Результат пошуку "IRF640N" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF640N IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар
IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF
Код товару: 42934
2 Додати до обраних Обраний товар
IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 700 шт
  • 616 шт - склад
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар
IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 98 шт
  • 98 шт - склад
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N HXY MOSFET TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N JSMicro Semiconductor TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N IRF640N Infineon TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL IRF640NL International Rectifier info-tirf640nl.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.98 грн
10+55.62 грн
50+37.16 грн
100+32.68 грн
250+28.78 грн
500+26.75 грн
750+25.82 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 252508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.71 грн
195+72.67 грн
500+59.71 грн
1000+46.99 грн
4000+41.18 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 252508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.17 грн
10+81.94 грн
100+72.87 грн
500+57.75 грн
1000+43.64 грн
4000+39.64 грн
10000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 24915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.49 грн
10+94.78 грн
50+71.68 грн
100+60.27 грн
500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.11 грн
242+58.37 грн
245+57.78 грн
500+55.17 грн
1000+42.89 грн
4000+37.05 грн
10000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+35088.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.05 грн
4000+39.80 грн
10000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.05 грн
4000+39.80 грн
10000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies infineon_irf640n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 35592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 44478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.11 грн
13+58.37 грн
100+57.78 грн
500+55.17 грн
1000+42.89 грн
4000+37.05 грн
10000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS IRF640NS International Rectifier info-tirf640ns.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
50+28.92 грн
100+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.45 грн
10+70.94 грн
50+55.87 грн
100+50.88 грн
250+45.37 грн
500+41.82 грн
800+39.62 грн
1600+36.91 грн
2400+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.90 грн
10+93.25 грн
50+70.38 грн
100+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+162.34 грн
133+106.27 грн
153+92.62 грн
224+60.85 грн
800+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+22538.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.20 грн
2400+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+22538.56 грн
40+20452.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.34 грн
10+106.27 грн
50+92.62 грн
100+60.85 грн
800+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.89 грн
2400+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+82.56 грн
500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.35 грн
2400+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies infineon_irf640n_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies infineon_irf640n_datasheet_en.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.76 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.76 грн
500+94.28 грн
1000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.54 грн
10+89.40 грн
25+89.00 грн
50+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF/IR IR 08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS IR description 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRL IR 01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF/IR IR 08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DH640 DH640 WXDH TIRF640_DH_WXDH_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 SLKOR 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2374 NTE2374 NTE Electronics nte2374.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL
Код товару: 143762
Додати до обраних Обраний товар
IRF640.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N International Rectifier/Infineon IRF640N_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL IRF640NL Infineon Technologies IRF640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBF IRF640NLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар
description
IRF640N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF
Код товару: 42934
2 Додати до обраних Обраний товар
irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Примітка: P=150W, -55...170 C
Монтаж: THT
у наявності: 700 шт
  • 616 шт - склад
  • 56 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF
Код товару: 116935
Додати до обраних Обраний товар
irf640npbf-935925-datasheet.pdf
IRF640NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: SMD
у наявності: 98 шт
  • 98 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+53.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
IRF640N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL info-tirf640nl.pdf
IRF640NL
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.98 грн
10+55.62 грн
50+37.16 грн
100+32.68 грн
250+28.78 грн
500+26.75 грн
750+25.82 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 252508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+81.71 грн
195+72.67 грн
500+59.71 грн
1000+46.99 грн
4000+41.18 грн
10000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 252508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.17 грн
10+81.94 грн
100+72.87 грн
500+57.75 грн
1000+43.64 грн
4000+39.64 грн
10000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 24915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.49 грн
10+94.78 грн
50+71.68 грн
100+60.27 грн
500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+145.11 грн
242+58.37 грн
245+57.78 грн
500+55.17 грн
1000+42.89 грн
4000+37.05 грн
10000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+35088.08 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.05 грн
4000+39.80 грн
10000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.05 грн
4000+39.80 грн
10000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF infineon_irf640n_datasheet_en.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 35592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 44478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+145.11 грн
13+58.37 грн
100+57.78 грн
500+55.17 грн
1000+42.89 грн
4000+37.05 грн
10000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS description info-tirf640ns.pdf
IRF640NS
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+65.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSPBF irf640npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+28.92 грн
100+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.45 грн
10+70.94 грн
50+55.87 грн
100+50.88 грн
250+45.37 грн
500+41.82 грн
800+39.62 грн
1600+36.91 грн
2400+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.90 грн
10+93.25 грн
50+70.38 грн
100+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+162.34 грн
133+106.27 грн
153+92.62 грн
224+60.85 грн
800+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+22538.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+51.20 грн
2400+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+22538.56 грн
40+20452.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+162.34 грн
10+106.27 грн
50+92.62 грн
100+60.85 грн
800+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.89 грн
2400+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+82.56 грн
500+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+51.35 грн
2400+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF infineon_irf640n_datasheet_en.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF infineon_irf640n_datasheet_en.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+104.76 грн
500+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+104.76 грн
500+94.28 грн
1000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.54 грн
10+89.40 грн
25+89.00 грн
50+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description
IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NS description
Виробник: IR
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRL
Виробник: IR
01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DH640 TIRF640_DH_WXDH_0001.pdf
DH640
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640 description 1782724373540472.pdf en.CD00000702.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2374 nte2374.pdf
NTE2374
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL
Код товару: 143762
Додати до обраних Обраний товар
IRF640.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N description IRF640N_IR.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL IRF640.pdf
IRF640NL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBF description irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
IRF640NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640npbf.pdf
IRF640NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]