Результат пошуку "2N2222" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 84
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 27
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 32
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3481
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 46
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 106
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 26
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 120
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 150
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 250 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 6604 шт
6420 шт - склад
174 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222A Код товару: 213005
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Semtech |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 112 шт
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 8 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 15012 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222 | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222 | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222 T2N2222кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz |
на замовлення 39953 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222A | STMicroelectronics |
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Група товару: Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3638 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 20062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 40V 600MA NPN TO-92Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 95005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TO-18 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 315377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN |
на замовлення 30571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 39953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92Packaging: Strip Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 25286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N2222A | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | SLKOR |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | DIOTEC |
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIOкількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 6590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A | CDIL |
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222aкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 8839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 13653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW |
на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222A-DIO 2N2222A | Diotec | Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 241 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2N2222AE3 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
2N2222AE3 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AE3 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222AE3 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2N2222AE3 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2N2222AE4 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222AUA | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMDPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N2222AUA | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
2N2222AUA | TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMDPackaging: Tray Package / Case: 4-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Optek / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMDPackaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 6604 шт
6420 шт - склад
174 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
174 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 2N2222A Код товару: 213005
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Semtech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 112 шт
89 шт - РАДІОМАГ-Київ
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| 2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.40 грн |
| 2N2222 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 15012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.45 грн |
| 13+ | 34.49 грн |
| 25+ | 20.69 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
| 2N2222 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 75.50 грн |
| 20+ | 42.48 грн |
| 100+ | 31.63 грн |
| 500+ | 24.45 грн |
| 1000+ | 20.69 грн |
| 5000+ | 18.87 грн |
| 2N2222 |
![]() |
на замовлення 144 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.99 грн |
| 2N2222 |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.99 грн |
| 2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.58 грн |
| 10+ | 135.01 грн |
| 100+ | 86.65 грн |
| 500+ | 70.58 грн |
| 1000+ | 64.92 грн |
| 2000+ | 61.85 грн |
| 2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 130.18 грн |
| 2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.85 грн |
| 10+ | 140.81 грн |
| 100+ | 97.63 грн |
| 500+ | 74.30 грн |
| 1000+ | 68.74 грн |
| 2N2222 TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.03 грн |
| 10+ | 159.12 грн |
| 100+ | 108.32 грн |
| 500+ | 90.85 грн |
| 1000+ | 83.86 грн |
| 2000+ | 71.28 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
на замовлення 39953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 5.44 грн |
| 100+ | 4.21 грн |
| 109+ | 3.87 грн |
| 139+ | 3.03 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| 4000+ | 1.80 грн |
| 8000+ | 1.60 грн |
| 12000+ | 1.49 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.45 грн |
| 13+ | 34.82 грн |
| 30+ | 20.86 грн |
| 100+ | 18.84 грн |
| 500+ | 16.66 грн |
| 1000+ | 15.98 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Група товару: Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.3A, P=0.5W, B=100-300@Ic=150mA, Ft=250 MHz, -65 to +200C)... Група товару: Транзистори Корпус: TO-18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.98 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 256.23 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.03 грн |
| 10+ | 111.59 грн |
| 100+ | 76.60 грн |
| 500+ | 57.86 грн |
| 1000+ | 53.35 грн |
| 2000+ | 49.56 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 20062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.01 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 95005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 7.08 грн |
| 71+ | 4.32 грн |
| 114+ | 2.66 грн |
| 500+ | 1.79 грн |
| 1000+ | 1.56 грн |
| 2000+ | 1.37 грн |
| 5000+ | 1.14 грн |
| 10000+ | 1.01 грн |
| 50000+ | 0.79 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.79 грн |
| 44+ | 7.04 грн |
| 100+ | 4.33 грн |
| 500+ | 2.95 грн |
| 1000+ | 2.59 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 315377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 72.32 грн |
| 21+ | 40.36 грн |
| 100+ | 30.08 грн |
| 500+ | 23.32 грн |
| 1000+ | 19.71 грн |
| 5000+ | 18.10 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
на замовлення 30571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.52 грн |
| 44+ | 7.47 грн |
| 100+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.33 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 4000+ | 2.80 грн |
| 8000+ | 1.89 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.65 грн |
| 61+ | 5.00 грн |
| 105+ | 2.89 грн |
| 500+ | 2.11 грн |
| 1000+ | 1.81 грн |
| 2000+ | 1.64 грн |
| 3000+ | 1.51 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 2.24 грн |
| 8000+ | 1.93 грн |
| 12000+ | 1.81 грн |
| 20000+ | 1.57 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.82 грн |
| 12000+ | 2.03 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 256.23 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 39953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3481+ | 3.72 грн |
| 4298+ | 3.01 грн |
| 8000+ | 2.66 грн |
| 12000+ | 2.40 грн |
| 24000+ | 1.95 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 25286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.52 грн |
| 14+ | 23.01 грн |
| 100+ | 14.66 грн |
| 500+ | 10.36 грн |
| 1000+ | 9.26 грн |
| 2000+ | 8.34 грн |
| 5000+ | 7.22 грн |
| 10000+ | 6.61 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 260.94 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.40 грн |
| 100+ | 173.08 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 17.77 грн |
| 68+ | 12.07 грн |
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 7.57 грн |
| 1000+ | 6.04 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.57 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.02 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 1.26 грн |
| 2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.57 грн |
| 2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 195.67 грн |
| 5+ | 153.94 грн |
| 10+ | 138.79 грн |
| 25+ | 117.76 грн |
| 100+ | 93.37 грн |
| 2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.93 грн |
| 10+ | 132.60 грн |
| 100+ | 85.96 грн |
| 500+ | 71.98 грн |
| 1000+ | 67.30 грн |
| 2000+ | 64.99 грн |
| 2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 13653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 233.49 грн |
| 10+ | 146.19 грн |
| 100+ | 101.55 грн |
| 500+ | 77.42 грн |
| 1000+ | 71.67 грн |
| 2000+ | 66.84 грн |
| 6000+ | 61.74 грн |
| 2N2222A TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.45 грн |
| 10+ | 166.35 грн |
| 100+ | 113.91 грн |
| 500+ | 95.04 грн |
| 1000+ | 81.76 грн |
| 2000+ | 77.57 грн |
| 10000+ | 76.87 грн |
| 2N2222A-DIO 2N2222A |
Виробник: Diotec
Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,6А, 625мВт, TO92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 2.96 грн |
| 2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 301.11 грн |
| 100+ | 269.60 грн |
| 2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.33 грн |
| 2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 508.31 грн |
| 50+ | 456.56 грн |
| 100+ | 420.04 грн |
| 2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 415.43 грн |
| 2N2222AE4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.83 грн |
| 2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1810.56 грн |
| 100+ | 1619.51 грн |
| 2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1900.45 грн |
| 2N2222AUA |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2014.97 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2326.03 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.23 грн |
| 100+ | 344.88 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek Technology (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 120+ | 4706.29 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2322.37 грн |
| 100+ | 2064.75 грн |
| 250+ | 1985.61 грн |
| 2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 404.39 грн |
| 2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.62 грн |
| 150+ | 410.66 грн |
| 2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 368.16 грн |
| 2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 433.97 грн |
| 2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6880.27 грн |
| 10+ | 6376.94 грн |
| 100+ | 5178.28 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]


























