Результат пошуку "2N2222" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 85
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 51
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 55
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3779
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 27
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 106
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 17
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 26
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 120
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 150
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-92 fT: 250 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 1154 шт
298 шт - склад
406 шт - РАДІОМАГ-Київ 240 шт - РАДІОМАГ-Львів 210 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222A Код товару: 213005
Додати до обраних
Обраний товар
|
Semtech |
![]() Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 3317 шт
3317 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 452 шт
52 шт - РАДІОМАГ-Київ
233 шт - РАДІОМАГ-Львів 167 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 19166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 194 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz |
на замовлення 43648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Lumimax Optoelectronic Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 15360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 29777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 43648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 7564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 5072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Strip Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222A | DIOTEC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222A | CDIL |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222A | SLKOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222A | DIOTEC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 15414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW |
на замовлення 2426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222A; биполярный; NPN CDIL 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-18; 300Mhz (шт) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AE3 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
2N2222AE4 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUA | TT Electronics/Optek Technology |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 4-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AUA | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUA | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUA | Optek / TT Electronics |
![]() |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 5488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Optek Technology (TT electronics) |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | TT Electronics/Optek Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Optek / TT Electronics |
![]() |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N2222AUB/TR | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 1154 шт
298 шт - склад
406 шт - РАДІОМАГ-Київ
240 шт - РАДІОМАГ-Львів
210 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
406 шт - РАДІОМАГ-Київ
240 шт - РАДІОМАГ-Львів
210 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 2.00 грн |
16+ | 1.30 грн |
100+ | 1.00 грн |
2N2222A Код товару: 213005
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Semtech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 3317 шт
3317 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 2.50 грн |
10+ | 2.10 грн |
100+ | 1.80 грн |
1000+ | 1.40 грн |
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 452 шт
52 шт - РАДІОМАГ-Київ
233 шт - РАДІОМАГ-Львів
167 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
233 шт - РАДІОМАГ-Львів
167 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 2.50 грн |
10+ | 2.10 грн |
100+ | 1.80 грн |
1000+ | 1.40 грн |
2N2222 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 19166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 55.16 грн |
11+ | 35.93 грн |
25+ | 21.51 грн |
58+ | 16.00 грн |
160+ | 15.13 грн |
2N2222 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.19 грн |
7+ | 44.77 грн |
25+ | 25.81 грн |
58+ | 19.19 грн |
160+ | 18.15 грн |
2N2222 |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 15.57 грн |
2N2222 |
![]() ![]() |
на замовлення 194 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 15.57 грн |
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.38 грн |
10+ | 139.46 грн |
100+ | 96.75 грн |
500+ | 73.63 грн |
1000+ | 68.12 грн |
2000+ | 63.48 грн |
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.92 грн |
10+ | 146.14 грн |
100+ | 93.80 грн |
500+ | 76.40 грн |
1000+ | 70.27 грн |
2000+ | 66.94 грн |
2N2222 TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.39 грн |
10+ | 172.24 грн |
100+ | 117.24 грн |
500+ | 98.33 грн |
1000+ | 90.77 грн |
2000+ | 77.15 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
на замовлення 43648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
85+ | 5.03 грн |
105+ | 3.78 грн |
109+ | 3.62 грн |
140+ | 2.83 грн |
250+ | 2.55 грн |
500+ | 2.32 грн |
822+ | 1.13 грн |
2257+ | 1.06 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.00 грн |
11+ | 36.40 грн |
30+ | 21.75 грн |
57+ | 16.39 грн |
156+ | 15.52 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.20 грн |
7+ | 45.36 грн |
30+ | 26.10 грн |
57+ | 19.67 грн |
156+ | 18.63 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
51+ | 6.04 грн |
63+ | 4.71 грн |
66+ | 4.35 грн |
100+ | 3.39 грн |
250+ | 3.05 грн |
500+ | 2.79 грн |
822+ | 1.35 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.01 грн |
10+ | 117.17 грн |
100+ | 80.46 грн |
500+ | 60.78 грн |
1000+ | 56.04 грн |
2000+ | 52.06 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 6.63 грн |
52+ | 6.08 грн |
127+ | 2.50 грн |
500+ | 1.71 грн |
1000+ | 1.46 грн |
2000+ | 1.27 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 223.13 грн |
100+ | 215.20 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
на замовлення 29777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 14.38 грн |
37+ | 9.66 грн |
100+ | 7.11 грн |
500+ | 5.67 грн |
1000+ | 4.92 грн |
4000+ | 3.18 грн |
8000+ | 1.66 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 239.33 грн |
100+ | 232.50 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
45+ | 7.36 грн |
73+ | 4.33 грн |
120+ | 2.63 грн |
500+ | 1.78 грн |
1000+ | 1.55 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 43648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3779+ | 3.24 грн |
4886+ | 2.51 грн |
8000+ | 2.12 грн |
24000+ | 1.58 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 7564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 12.27 грн |
46+ | 6.93 грн |
100+ | 4.29 грн |
500+ | 2.93 грн |
1000+ | 2.57 грн |
2000+ | 2.26 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.74 грн |
100+ | 200.94 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 239.07 грн |
100+ | 230.57 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 38.46 грн |
14+ | 23.09 грн |
100+ | 14.66 грн |
500+ | 10.36 грн |
1000+ | 9.27 грн |
2000+ | 8.34 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 2.22 грн |
8000+ | 1.91 грн |
12000+ | 1.79 грн |
20000+ | 1.56 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 1.16 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 17.03 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 0.93 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 1.16 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 203.65 грн |
5+ | 160.74 грн |
10+ | 95.34 грн |
27+ | 90.61 грн |
500+ | 89.82 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
106+ | 115.99 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 15414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.74 грн |
10+ | 144.82 грн |
100+ | 100.64 грн |
500+ | 76.72 грн |
1000+ | 71.03 грн |
2000+ | 66.24 грн |
6000+ | 64.85 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 16545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.56 грн |
10+ | 152.23 грн |
100+ | 96.82 грн |
500+ | 78.67 грн |
1000+ | 72.84 грн |
2000+ | 70.35 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 124.28 грн |
100+ | 123.04 грн |
500+ | 105.50 грн |
1000+ | 90.56 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 163.40 грн |
2N2222A TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.75 грн |
10+ | 180.07 грн |
100+ | 123.30 грн |
500+ | 110.44 грн |
2000+ | 93.80 грн |
2N2222A; биполярный; NPN CDIL 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-18; 300Mhz (шт) |
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.51 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 325.59 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 342.41 грн |
100+ | 313.16 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
26+ | 481.74 грн |
50+ | 431.74 грн |
100+ | 397.12 грн |
2N2222AE3 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 316.66 грн |
100+ | 283.20 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222AE4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 301.81 грн |
100+ | 275.75 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2116.79 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2057.08 грн |
100+ | 1883.29 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1902.41 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2795.72 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 405.03 грн |
100+ | 362.28 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 437.71 грн |
100+ | 401.02 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek Technology (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
120+ | 3930.49 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2440.00 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2851.32 грн |
270+ | 2755.78 грн |
2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
150+ | 386.74 грн |
2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 455.76 грн |
2N2222AUB/TR |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 450.95 грн |
100+ | 413.19 грн |
150+ | 359.30 грн |
2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7026.37 грн |
10+ | 6772.90 грн |
100+ | 5453.78 грн |
2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6558.18 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]