Результат пошуку "2N2222" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5837 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 Гранична частота fT: 250 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В Струм колектора Ic, А: 0,8 А Коефіцієнт передачі струму h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 5018 шт
на замовлення: 4 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A Код товару: 213005
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Semtech |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 Гранична частота fT: 300 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В Струм колектора Ic, А: 0,8 А Коефіцієнт передачі струму h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 10 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A (TO-92) (біполярний транзистор NPN) Код товару: 26080
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 Гранична частота fT: 300 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В Струм колектора Ic, А: 0,8 А Коефіцієнт передачі струму h21: 300 Монтаж: THT |
на замовлення: 120 шт
|
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 11469 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 10132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N2222 | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222 | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 250MHz Power dissipation: 0.625W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 40982 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Case: TO18 Mounting: THT Frequency: 300MHz Power dissipation: 0.5/1.2W Current gain: 40...120 Kind of package: bulk |
на замовлення 11204 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222A | STMicroelectronics |
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3638 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 216846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN |
на замовлення 11334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 42065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 10474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | DIOTEC |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIOкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | SLKOR |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Case: TO18 Mounting: THT Frequency: 300MHz Power dissipation: 0.5W Kind of package: bulk |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 24632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 14829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N2222A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW |
на замовлення 2651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222A-DIO | Diotec | 2N2222A-DIO 2N2222A Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Транзистори |
на замовлення 241 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222AE3 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222AE3 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222AE3 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2222AE4 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
2N2222AUA | TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMDPackaging: Tray Package / Case: 4-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUA | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMDPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222AUA | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 9672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222AUB | TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY |
Description: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY - 2N2222AUB - TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V-BR-CEO,800MA IC SMTtariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: Unknown rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: Unknown Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 110 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Optek / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
2N2222AUBC | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222AUBC | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2222/2907 | ?? | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N2222/2N2907 | FSC | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N22222N2907 |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||||
| 2N2222A | MICROSEMI |
TO-18NPN Transistor 2N2222Aкількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2222 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 250 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 250 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 5018 шт
- 4994 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 2N2222A Код товару: 213005
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Semtech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| 2N2222A (TO-92) (біполярний транзистор NPN) Код товару: 26080
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 40 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 75 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
на замовлення: 120 шт
- 120 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| 2N2222 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 11469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.79 грн |
| 13+ | 34.88 грн |
| 25+ | 20.82 грн |
| 100+ | 18.71 грн |
| 500+ | 16.59 грн |
| 2N2222 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 10132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222 |
![]() |
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 16.96 грн |
| 2N2222 |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 16.96 грн |
| 2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.10 грн |
| 10+ | 151.31 грн |
| 100+ | 104.90 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 73.86 грн |
| 2000+ | 68.83 грн |
| 2N2222 TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.625W
Kind of package: Ammo Pack
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.625W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 40982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 5.47 грн |
| 87+ | 4.91 грн |
| 91+ | 4.66 грн |
| 109+ | 3.89 грн |
| 500+ | 2.69 грн |
| 1000+ | 2.34 грн |
| 4000+ | 1.87 грн |
| 8000+ | 1.71 грн |
| 12000+ | 1.64 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.5/1.2W
Current gain: 40...120
Kind of package: bulk
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.5/1.2W
Current gain: 40...120
Kind of package: bulk
на замовлення 11204 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.79 грн |
| 12+ | 35.38 грн |
| 30+ | 21.16 грн |
| 100+ | 19.05 грн |
| 500+ | 16.85 грн |
| 1000+ | 16.00 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.98 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 265.68 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 261.54 грн |
| 100+ | 252.60 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 261.54 грн |
| 100+ | 252.60 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 216846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
на замовлення 11334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 42065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5837+ | 2.42 грн |
| 7143+ | 1.98 грн |
| 12000+ | 1.80 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 10474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.21 грн |
| 100+ | 175.45 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.33 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 16.54 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 16.54 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.10 грн |
| 2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: bulk
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Case: TO18
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: bulk
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 197.82 грн |
| 5+ | 156.60 грн |
| 10+ | 140.52 грн |
| 25+ | 119.36 грн |
| 100+ | 94.81 грн |
| 500+ | 93.96 грн |
| 2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 24632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 236.56 грн |
| 10+ | 148.18 грн |
| 100+ | 102.94 грн |
| 500+ | 78.48 грн |
| 1000+ | 72.65 грн |
| 2000+ | 67.76 грн |
| 6000+ | 62.58 грн |
| 2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 14829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222A TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222A-DIO |
Виробник: Diotec
2N2222A-DIO 2N2222A Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Транзистори
2N2222A-DIO 2N2222A Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Транзистори
на замовлення 241 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 241+ | 3.23 грн |
| 2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 305.39 грн |
| 100+ | 273.29 грн |
| 2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222AE4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AUA |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2042.78 грн |
| 2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1835.50 грн |
| 2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 9672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 390.83 грн |
| 100+ | 349.59 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2354.50 грн |
| 100+ | 2093.00 грн |
| 250+ | 2012.78 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Description: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY - 2N2222AUB - TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V-BR-CEO,800MA IC SMT
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: Unknown
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: Unknown
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: TT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY - 2N2222AUB - TRANSISTOR,BJT,NPN,40V V-BR-CEO,800MA IC SMT
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: Unknown
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: Unknown
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 496.93 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek Technology (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 120+ | 5134.13 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 496.93 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 439.89 грн |
| 2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 373.20 грн |
| 2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7040.95 грн |
| 2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N2222AUBC |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 7722.35 грн |
| 5+ | 5266.20 грн |
| 10+ | 4846.41 грн |
| 25+ | 3198.74 грн |
| 50+ | 2867.82 грн |
| 2N2222AUBC |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N2222/2907 |
Виробник: ??
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2N2222/2N2907 |
Виробник: FSC
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]























