Результат пошуку "2N2222" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 21
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 49
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2156
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 41
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 45
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 105
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 34
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 227
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 120
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-92 fT: 250 MHz Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 3027 шт
1847 шт - склад
553 шт - РАДІОМАГ-Київ 305 шт - РАДІОМАГ-Львів 15 шт - РАДІОМАГ-Харків 307 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 40 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 300 Монтаж: THT |
у наявності: 847 шт
65 шт - склад
245 шт - РАДІОМАГ-Київ 264 шт - РАДІОМАГ-Львів 273 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 20994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 | MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 244 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222 | CDIL |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 4617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222 PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
2N2222 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222A | Diotec |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() +1 |
2N2222A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5/1.2W Case: TO18 Current gain: 40...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 45733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Lumimax Optoelectronic Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 18060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 4785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 17939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
2N2222A | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222A | CDIL |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222A | SLKOR |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222A | DIOTEC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222A | DIOTEC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A PBFREE | Central Semiconductor Corp |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 16066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222A TIN/LEAD | Central Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222A; биполярный; NPN CDIL 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-18; 300Mhz (шт) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AE3 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222AE4 | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N2222AP; биполярный; NPN; 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-92; 300Mhz; CDIL (шт) |
на замовлення 227 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUA | Optek / TT Electronics |
![]() |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AUA | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUA | TT Electronics/Optek Technology |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 4-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUA | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Optek Technology (TT electronics) |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | TT Electronics/Optek Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB | Optek / TT Electronics |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2N2222AUB1 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N2222/2907 | ?? | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
2N2222/2N2907 | FSC | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
2N22222N2907 |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
2N2222A | MICROSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
2N2222 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4035
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 3027 шт
1847 шт - склад
553 шт - РАДІОМАГ-Київ
305 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
307 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
553 шт - РАДІОМАГ-Київ
305 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
307 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.30 грн |
100+ | 1.00 грн |
2N2222A (TO-92) (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26080
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 847 шт
65 шт - склад
245 шт - РАДІОМАГ-Київ
264 шт - РАДІОМАГ-Львів
273 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
245 шт - РАДІОМАГ-Київ
264 шт - РАДІОМАГ-Львів
273 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 2.50 грн |
10+ | 2.10 грн |
100+ | 1.80 грн |
1000+ | 1.40 грн |
2N2222 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 20994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 55.67 грн |
12+ | 35.95 грн |
25+ | 21.63 грн |
59+ | 16.14 грн |
160+ | 15.27 грн |
2N2222 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.80 грн |
7+ | 44.80 грн |
25+ | 25.96 грн |
59+ | 19.37 грн |
160+ | 18.32 грн |
2N2222 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 800 mA, 1.2 W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 107.92 грн |
10+ | 86.50 грн |
100+ | 61.84 грн |
500+ | 40.24 грн |
1000+ | 26.50 грн |
5000+ | 23.20 грн |
2N2222 |
![]() ![]() |
на замовлення 244 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 15.53 грн |
2N2222 |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 15.53 грн |
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.51 грн |
10+ | 162.43 грн |
25+ | 129.79 грн |
100+ | 98.49 грн |
500+ | 80.17 грн |
1000+ | 74.21 грн |
2000+ | 70.77 грн |
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.47 грн |
10+ | 141.09 грн |
100+ | 97.82 грн |
500+ | 74.45 грн |
1000+ | 68.87 грн |
2000+ | 64.19 грн |
2N2222 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222 TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 500mW
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.92 грн |
10+ | 178.23 грн |
100+ | 122.92 грн |
500+ | 103.07 грн |
1000+ | 87.80 грн |
2000+ | 83.98 грн |
4000+ | 81.69 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.53 грн |
11+ | 36.58 грн |
30+ | 21.87 грн |
57+ | 16.46 грн |
157+ | 15.51 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 20.56 грн |
100+ | 3.98 грн |
114+ | 3.50 грн |
149+ | 2.67 грн |
168+ | 2.38 грн |
250+ | 2.02 грн |
500+ | 1.75 грн |
823+ | 1.14 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN; 40V; 600mA; 625mW; TO92
Транз. Бипол. ММ NPN; 40V; 600mA; 625mW; TO92
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 72.80 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.67 грн |
60+ | 4.96 грн |
69+ | 4.20 грн |
90+ | 3.21 грн |
101+ | 2.85 грн |
250+ | 2.42 грн |
500+ | 2.10 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.5/1.2W; TO18
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.5/1.2W
Case: TO18
Current gain: 40...120
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.83 грн |
7+ | 45.59 грн |
30+ | 26.24 грн |
57+ | 19.76 грн |
157+ | 18.61 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MULTICOMP PRO - 2N2222A - Bipolartransistor (BJT), einfach, hohe Schaltfrequenz, NPN, 40V, 1.2W, 800mA, TO-18
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 106.20 грн |
11+ | 84.88 грн |
100+ | 60.64 грн |
500+ | 39.45 грн |
1000+ | 25.99 грн |
5000+ | 22.76 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 213.96 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 18060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
49+ | 6.77 грн |
52+ | 6.16 грн |
100+ | 3.42 грн |
200+ | 2.88 грн |
500+ | 2.57 грн |
1000+ | 1.92 грн |
2000+ | 1.73 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2156+ | 13.29 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.78 грн |
10+ | 118.50 грн |
100+ | 81.36 грн |
500+ | 61.45 грн |
1000+ | 56.66 грн |
2000+ | 52.64 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - 2N2222A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 21.33 грн |
69+ | 12.50 грн |
104+ | 8.25 грн |
500+ | 6.95 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN
на замовлення 17939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 23.25 грн |
27+ | 13.43 грн |
100+ | 7.71 грн |
500+ | 7.02 грн |
1000+ | 3.89 грн |
4000+ | 2.14 грн |
8000+ | 1.45 грн |
2N2222A |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222A |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: 40V 600MA NPN TO-92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
45+ | 7.43 грн |
73+ | 4.37 грн |
120+ | 2.66 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A REE; 2N2222A-CEN; 2N2222A CDIL T2N2222a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 16.99 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO); 2N2222A SLKOR T2N2222a SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 1.01 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 1.22 грн |
2N2222A |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
Transistor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: 2N2222A-DIO; 2N2222A T2N2222a p DIO
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 1.22 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
105+ | 116.92 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 108.57 грн |
100+ | 100.77 грн |
500+ | 91.23 грн |
1000+ | 80.16 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.59 грн |
10+ | 164.19 грн |
25+ | 142.01 грн |
100+ | 102.31 грн |
500+ | 83.22 грн |
1000+ | 77.11 грн |
2000+ | 74.21 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 165.40 грн |
2N2222A PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 16066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.72 грн |
10+ | 146.41 грн |
100+ | 101.76 грн |
500+ | 77.57 грн |
1000+ | 71.82 грн |
2000+ | 66.97 грн |
6000+ | 65.57 грн |
2N2222A TIN/LEAD |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 500mW
на замовлення 3526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.39 грн |
10+ | 187.02 грн |
100+ | 129.79 грн |
500+ | 108.41 грн |
1000+ | 106.89 грн |
2000+ | 90.09 грн |
2N2222A; биполярный; NPN CDIL 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-18; 300Mhz (шт) |
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 20.38 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 320.44 грн |
100+ | 286.35 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 361.64 грн |
100+ | 331.01 грн |
2N2222AE3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 281.50 грн |
2N2222AE4 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 318.88 грн |
100+ | 292.38 грн |
2N2222AP; биполярный; NPN; 40V; 0.8A; 0.5W; корпус: TO-92; 300Mhz; CDIL (шт) |
на замовлення 227 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
227+ | 2.91 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. Transistor 4 Pin
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2933.17 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2172.49 грн |
100+ | 1988.68 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Tray
Package / Case: 4-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2140.69 грн |
2N2222AUA |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: 4-SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1923.48 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek Technology (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 300mW 4-Pin LCC1 Waffle
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
120+ | 3574.05 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: TT Electronics/Optek Technology
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A CERAMIC SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-LCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 15mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: Ceramic SMD
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2466.91 грн |
100+ | 2193.02 грн |
250+ | 2108.97 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 462.29 грн |
100+ | 423.20 грн |
2N2222AUB |
![]() |
Виробник: Optek / TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2991.96 грн |
270+ | 2891.27 грн |
2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6075.13 грн |
2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7565.86 грн |
10+ | 6808.05 грн |
2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6542.45 грн |
2N2222AUB1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6569.89 грн |
2N2222/2907 |
Виробник: ??
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2N2222/2N2907 |
Виробник: FSC
08+
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]