Результат пошуку "irfz" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 455 шт
391 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34E IRFZ34E
Код товару: 88726
Додати до обраних Обраний товар

irfz34e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon) IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 30764
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
Монтаж: THT
у наявності: 104 шт
56 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1287 шт
1147 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Код товару: 122891
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz44nspbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 98 шт
58 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF
Код товару: 35444
Додати до обраних Обраний товар

IR IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
у наявності: 206 шт
127 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28.00 грн
10+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF IRFZ44ZPBF
Код товару: 40288
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 0,0139 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
70 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+24.30 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZS IRFZ44ZS
Код товару: 99523
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz44z-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
1+31.00 грн
10+26.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF
Код товару: 48533
Додати до обраних Обраний товар

IR irfz46npbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 53 A
Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT
у наявності: 103 шт
100 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+26.00 грн
10+24.50 грн
100+21.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF IRFZ48N PBF
Код товару: 60156
Додати до обраних Обраний товар

IR hyh6568cf6fu65u6.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
Монтаж: THT
у наявності: 27 шт
3 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 29.06.2025
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS AUIRFZ44NS
Код товару: 152487
Додати до обраних Обраний товар

infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBF IRFZ10PBF VISHAY VISH-S-A0001144406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBF IRFZ10PBF Vishay / Siliconix irfz10.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
25+73.00 грн
100+63.25 грн
500+54.10 грн
1000+41.67 грн
2000+41.08 грн
5000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14 Siliconix description N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.82 грн
10+56.28 грн
25+45.50 грн
37+25.19 грн
100+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.18 грн
10+70.13 грн
25+54.60 грн
37+30.23 грн
100+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY VISH-S-A0013856866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.15 грн
12+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Semiconductors irfz14.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.92 грн
10+67.60 грн
25+34.23 грн
100+34.08 грн
500+33.49 грн
1000+32.59 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay irfz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.68 грн
50+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Siliconix irfz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 48590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.28 грн
50+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfz14.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.10 грн
10+67.60 грн
25+35.50 грн
100+35.05 грн
250+34.97 грн
500+34.30 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3 IRFZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.38 грн
50+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Semiconductors sihfz14s.pdf MOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.28 грн
10+96.70 грн
100+59.83 грн
500+47.55 грн
1000+43.01 грн
2000+40.26 грн
5000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Siliconix sihfz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.60 грн
10+89.37 грн
100+60.60 грн
500+45.23 грн
1000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRLPBF IRFZ14STRLPBF Vishay / Siliconix sihfz14s.pdf MOSFETs MOSFET N-Channel 60V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.98 грн
10+98.41 грн
100+68.31 грн
500+57.15 грн
800+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay irfz20.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay Semiconductors tf-irfz20pbf.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.71 грн
10+80.87 грн
25+54.99 грн
1000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay Siliconix tf-irfz20pbf.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
50+54.18 грн
100+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF IRFZ20PBF Vishay irfz20.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+89.26 грн
144+85.28 грн
250+81.85 грн
500+76.08 грн
1000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF IRFZ20PBF VISHAY VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.72 грн
10+111.02 грн
100+77.55 грн
500+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfz20.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.95 грн
10+117.24 грн
25+66.82 грн
100+64.89 грн
250+64.81 грн
500+61.32 грн
1000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz20.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.19 грн
50+68.14 грн
100+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF. IRFZ20PBF. VISHAY VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24N International Rectifier description N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NHR International Rectifier HiRel Products irfz24n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.75 грн
25+21.70 грн
51+17.98 грн
139+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.16 грн
22+39.57 грн
100+31.64 грн
500+25.97 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.88 грн
50+28.18 грн
100+26.53 грн
500+21.06 грн
1000+19.07 грн
2000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.85 грн
30+20.62 грн
31+19.86 грн
100+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.90 грн
25+24.81 грн
100+23.01 грн
500+19.37 грн
1000+17.25 грн
2000+17.10 грн
5000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
на замовлення 5434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.01 грн
10+46.38 грн
25+28.87 грн
100+25.67 грн
500+22.62 грн
1000+20.46 грн
2000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.52 грн
29+31.78 грн
78+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.22 грн
29+39.60 грн
78+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Semiconductors irl620.pdf description MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.47 грн
10+83.95 грн
25+57.82 грн
100+55.22 грн
250+54.17 грн
500+49.63 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF Vishay Siliconix irl620.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.25 грн
50+58.62 грн
100+56.09 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3 IRFZ24PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.47 грн
10+87.29 грн
25+65.48 грн
100+58.64 грн
500+49.63 грн
1000+36.54 грн
2000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBF IRFZ24SPBF Vishay Siliconix sihfz24s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+141.23 грн
100+97.97 грн
500+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBF IRFZ24SPBF Vishay Semiconductors sihfz24s.pdf MOSFETs 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.38 грн
10+156.60 грн
100+97.48 грн
500+78.88 грн
1000+72.33 грн
2000+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34N IR description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=60V; Id=30A; Pdmax=88W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34N International Rectifier description N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34N International Rectifier description N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF
Код товару: 4381
Додати до обраних Обраний товар

description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
Монтаж: THT
у наявності: 455 шт
391 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+15.00 грн
10+13.50 грн
100+12.20 грн
1000+10.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34E
Код товару: 88726
Додати до обраних Обраний товар

irfz34e.pdf
IRFZ34E
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Код товару: 30764
Додати до обраних Обраний товар

IRFZ34NPBF (TO-220AB, Infineon)
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1040/41
Монтаж: THT
у наявності: 104 шт
56 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF
Код товару: 35403
Додати до обраних Обраний товар

irfz44npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d
IRFZ44NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1287 шт
1147 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
14 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.00 грн
100+13.50 грн
1000+11.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF
Код товару: 122891
Додати до обраних Обраний товар

irfz44nspbf-datasheet.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 98 шт
58 шт - склад
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+23.50 грн
10+21.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBF
Код товару: 35444
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFZ44VPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
Монтаж: THT
у наявності: 206 шт
127 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+28.00 грн
10+25.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF
Код товару: 40288
Додати до обраних Обраний товар

description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
IRFZ44ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 0,0139 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
70 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+24.30 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZS
Код товару: 99523
Додати до обраних Обраний товар

irfz44z-datasheet.pdf
IRFZ44ZS
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 51 A
Rds(on), Ohm: 13,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1420/29
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
Кількість Ціна
1+31.00 грн
10+26.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF
Код товару: 48533
Додати до обраних Обраний товар

description irfz46npbf-datasheet.pdf
IRFZ46NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 53 A
Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
Монтаж: THT
у наявності: 103 шт
100 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+24.50 грн
100+21.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48N PBF
Код товару: 60156
Додати до обраних Обраний товар

hyh6568cf6fu65u6.pdf
IRFZ48N PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
Монтаж: THT
у наявності: 27 шт
3 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 29.06.2025
Кількість Ціна
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44NS
Код товару: 152487
Додати до обраних Обраний товар

infineon-auirfz44ns-ds-v02_02-en.pdf
AUIRFZ44NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: SMD
у наявності: 5 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+54.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBF VISH-S-A0001144406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ10PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ10PBF - N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ10PBF irfz10.pdf
IRFZ10PBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.16 грн
25+73.00 грн
100+63.25 грн
500+54.10 грн
1000+41.67 грн
2000+41.08 грн
5000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14 description
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.20Ω IRFZ14 IRFZ14 TIRFZ14
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.82 грн
10+56.28 грн
25+45.50 грн
37+25.19 грн
100+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.18 грн
10+70.13 грн
25+54.60 грн
37+30.23 грн
100+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF VISH-S-A0013856866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ14PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.15 грн
12+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.92 грн
10+67.60 грн
25+34.23 грн
100+34.08 грн
500+33.49 грн
1000+32.59 грн
5000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
381+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+29.68 грн
50+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF irfz14.pdf
IRFZ14PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 48590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.28 грн
50+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.10 грн
10+67.60 грн
25+35.50 грн
100+35.05 грн
250+34.97 грн
500+34.30 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14PBF-BE3 irfz14.pdf
IRFZ14PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.38 грн
50+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.28 грн
10+96.70 грн
100+59.83 грн
500+47.55 грн
1000+43.01 грн
2000+40.26 грн
5000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.60 грн
10+89.37 грн
100+60.60 грн
500+45.23 грн
1000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14STRLPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14STRLPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs MOSFET N-Channel 60V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.98 грн
10+98.41 грн
100+68.31 грн
500+57.15 грн
800+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF irfz20.pdf
IRFZ20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF tf-irfz20pbf.pdf
IRFZ20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.71 грн
10+80.87 грн
25+54.99 грн
1000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF tf-irfz20pbf.pdf
IRFZ20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.18 грн
50+54.18 грн
100+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF irfz20.pdf
IRFZ20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+89.26 грн
144+85.28 грн
250+81.85 грн
500+76.08 грн
1000+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.72 грн
10+111.02 грн
100+77.55 грн
500+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.95 грн
10+117.24 грн
25+66.82 грн
100+64.89 грн
250+64.81 грн
500+61.32 грн
1000+54.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.19 грн
50+68.14 грн
100+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF. VISH-S-A0013856976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ20PBF.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ20PBF. - N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NHR irfz24n.pdf
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+46.75 грн
25+21.70 грн
51+17.98 грн
139+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.16 грн
22+39.57 грн
100+31.64 грн
500+25.97 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.88 грн
50+28.18 грн
100+26.53 грн
500+21.06 грн
1000+19.07 грн
2000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+20.85 грн
30+20.62 грн
31+19.86 грн
100+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.90 грн
25+24.81 грн
100+23.01 грн
500+19.37 грн
1000+17.25 грн
2000+17.10 грн
5000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description Infineon_IRFZ24N_DataSheet_v01_01_EN-3363353.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC
на замовлення 5434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.01 грн
10+46.38 грн
25+28.87 грн
100+25.67 грн
500+22.62 грн
1000+20.46 грн
2000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
785+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description infineon-irfz24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.52 грн
29+31.78 грн
78+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.22 грн
29+39.60 грн
78+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.47 грн
10+83.95 грн
25+57.82 грн
100+55.22 грн
250+54.17 грн
500+49.63 грн
1000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.25 грн
50+58.62 грн
100+56.09 грн
500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3
IRFZ24PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.47 грн
10+87.29 грн
25+65.48 грн
100+58.64 грн
500+49.63 грн
1000+36.54 грн
2000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBF sihfz24s.pdf
IRFZ24SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.56 грн
10+141.23 грн
100+97.97 грн
500+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24SPBF sihfz24s.pdf
IRFZ24SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 100mOhm@10V 17A N-Ch
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.38 грн
10+156.60 грн
100+97.48 грн
500+78.88 грн
1000+72.33 грн
2000+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34N description
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=60V; Id=30A; Pdmax=88W; Rds=0,05 Ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]