57.25 грн
1000+50.43 грн
2000+49.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+80.98 грн
152+80.49 грн
157+77.87 грн
500+61.83 грн
1000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]