Результат пошуку "2sa14" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SA1400
Код товару: 152651 		NEC datasheet-2sa1400.pdf Транзистори > Біполярні PNP
fT: TO-251
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 400 V
Примітка: 200
у наявності: 6 шт
1+13.5 грн
2SA1428
Код товару: 152652 		Toshiba datasheet-2sa1428.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-33
fT: 100 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 А
у наявності: 6 шт
1+9 грн
2SA1492 2SA1492
Код товару: 3838 		SanKen 2sa1492_ds_en.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
у наявності: 1 шт
1+82.5 грн
2SA1492 2SA1492
Код товару: 200234 		JSMicro JSMicro_2SA149.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
у наявності: 28 шт
1+75 грн
10+ 68 грн
2SA1494 2SA1494
Код товару: 35748 		Toshiba 2SA1494.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
fT: 20 MHz
Uке, В: 200 V
Uкб, В: 200 V
Iк, А: 17 A
h21,max: 50
у наявності: 2 шт
1+136 грн
2SA1404E 2SA1404E Sanyo SNYOS07619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 398
2SA1405E 2SA1405E onsemi SNYOS20806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 355
2SA1405E ONSEMI SNYOS20806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1405E - 2SA1405E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1406D ONSEMI SNYOS20805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1406D - 2SA1406D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+3356.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.42 грн
10+ 34.52 грн
100+ 22.5 грн
500+ 17.67 грн
1000+ 13.6 грн
2000+ 12.35 грн
10000+ 10.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.07 грн
10+ 31.06 грн
100+ 21.57 грн
500+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
632+18.96 грн
735+ 16.28 грн
743+ 16.11 грн
802+ 14.4 грн
1000+ 12.85 грн
3000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 632
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+19.1 грн
34+ 17.61 грн
100+ 14.58 грн
250+ 13.36 грн
500+ 11.89 грн
1000+ 11.45 грн
3000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 32
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
13+ 25 грн
100+ 17.39 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 13.18 грн
2000+ 11.39 грн
10000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E onsemi 2sa1416-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.9 грн
500+ 16.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.39 грн
13+ 29.83 грн
48+ 17.61 грн
132+ 16.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E ONSEMI EN2006-D.html Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+43.66 грн
10+ 37.18 грн
48+ 21.14 грн
132+ 20.01 грн
1000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.06 грн
500+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SA1417S-TD-E 2SA1417S-TD-E onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
8+43.4 грн
10+ 37.06 грн
100+ 22.36 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 16.22 грн
2000+ 14.49 грн
5000+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.4 грн
10+ 37.06 грн
100+ 22.36 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.87 грн
2000+ 14.15 грн
5000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417T-TD-E 2SA1417T-TD-E onsemi EN2006-D.html Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.06 грн
500+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.64 грн
25+ 24.37 грн
44+ 19.34 грн
120+ 18.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 557 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+33.17 грн
25+ 30.37 грн
44+ 23.21 грн
120+ 21.91 грн
1000+ 21.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1418S-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 387950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.01 грн
25+ 31.04 грн
100+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.72 грн
100+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1418S-TD-E onsemi EN1788_D-2311220.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.4 грн
10+ 36.67 грн
100+ 23.12 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.91 грн
2000+ 15.04 грн
5000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.25 грн
26+ 23.41 грн
100+ 19.15 грн
250+ 17.55 грн
500+ 15.45 грн
1000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+25.22 грн
560+ 21.39 грн
566+ 21.17 грн
617+ 18.72 грн
1000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 475
2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Sanyo ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1303+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 1303
2SA1418T-TD-E 2SA1418T-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.73 грн
25+ 24.54 грн
50+ 23.57 грн
100+ 21.74 грн
250+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SA1418T-TD-E 2SA1418T-TD-E ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1418T-TD-E 2SA1418T-TD-E onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 326239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1237+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 1237
2SA1418T-TD-E ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA1418T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 326239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E onsemi en2007-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 34.22 грн
100+ 23.71 грн
500+ 18.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E onsemi EN2007_D-2311156.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
9+38.97 грн
11+ 31.67 грн
100+ 22.08 грн
500+ 19.19 грн
1000+ 16.29 грн
2000+ 14.49 грн
5000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1419T-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1434-TB-E 2SA1434-TB-E onsemi 2SA1434-TB-E.pdf?t.download=true&u=axiww2 Description: BIP PNP 0.1A 50V
Packaging: Bulk
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1110
2SA1434-TB-E 2SA1434-TB-E ONSEMI SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1434-TB-E - 2SA1434-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 1336
2SA1435-AA ONSEMI SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1435-AA - 2SA1435-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1886
2SA1435-AA 2SA1435-AA onsemi SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SA1435 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SA1441(016)-S6-AZ 2SA1441(016)-S6-AZ Renesas Electronics Corporation Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1441(2)-S6-AZ 2SA1441(2)-S6-AZ Renesas Electronics Corporation Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1441(5)-S6-AZ 2SA1441(5)-S6-AZ Renesas Electronics Corporation Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1443(1)-S6-AZ 2SA1443(1)-S6-AZ Renesas Electronics Corporation 2SA1443.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: 10A, 100V, PNP
Packaging: Bulk
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1450T-AA ONSEMI SNYOS14257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA1450T-AA - 2SA1450T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4579+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4579
2SA1450T-AA 2SA1450T-AA onsemi SNYOS14257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3806+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2SA1461-T2B-A 2SA1461-T2B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS05594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 510MHz
Supplier Device Package: SC-59
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2704+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1462-T1B-A 2SA1462-T1B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS05595-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1525389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 1249
2SA1463-T1-AZ 2SA1463-T1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS04587-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 94962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1082+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SA1469R 2SA1469R ONSEMI SNYOS10620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1469R - 2SA1469R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 1106
2SA1469R 2SA1469R onsemi SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 11914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 919
2SA1469R-MBS-LA9 2SA1469R-MBS-LA9 ONSEMI SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA1469R-MBS-LA9 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1106
2SA1469R-MBS-LA9 2SA1469R-MBS-LA9 onsemi SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 919
2SA1469R-MBS-LA9-SY 2SA1469R-MBS-LA9-SY Sanyo SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 919
2SA1400
Код товару: 152651		 datasheet-2sa1400.pdf
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні PNP
fT: TO-251
Uкб, В: 400 V
Iк, А: 400 V
Примітка: 200
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+13.5 грн
2SA1428
Код товару: 152652		 datasheet-2sa1428.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-33
fT: 100 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 А
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
2SA1492
Код товару: 3838		 2sa1492_ds_en.pdf
2SA1492
Виробник: SanKen
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+82.5 грн
2SA1492
Код товару: 200234		 JSMicro_2SA149.pdf
2SA1492
Виробник: JSMicro
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
у наявності: 28 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+75 грн
10+ 68 грн
2SA1494
Код товару: 35748		 2SA1494.pdf
2SA1494
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
fT: 20 MHz
Uке, В: 200 V
Uкб, В: 200 V
Iк, А: 17 A
h21,max: 50
у наявності: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+136 грн
2SA1404E SNYOS07619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1404E
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
398+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 398
2SA1405E SNYOS20806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1405E
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
355+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 355
2SA1405E SNYOS20806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1405E - 2SA1405E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1406D SNYOS20805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1406D - 2SA1406D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+3356.09 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SA1416S-TD-E 2SA1416_D-3150366.pdf
2SA1416S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.42 грн
10+ 34.52 грн
100+ 22.5 грн
500+ 17.67 грн
1000+ 13.6 грн
2000+ 12.35 грн
10000+ 10.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1416S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.07 грн
10+ 31.06 грн
100+ 21.57 грн
500+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1416S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
632+18.96 грн
735+ 16.28 грн
743+ 16.11 грн
802+ 14.4 грн
1000+ 12.85 грн
3000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 632
2SA1416S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1416S-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+19.1 грн
34+ 17.61 грн
100+ 14.58 грн
250+ 13.36 грн
500+ 11.89 грн
1000+ 11.45 грн
3000+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 32
2SA1416T-TD-E 2SA1416_D-3150366.pdf
2SA1416T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.23 грн
13+ 25 грн
100+ 17.39 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 13.18 грн
2000+ 11.39 грн
10000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SA1416T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SA1416T-TD-E 2sa1416-d.pdf
2SA1416T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.82 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.9 грн
500+ 16.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+36.39 грн
13+ 29.83 грн
48+ 17.61 грн
132+ 16.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.66 грн
10+ 37.18 грн
48+ 21.14 грн
132+ 20.01 грн
1000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.06 грн
500+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417S-TD-E EN2006-D.html
2SA1417S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SA1417S-TD-E 2SA1417_D-3150112.pdf
2SA1417S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.4 грн
10+ 37.06 грн
100+ 22.36 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 16.22 грн
2000+ 14.49 грн
5000+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417T-TD-E 2SA1417_D-3150112.pdf
2SA1417T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.4 грн
10+ 37.06 грн
100+ 22.36 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.87 грн
2000+ 14.15 грн
5000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1417T-TD-E EN2006-D.html
2SA1417T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.06 грн
500+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1418S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+27.64 грн
25+ 24.37 грн
44+ 19.34 грн
120+ 18.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SA1418S-TD-E en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1418S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 557 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.17 грн
25+ 30.37 грн
44+ 23.21 грн
120+ 21.91 грн
1000+ 21.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1418S-TD-E ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 387950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1418S-TD-E ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1418S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.01 грн
25+ 31.04 грн
100+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
2SA1418S-TD-E en1788-d.pdf
2SA1418S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 34.72 грн
100+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1418S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SA1418S-TD-E EN1788_D-2311220.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.4 грн
10+ 36.67 грн
100+ 23.12 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.91 грн
2000+ 15.04 грн
5000+ 13.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1418S-TD-E 2sa1418-d.pdf
2SA1418S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1418S-TD-E 2sa1418-d.pdf
2SA1418S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.25 грн
26+ 23.41 грн
100+ 19.15 грн
250+ 17.55 грн
500+ 15.45 грн
1000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SA1418S-TD-E 2sa1418-d.pdf
2SA1418S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
475+25.22 грн
560+ 21.39 грн
566+ 21.17 грн
617+ 18.72 грн
1000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 475
2SA1418S-TD-E ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1418S-TD-E
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1303+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 1303
2SA1418T-TD-E 2sa1418-d.pdf
2SA1418T-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.73 грн
25+ 24.54 грн
50+ 23.57 грн
100+ 21.74 грн
250+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SA1418T-TD-E 2sa1418-d.pdf
2SA1418T-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SA1418T-TD-E en1788-d.pdf
2SA1418T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 326239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1237+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 1237
2SA1418T-TD-E ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 326239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
2SA1419S-TD-E en2007-d.pdf
2SA1419S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 34.22 грн
100+ 23.71 грн
500+ 18.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SA1419S-TD-E EN2007_D-2311156.pdf
2SA1419S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.97 грн
11+ 31.67 грн
100+ 22.08 грн
500+ 19.19 грн
1000+ 16.29 грн
2000+ 14.49 грн
5000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SA1419T-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SA1434-TB-E 2SA1434-TB-E.pdf?t.download=true&u=axiww2
2SA1434-TB-E
Виробник: onsemi
Description: BIP PNP 0.1A 50V
Packaging: Bulk
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1110+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 1110
2SA1434-TB-E SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1434-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1434-TB-E - 2SA1434-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1336+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 1336
2SA1435-AA SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1435-AA - 2SA1435-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1886+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 1886
2SA1435-AA SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1435-AA
Виробник: onsemi
Description: 2SA1435 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1567+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SA1441(016)-S6-AZ
2SA1441(016)-S6-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1441(2)-S6-AZ
2SA1441(2)-S6-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1441(5)-S6-AZ
2SA1441(5)-S6-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1443(1)-S6-AZ 2SA1443.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
2SA1443(1)-S6-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 10A, 100V, PNP
Packaging: Bulk
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+150.25 грн
Мінімальне замовлення: 138
2SA1450T-AA SNYOS14257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1450T-AA - 2SA1450T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4579+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4579
2SA1450T-AA SNYOS14257-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1450T-AA
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3806+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3806
2SA1461-T2B-A RNCCS05594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1461-T2B-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 510MHz
Supplier Device Package: SC-59
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2704+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2704
2SA1462-T1B-A RNCCS05595-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1462-T1B-A
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1525389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1249+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 1249
2SA1463-T1-AZ RNCCS04587-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1463-T1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 94962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1082+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SA1469R SNYOS10620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1469R
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1469R - 2SA1469R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1106+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 1106
2SA1469R SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1469R
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 11914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
919+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 919
2SA1469R-MBS-LA9 SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1469R-MBS-LA9
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1469R-MBS-LA9 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1106+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 1106
2SA1469R-MBS-LA9 SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1469R-MBS-LA9
Виробник: onsemi
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
919+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 919
2SA1469R-MBS-LA9-SY SNYOS10620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SA1469R-MBS-LA9-SY
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
919+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 919
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]