Результат пошуку "Mun2211" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336 		ON MMUN2211LT1-D.PDF Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 2141 шт
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.95 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
mun2211jt1 mun2211jt1 onsemi Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211JT1 MUN2211JT1 ONSEMI Description: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G ONSEMI ONSMS26118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G MUN2211JT1G onsemi Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T1 ONSEMI ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2211T1 MUN2211T1 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.6 грн
200+ 1.81 грн
500+ 1.6 грн
625+ 1.38 грн
1675+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.12 грн
125+ 2.26 грн
500+ 1.92 грн
625+ 1.66 грн
1675+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 36591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12 грн
45+ 7.06 грн
100+ 3.11 грн
1000+ 2.14 грн
3000+ 1.66 грн
9000+ 1.38 грн
48000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.07 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.36 грн
48000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 41047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.2 грн
39+ 7.48 грн
100+ 4.05 грн
500+ 2.99 грн
1000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.93 грн
98+ 7.97 грн
193+ 4.03 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.93 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.26 грн
48000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.9 грн
6000+ 1.73 грн
9000+ 1.47 грн
30000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+9.99 грн
90+ 6.61 грн
91+ 6.54 грн
176+ 3.26 грн
250+ 2.98 грн
500+ 2.82 грн
1000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T3 ONSEMI ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3 MUN2211T3 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T3G MUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G MUN2211T3G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.74 грн
55+ 5.79 грн
100+ 3.11 грн
1000+ 1.79 грн
2500+ 1.59 грн
10000+ 1.17 грн
20000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.99 грн
30000+ 1.82 грн
60000+ 1.69 грн
90000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G MUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 28261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.2 грн
39+ 7.48 грн
100+ 4.05 грн
500+ 2.99 грн
1000+ 2.08 грн
2000+ 1.72 грн
5000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211 MOT SOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211 MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
mun2211jt1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 ON MUN2211T1%20Series.pdf SOT23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 ON MUN2211T1%20Series.pdf 04+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1B ON SOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LT1 MMUN2211LT1 onsemi MMUN2211LT1-D.pdf description Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 79764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.17 грн
250+ 1.57 грн
500+ 1.26 грн
750+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 200
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.6 грн
150+ 1.95 грн
500+ 1.51 грн
750+ 1.35 грн
2050+ 1.29 грн
3000+ 1.26 грн
12000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 125
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 133845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+8.96 грн
49+ 5.97 грн
100+ 3.21 грн
500+ 2.36 грн
1000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 301562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+8.21 грн
55+ 5.79 грн
100+ 3.24 грн
1000+ 1.38 грн
3000+ 1.24 грн
9000+ 0.9 грн
45000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
6000+ 1.37 грн
9000+ 1.17 грн
30000+ 1.01 грн
75000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMUN2211LT3 MMUN2211LT3 onsemi MMUN2211LT1-D.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 32948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+8.96 грн
49+ 5.97 грн
100+ 3.21 грн
500+ 2.36 грн
1000+ 1.64 грн
2000+ 1.36 грн
5000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+10.22 грн
106+ 7.32 грн
250+ 3.1 грн
500+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 76
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.02 грн
50+ 6.43 грн
115+ 2.42 грн
1000+ 1.38 грн
2500+ 1.31 грн
10000+ 0.97 грн
20000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.22 грн
90+ 4.03 грн
100+ 3.62 грн
305+ 2.77 грн
835+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.26 грн
55+ 5.02 грн
100+ 4.34 грн
305+ 3.32 грн
835+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
на замовлення 58506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.72 грн
40+ 8.02 грн
100+ 3.8 грн
1000+ 2.21 грн
3000+ 1.79 грн
9000+ 1.45 грн
24000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.44 грн
32+ 9.2 грн
100+ 4.97 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
6000+ 2.13 грн
9000+ 1.81 грн
30000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.44 грн
32+ 9.2 грн
100+ 4.97 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.55 грн
2000+ 2.11 грн
5000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.88 грн
30000+ 1.67 грн
50000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMMUN2211LT3G SMMUN2211LT3G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.72 грн
36+ 8.97 грн
100+ 4.97 грн
1000+ 2.21 грн
2500+ 1.93 грн
10000+ 1.45 грн
20000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMUN2211T1G SMUN2211T1G onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
на замовлення 16083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.51 грн
28+ 11.43 грн
100+ 4.14 грн
1000+ 2.83 грн
3000+ 2.21 грн
9000+ 1.86 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336		 MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 2141 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.95 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
mun2211jt1
mun2211jt1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211JT1
MUN2211JT1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G ONSMS26118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G
MUN2211JT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T1 ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2211T1 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2211T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5323+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2211T1G MUN2211.PDF
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.6 грн
200+ 1.81 грн
500+ 1.6 грн
625+ 1.38 грн
1675+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1G MUN2211.PDF
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.12 грн
125+ 2.26 грн
500+ 1.92 грн
625+ 1.66 грн
1675+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
MUN2211T1G DTC114E_D-2311111.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 36591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12 грн
45+ 7.06 грн
100+ 3.11 грн
1000+ 2.14 грн
3000+ 1.66 грн
9000+ 1.38 грн
48000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5770+2.07 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.36 грн
48000+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 5770
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 41047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.2 грн
39+ 7.48 грн
100+ 4.05 грн
500+ 2.99 грн
1000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+12.93 грн
98+ 7.97 грн
193+ 4.03 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.93 грн
9000+ 1.48 грн
24000+ 1.26 грн
48000+ 1.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.9 грн
6000+ 1.73 грн
9000+ 1.47 грн
30000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+9.99 грн
90+ 6.61 грн
91+ 6.54 грн
176+ 3.26 грн
250+ 2.98 грн
500+ 2.82 грн
1000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 698282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T3 ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20000+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2211T3
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20000+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G DTC114E_D-2311111.pdf
MUN2211T3G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.74 грн
55+ 5.79 грн
100+ 3.11 грн
1000+ 1.79 грн
2500+ 1.59 грн
10000+ 1.17 грн
20000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.99 грн
30000+ 1.82 грн
60000+ 1.69 грн
90000+ 1.54 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 28261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+11.2 грн
39+ 7.48 грн
100+ 4.05 грн
500+ 2.99 грн
1000+ 2.08 грн
2000+ 1.72 грн
5000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T3G 473703159066984dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211
Виробник: MOT
SOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211
Виробник: MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
mun2211jt1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 MUN2211T1%20Series.pdf
Виробник: ON
SOT23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 MUN2211T1%20Series.pdf
Виробник: ON
04+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1B
Виробник: ON
SOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LT1 description MMUN2211LT1-D.pdf
MMUN2211LT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 79764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.17 грн
250+ 1.57 грн
500+ 1.26 грн
750+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 200
MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.6 грн
150+ 1.95 грн
500+ 1.51 грн
750+ 1.35 грн
2050+ 1.29 грн
3000+ 1.26 грн
12000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 125
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 133845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.96 грн
49+ 5.97 грн
100+ 3.21 грн
500+ 2.36 грн
1000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT1G DTC114E_D-2311111.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 301562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+8.21 грн
55+ 5.79 грн
100+ 3.24 грн
1000+ 1.38 грн
3000+ 1.24 грн
9000+ 0.9 грн
45000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 40
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.51 грн
6000+ 1.37 грн
9000+ 1.17 грн
30000+ 1.01 грн
75000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMUN2211LT3 MMUN2211LT1-D.pdf
MMUN2211LT3
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 32948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.96 грн
49+ 5.97 грн
100+ 3.21 грн
500+ 2.36 грн
1000+ 1.64 грн
2000+ 1.36 грн
5000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+10.22 грн
106+ 7.32 грн
250+ 3.1 грн
500+ 2.82 грн
Мінімальне замовлення: 76
MMUN2211LT3G DTC114E_D-2311111.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+9.02 грн
50+ 6.43 грн
115+ 2.42 грн
1000+ 1.38 грн
2500+ 1.31 грн
10000+ 0.97 грн
20000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMMUN2211LT1G MUN2211.PDF
SMMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.22 грн
90+ 4.03 грн
100+ 3.62 грн
305+ 2.77 грн
835+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
SMMUN2211LT1G MUN2211.PDF
SMMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.26 грн
55+ 5.02 грн
100+ 4.34 грн
305+ 3.32 грн
835+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMMUN2211LT1G DTC114E_D-2311111.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
на замовлення 58506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.72 грн
40+ 8.02 грн
100+ 3.8 грн
1000+ 2.21 грн
3000+ 1.79 грн
9000+ 1.45 грн
24000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.44 грн
32+ 9.2 грн
100+ 4.97 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.34 грн
6000+ 2.13 грн
9000+ 1.81 грн
30000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.44 грн
32+ 9.2 грн
100+ 4.97 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.55 грн
2000+ 2.11 грн
5000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 23
SMMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.88 грн
30000+ 1.67 грн
50000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMMUN2211LT3G DTC114E_D-2311111.pdf
SMMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.72 грн
36+ 8.97 грн
100+ 4.97 грн
1000+ 2.21 грн
2500+ 1.93 грн
10000+ 1.45 грн
20000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 26
SMUN2211T1G DTC114E_D-2311111.pdf
SMUN2211T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC59 BR XSTR NPN SPCL
на замовлення 16083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.51 грн
28+ 11.43 грн
100+ 4.14 грн
1000+ 2.83 грн
3000+ 2.21 грн
9000+ 1.86 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]