Результат пошуку "IRF630" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

Підписка на надходження
IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 225 шт
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+107.31 грн
500+96.58 грн
1000+89.06 грн
10000+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+107.31 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630
Підписка на надходження
STMicroelectronics en.CD00000701.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.52 грн
50+72.32 грн
100+64.82 грн
500+48.48 грн
1000+44.52 грн
2000+41.18 грн
5000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630
Підписка на надходження
STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+86.59 грн
151+85.76 грн
182+70.99 грн
500+54.95 грн
1000+45.57 грн
2000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630
Підписка на надходження
STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.89 грн
50+92.01 грн
100+76.17 грн
500+58.95 грн
1000+48.89 грн
2000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630
Підписка на надходження
Harris Corporation HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+107.31 грн
500+96.58 грн
1000+89.06 грн
10000+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630
Підписка на надходження
STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.14 грн
10+69.68 грн
100+49.36 грн
500+39.39 грн
1000+35.84 грн
2000+33.12 грн
5000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Підписка на надходження
ON Semiconductor IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+48.58 грн
1000+44.81 грн
10000+39.95 грн
100000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Підписка на надходження
Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Підписка на надходження
ON Semiconductor IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+48.58 грн
1000+44.81 грн
10000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N
 International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
 MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.53 грн
50+34.50 грн
100+33.74 грн
500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.01 грн
50+55.05 грн
100+49.13 грн
500+36.34 грн
1000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.91 грн
16+52.79 грн
100+47.67 грн
500+37.62 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.22 грн
10+82.59 грн
100+47.55 грн
500+37.72 грн
1000+33.54 грн
2000+30.61 грн
5000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.73 грн
52000+42.70 грн
78000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.26 грн
50+36.17 грн
100+34.34 грн
500+30.44 грн
1000+27.90 грн
2000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+33.80 грн
383+33.71 грн
404+32.01 грн
500+28.38 грн
1000+26.00 грн
2000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF
Підписка на надходження
Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS
 International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.37 грн
50+75.79 грн
100+67.99 грн
500+50.96 грн
1000+46.83 грн
2000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+64.57 грн
215+60.11 грн
250+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
VISHAY VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.02 грн
14+58.81 грн
100+53.52 грн
500+44.04 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+58.83 грн
224+57.65 грн
500+49.51 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.49 грн
12+63.03 грн
100+61.77 грн
500+51.15 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.40 грн
14+52.89 грн
100+52.13 грн
500+45.03 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF
Підписка на надходження
Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+49.29 грн
266+48.59 грн
500+43.53 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3
Підписка на надходження
Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.11 грн
10+66.95 грн
100+46.09 грн
500+38.63 грн
1000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3
Підписка на надходження
Vishay Siliconix irf630.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.37 грн
50+75.79 грн
100+67.99 грн
500+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S
 International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.20 грн
10+81.79 грн
100+62.96 грн
500+51.11 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay Siliconix sih630s.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.57 грн
50+81.32 грн
100+73.03 грн
500+54.91 грн
1000+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+81.31 грн
167+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.49 грн
13+59.66 грн
100+57.69 грн
500+51.49 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF
Підписка на надходження
Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+55.68 грн
240+53.85 грн
500+49.84 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF
Підписка на надходження
Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF
Підписка на надходження
Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.57 грн
10+107.03 грн
100+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF
Підписка на надходження
Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.57 грн
10+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
 FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B
 Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001
 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP
 en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M
 ST TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF
 ST 00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP
 ST 09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

Підписка на надходження
description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 225 шт
167 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+107.31 грн
500+96.58 грн
1000+89.06 грн
10000+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+107.31 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.CD00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.52 грн
50+72.32 грн
100+64.82 грн
500+48.48 грн
1000+44.52 грн
2000+41.18 грн
5000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+86.59 грн
151+85.76 грн
182+70.99 грн
500+54.95 грн
1000+45.57 грн
2000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.89 грн
50+92.01 грн
100+76.17 грн
500+58.95 грн
1000+48.89 грн
2000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
241+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+107.31 грн
500+96.58 грн
1000+89.06 грн
10000+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
Підписка на надходження
description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.14 грн
10+69.68 грн
100+49.36 грн
500+39.39 грн
1000+35.84 грн
2000+33.12 грн
5000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630
 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Підписка на надходження
Виробник: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+48.58 грн
1000+44.81 грн
10000+39.95 грн
100000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Підписка на надходження
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Підписка на надходження
Виробник: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+48.58 грн
1000+44.81 грн
10000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N
 description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+34.53 грн
50+34.50 грн
100+33.74 грн
500+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.01 грн
50+55.05 грн
100+49.13 грн
500+36.34 грн
1000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.91 грн
16+52.79 грн
100+47.67 грн
500+37.62 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.22 грн
10+82.59 грн
100+47.55 грн
500+37.72 грн
1000+33.54 грн
2000+30.61 грн
5000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+46.73 грн
52000+42.70 грн
78000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+36.26 грн
50+36.17 грн
100+34.34 грн
500+30.44 грн
1000+27.90 грн
2000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
382+33.80 грн
383+33.71 грн
404+32.01 грн
500+28.38 грн
1000+26.00 грн
2000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 382
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
929+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 929
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Підписка на надходження
description infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS
 description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.37 грн
50+75.79 грн
100+67.99 грн
500+50.96 грн
1000+46.83 грн
2000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+64.57 грн
215+60.11 грн
250+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.02 грн
14+58.81 грн
100+53.52 грн
500+44.04 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+58.83 грн
224+57.65 грн
500+49.51 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.49 грн
12+63.03 грн
100+61.77 грн
500+51.15 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+65.40 грн
14+52.89 грн
100+52.13 грн
500+45.03 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF
Підписка на надходження
description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
262+49.29 грн
266+48.59 грн
500+43.53 грн
1000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3
Підписка на надходження
irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.11 грн
10+66.95 грн
100+46.09 грн
500+38.63 грн
1000+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3
Підписка на надходження
irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.37 грн
50+75.79 грн
100+67.99 грн
500+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S
 sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.20 грн
10+81.79 грн
100+62.96 грн
500+51.11 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.57 грн
50+81.32 грн
100+73.03 грн
500+54.91 грн
1000+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+81.31 грн
167+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+70.49 грн
13+59.66 грн
100+57.69 грн
500+51.49 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF
Підписка на надходження
description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
232+55.68 грн
240+53.85 грн
500+49.84 грн
1000+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 232
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF
Підписка на надходження
sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF
Підписка на надходження
sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.57 грн
10+107.03 грн
100+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF
Підписка на надходження
sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.57 грн
10+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
 FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001
 IRF630B.pdf
Виробник: FAIRCHILD
f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP
 en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M
Виробник: ST
TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF
Виробник: ST
00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP
Виробник: ST
09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]