Результат пошуку "irfp3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 51
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 65
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 80
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 244
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 44
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 111
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 39
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 159
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 42
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 214
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 235
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 235
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP3077PBF Код товару: 24931
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160 Монтаж: THT |
у наявності: 84 шт
44 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF Код товару: 1056
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 60 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85 Монтаж: THT |
у наявності: 5 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210 Монтаж: THT |
у наявності: 76 шт
21 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 11 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3703PBF Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 25 шт
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||
IRFP3006 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 297951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 147975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 340W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFP3077PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3206 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 6114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3206PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFP3206PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP32N50K | Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP32N50K | Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFP3306 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 220W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP340 | Harris Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP340 | HARRIS |
![]() |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP340 | HARRIS |
![]() |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP340PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.9A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRFP3077PBF Код товару: 24931
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
44 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 165.00 грн |
10+ | 154.00 грн |
IRFP3306PBF Код товару: 1056
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 105.00 грн |
10+ | 98.00 грн |
IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
21 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 105.00 грн |
10+ | 96.50 грн |
IRFP3703PBF Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 122.00 грн |
10+ | 114.00 грн |
IRFP3006 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 354.16 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 169.95 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 203.94 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
51+ | 238.22 грн |
56+ | 218.84 грн |
200+ | 201.88 грн |
500+ | 165.21 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 297951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
500+ | 258.41 грн |
1000+ | 243.27 грн |
10000+ | 220.95 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 262.65 грн |
10+ | 233.47 грн |
100+ | 228.32 грн |
500+ | 207.23 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 186.94 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
500+ | 258.41 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
500+ | 258.41 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
80+ | 151.89 грн |
83+ | 146.79 грн |
100+ | 145.94 грн |
500+ | 138.99 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 200.29 грн |
8+ | 95.66 грн |
25+ | 95.33 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 202.78 грн |
25+ | 191.96 грн |
100+ | 183.40 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 147975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 272.54 грн |
500+ | 258.41 грн |
1000+ | 243.27 грн |
10000+ | 220.95 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 165.01 грн |
25+ | 159.47 грн |
100+ | 158.55 грн |
500+ | 151.01 грн |
IRFP3077 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 238.41 грн |
IRFP3077 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 238.41 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 340W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 340W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 237.21 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
244+ | 148.10 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 327.85 грн |
50+ | 266.48 грн |
100+ | 245.49 грн |
200+ | 225.82 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 237.21 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 237.21 грн |
500+ | 224.09 грн |
1000+ | 211.97 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 237.21 грн |
IRFP31N50LPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.87 грн |
4+ | 293.99 грн |
11+ | 267.80 грн |
IRFP31N50LPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 569.08 грн |
IRFP3206 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 148.05 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.90 грн |
9+ | 108.40 грн |
24+ | 102.82 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.28 грн |
9+ | 135.08 грн |
24+ | 123.38 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 6114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 256.58 грн |
25+ | 144.13 грн |
100+ | 119.87 грн |
500+ | 104.76 грн |
1000+ | 99.10 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 12378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
44+ | 279.89 грн |
72+ | 168.92 грн |
100+ | 128.01 грн |
500+ | 120.96 грн |
1000+ | 107.21 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 156.46 грн |
500+ | 148.38 грн |
1000+ | 140.31 грн |
10000+ | 126.54 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 156.46 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
111+ | 109.15 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 304.08 грн |
25+ | 183.52 грн |
100+ | 139.07 грн |
500+ | 131.41 грн |
1000+ | 116.48 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 156.46 грн |
500+ | 148.38 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
39+ | 312.70 грн |
41+ | 299.27 грн |
50+ | 287.87 грн |
100+ | 268.17 грн |
250+ | 240.77 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 29051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 156.46 грн |
500+ | 148.38 грн |
1000+ | 140.31 грн |
10000+ | 126.54 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 281.53 грн |
10+ | 212.01 грн |
100+ | 141.62 грн |
500+ | 130.71 грн |
1000+ | 119.92 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 274.05 грн |
25+ | 157.50 грн |
100+ | 114.01 грн |
400+ | 106.35 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
159+ | 124.84 грн |
IRFP32N50K |
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 251.68 грн |
IRFP32N50K |
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 251.68 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 729.24 грн |
4+ | 350.60 грн |
10+ | 319.45 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP3306 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 85.56 грн |
IRFP3306PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 309.00 грн |
10+ | 243.34 грн |
12+ | 101.38 грн |
31+ | 95.64 грн |
IRFP3306PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 294.74 грн |
51+ | 239.83 грн |
100+ | 182.50 грн |
IRFP340 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
214+ | 98.76 грн |
IRFP340 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRFP340
IRFP340
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
235+ | 129.20 грн |
IRFP340 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRFP340
IRFP340
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
235+ | 129.20 грн |
500+ | 123.15 грн |
IRFP340PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 270.38 грн |
10+ | 101.22 грн |
26+ | 95.64 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]