Результат пошуку "2SB11" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SB1143S 2SB1143S onsemi 2SB1143,2SD1683.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bag
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 292393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SB1143T ONSEMI ONSMS36740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1143T - 2SB1143T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1200
2SB1143T 2SB1143T onsemi 2SB1143,2SD1683.pdf Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
860+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 860
2SB1144S ONSEMI SNYOS05266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1144S - 2SB1144S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 1687
2SB1144S onsemi SNYOS05266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 13694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SB1150-AZ 2SB1150-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS02983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 406
2SB1151-AZ 2SB1151-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS03121-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 12546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 332
2SB1151-S1-AZ 2SB1151-S1-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS03121-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 332
2SB1165S 2SB1165S onsemi SNYOS08493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SB1165S ONSEMI SNYOS08493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1165S - 2SB1165S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 1145
2SB1166S ONSEMI SNYOS08458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1166S - 2SB1166S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 729
2SB1166S 2SB1166S onsemi SNYOS08458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 606
2SB1167S ONSEMI SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 1188
2SB1167S 2SB1167S onsemi SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 987
2SB1167T ONSEMI SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1167T - 2SB1167T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 158315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 1145
2SB1167T 2SB1167T onsemi SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 158315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SB1168S 2SB1168S onsemi SSCLS00205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 21284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 701
2SB1168S ONSEMI SSCLS00205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SB1168S - 2SB1168S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 844
2SB1181TLQ 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+45 грн
269+ 43.2 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SB1181TLQ 2SB1181TLQ ROHM Semiconductor SOT428-v1.jpg Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.7 грн
10+ 57.15 грн
100+ 38.69 грн
500+ 32 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 22.46 грн
5000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLQ 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+45 грн
269+ 43.2 грн
500+ 41.64 грн
1000+ 38.84 грн
2500+ 34.9 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SB1181TLQ 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor SOT428-v1.jpg Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.77 грн
10+ 46.73 грн
100+ 36.32 грн
500+ 28.89 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLR 2SB1181TLR Rohm Semiconductor SOT428_2-v1.jpg Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.77 грн
10+ 46.73 грн
100+ 36.32 грн
500+ 28.89 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLR ROHM Semiconductor SOT428_2-v1.jpg Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.23 грн
10+ 53.34 грн
100+ 36.11 грн
500+ 30.28 грн
1000+ 24.32 грн
2500+ 22.73 грн
5000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLQ 2SB1182TLQ Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.52 грн
10+ 54.8 грн
100+ 42.63 грн
500+ 33.91 грн
1000+ 27.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLQ 2SB1182TLQ Rohm Semiconductor 1642sb1182.pdf Trans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+39.19 грн
309+ 37.62 грн
Мінімальне замовлення: 297
2SB1182TLQ 2SB1182TLQ Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SB1182TLQ 2SB1182TLQ Rohm Semiconductor 1642sb1182.pdf Trans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+39.19 грн
309+ 37.62 грн
500+ 36.26 грн
1000+ 33.83 грн
2500+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 297
2SB1182TLR 2SB1182TLR Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.92 грн
10+ 48.24 грн
100+ 37.56 грн
500+ 29.87 грн
1000+ 24.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLR ROHM Semiconductor rohm semiconductor_2sb1188-1201465.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.7 грн
10+ 52.88 грн
100+ 35.78 грн
500+ 30.35 грн
1000+ 24.71 грн
2500+ 23.26 грн
5000+ 22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1188 2SB1188 LUGUANG ELECTRONIC 2SB1188.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.2 грн
100+ 3.73 грн
250+ 3.34 грн
290+ 2.75 грн
800+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 80
2SB1188 2SB1188 LUGUANG ELECTRONIC 2SB1188.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.24 грн
60+ 4.64 грн
250+ 4.01 грн
290+ 3.3 грн
800+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SB1188-Q-TP 2SB1188-Q-TP Micro Commercial Components 2sb1188sot-89.pdf Trans GP BJT PNP 32V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 391000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SB1188T100P ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms10503-1-1742597.pdf Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 2A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.3 грн
10+ 38.1 грн
100+ 24.78 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 12.32 грн
10000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100Q 2SB1188T100Q Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.29 грн
10+ 34.65 грн
100+ 24.09 грн
500+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100Q ROHM Semiconductor rohmsemiconductor_2SB1182_1188_1240-1201735.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89
на замовлення 16974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.81 грн
10+ 31.16 грн
100+ 21.07 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 12.32 грн
10000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1188T100Q 2SB1188T100Q Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.88 грн
2000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1188T100Q 2SB1188T100Q ROHM ROHMS10503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.74 грн
22+ 33.89 грн
100+ 23.64 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SB1188T100Q 2SB1188T100Q ROHM ROHMS10503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.64 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1188T100Q ROHM - Japan 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf PNP -2A -32V 500mW 100MHz 2SB1188 T2SB1188
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SB1188T100QCT Rohm Транзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 2; ft, МГц = 100; hFE = 120 @ 500 мА, 3 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 200 мA, 2 А; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+48 грн
100+ 31.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SB1188T100R 2SB1188T100R Rohm Semiconductor 2sb1188.pdf Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1188T100R 2SB1188T100R Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.29 грн
10+ 34.65 грн
100+ 24.09 грн
500+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100R 2SB1188T100R Rohm Semiconductor 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.88 грн
2000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1189T100Q 2SB1189T100Q Rohm Semiconductor 2SB1189%2C1238_RevB.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.57 грн
10+ 34.44 грн
100+ 23.93 грн
500+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1189T100Q 2SB1189T100Q Rohm Semiconductor 2SB1189%2C1238_RevB.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.77 грн
2000+ 13.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1189T100Q 2SB1189T100Q ROHM Semiconductor 2sb1189-209556.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.6 грн
10+ 37.79 грн
100+ 22.86 грн
500+ 17.89 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 12.26 грн
10000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1189T100R 2SB1189T100R ROHM Semiconductor 2SB1189%2C1238_RevB.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.6 грн
10+ 37.87 грн
100+ 24.58 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 14.31 грн
2000+ 13.05 грн
10000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 PanJit Semiconductor 2SB1197A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.41 грн
55+ 6.35 грн
100+ 5.73 грн
170+ 4.69 грн
465+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 PanJit Semiconductor 2SB1197A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.49 грн
35+ 7.91 грн
100+ 6.87 грн
170+ 5.63 грн
465+ 5.38 грн
9000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SB1197A.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 Panjit 2SB1197A-1875166.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
15+ 21.49 грн
100+ 8.35 грн
1000+ 6.56 грн
3000+ 5.7 грн
9000+ 4.97 грн
24000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SB1197A.pdf Description: TRANS PNP 50V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.67 грн
15+ 19.6 грн
100+ 9.88 грн
500+ 8.22 грн
1000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor 2sb1197k-e.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q ROHM 2sb1197k-e.pdf Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.01 грн
42+ 18.06 грн
100+ 7.51 грн
500+ 5.18 грн
1000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q ROHM Semiconductor ROHM_S_A0004715837_1-2561972.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
15+ 20.57 грн
100+ 7.75 грн
1000+ 5.83 грн
3000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor 2sb1197k-e.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+10.53 грн
1141+ 10.18 грн
Мінімальне замовлення: 1103
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor 2sb1197k-e.pdf Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
15+ 18.77 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.87 грн
1000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1197KT146Q 2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor 2sb1197k-e.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 31955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+3.56 грн
3410+ 3.41 грн
3457+ 3.36 грн
5748+ 1.95 грн
6000+ 1.79 грн
12000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3261
2SB1197KT146R 2SB1197KT146R ROHM Semiconductor ROHM_S_A0004715837_1-2561972.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
15+ 20.57 грн
100+ 9.61 грн
1000+ 6.23 грн
3000+ 5.04 грн
9000+ 4.84 грн
24000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1143S 2SB1143,2SD1683.pdf
2SB1143S
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bag
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 292393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1268+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SB1143T ONSMS36740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1143T - 2SB1143T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1200+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 1200
2SB1143T 2SB1143,2SD1683.pdf
2SB1143T
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
860+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 860
2SB1144S SNYOS05266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1144S - 2SB1144S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1687+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 1687
2SB1144S SNYOS05266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 13694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SB1150-AZ NECCS02983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1150-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
406+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 406
2SB1151-AZ NECCS03121-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1151-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 12546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 332
2SB1151-S1-AZ NECCS03121-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1151-S1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 332
2SB1165S SNYOS08493-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1165S
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SB1165S SNYOS08493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1165S - 2SB1165S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1145+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 1145
2SB1166S SNYOS08458-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1166S - 2SB1166S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
729+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 729
2SB1166S SNYOS08458-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1166S
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 606
2SB1167S SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1188+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 1188
2SB1167S SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1167S
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
987+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 987
2SB1167T SSCLS00204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1167T - 2SB1167T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 158315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1145+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 1145
2SB1167T SSCLS00204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1167T
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 158315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SB1168S SSCLS00205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SB1168S
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 21284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 701
2SB1168S SSCLS00205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1168S - 2SB1168S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
844+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 844
2SB1181TLQ 5281269815057512sb1260.pdf
2SB1181TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
259+45 грн
269+ 43.2 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SB1181TLQ SOT428-v1.jpg
2SB1181TLQ
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.7 грн
10+ 57.15 грн
100+ 38.69 грн
500+ 32 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 22.46 грн
5000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLQ 5281269815057512sb1260.pdf
2SB1181TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
259+45 грн
269+ 43.2 грн
500+ 41.64 грн
1000+ 38.84 грн
2500+ 34.9 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SB1181TLQ SOT428-v1.jpg
2SB1181TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.77 грн
10+ 46.73 грн
100+ 36.32 грн
500+ 28.89 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLR SOT428_2-v1.jpg
2SB1181TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.77 грн
10+ 46.73 грн
100+ 36.32 грн
500+ 28.89 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLR SOT428_2-v1.jpg
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.23 грн
10+ 53.34 грн
100+ 36.11 грн
500+ 30.28 грн
1000+ 24.32 грн
2500+ 22.73 грн
5000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLQ 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf
2SB1182TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.52 грн
10+ 54.8 грн
100+ 42.63 грн
500+ 33.91 грн
1000+ 27.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLQ 1642sb1182.pdf
2SB1182TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
297+39.19 грн
309+ 37.62 грн
Мінімальне замовлення: 297
2SB1182TLQ 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf
2SB1182TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SB1182TLQ 1642sb1182.pdf
2SB1182TLQ
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
297+39.19 грн
309+ 37.62 грн
500+ 36.26 грн
1000+ 33.83 грн
2500+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 297
2SB1182TLR 2SB1182%2C1240_Rev10.pdf
2SB1182TLR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.92 грн
10+ 48.24 грн
100+ 37.56 грн
500+ 29.87 грн
1000+ 24.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLR rohm semiconductor_2sb1188-1201465.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.7 грн
10+ 52.88 грн
100+ 35.78 грн
500+ 30.35 грн
1000+ 24.71 грн
2500+ 23.26 грн
5000+ 22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1188 2SB1188.pdf
2SB1188
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+5.2 грн
100+ 3.73 грн
250+ 3.34 грн
290+ 2.75 грн
800+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 80
2SB1188 2SB1188.pdf
2SB1188
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+6.24 грн
60+ 4.64 грн
250+ 4.01 грн
290+ 3.3 грн
800+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SB1188-Q-TP 2sb1188sot-89.pdf
2SB1188-Q-TP
Виробник: Micro Commercial Components
Trans GP BJT PNP 32V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 391000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SB1188T100P rohm_semiconductor_rohms10503-1-1742597.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 2A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.3 грн
10+ 38.1 грн
100+ 24.78 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 12.32 грн
10000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100Q 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
2SB1188T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.29 грн
10+ 34.65 грн
100+ 24.09 грн
500+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100Q rohmsemiconductor_2SB1182_1188_1240-1201735.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89
на замовлення 16974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.81 грн
10+ 31.16 грн
100+ 21.07 грн
500+ 17.96 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 12.32 грн
10000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1188T100Q 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
2SB1188T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+15.88 грн
2000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1188T100Q ROHMS10503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB1188T100Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+42.74 грн
22+ 33.89 грн
100+ 23.64 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SB1188T100Q ROHMS10503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SB1188T100Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.64 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 11.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1188T100Q 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
Виробник: ROHM - Japan
PNP -2A -32V 500mW 100MHz 2SB1188 T2SB1188
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SB1188T100QCT
Виробник: Rohm
Транзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 2; ft, МГц = 100; hFE = 120 @ 500 мА, 3 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 200 мA, 2 А; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+48 грн
100+ 31.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SB1188T100R 2sb1188.pdf
2SB1188T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1188T100R 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
2SB1188T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.29 грн
10+ 34.65 грн
100+ 24.09 грн
500+ 17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100R 2SB1182%2C1188%2C1240.pdf
2SB1188T100R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+15.88 грн
2000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1189T100Q 2SB1189%2C1238_RevB.pdf
2SB1189T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.57 грн
10+ 34.44 грн
100+ 23.93 грн
500+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1189T100Q 2SB1189%2C1238_RevB.pdf
2SB1189T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+15.77 грн
2000+ 13.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1189T100Q 2sb1189-209556.pdf
2SB1189T100Q
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.6 грн
10+ 37.79 грн
100+ 22.86 грн
500+ 17.89 грн
1000+ 14.51 грн
2000+ 12.26 грн
10000+ 11.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1189T100R 2SB1189%2C1238_RevB.pdf
2SB1189T100R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.6 грн
10+ 37.87 грн
100+ 24.58 грн
500+ 19.35 грн
1000+ 14.31 грн
2000+ 13.05 грн
10000+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.41 грн
55+ 6.35 грн
100+ 5.73 грн
170+ 4.69 грн
465+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.49 грн
35+ 7.91 грн
100+ 6.87 грн
170+ 5.63 грн
465+ 5.38 грн
9000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS PNP 50V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.33 грн
6000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A-1875166.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: Panjit
Bipolar Transistors - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.92 грн
15+ 21.49 грн
100+ 8.35 грн
1000+ 6.56 грн
3000+ 5.7 грн
9000+ 4.97 грн
24000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197A_R1_00001 2SB1197A.pdf
2SB1197A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS PNP 50V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.67 грн
15+ 19.6 грн
100+ 9.88 грн
500+ 8.22 грн
1000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197KT146Q 2sb1197k-e.pdf
2SB1197KT146Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1197KT146Q 2sb1197k-e.pdf
2SB1197KT146Q
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+26.01 грн
42+ 18.06 грн
100+ 7.51 грн
500+ 5.18 грн
1000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SB1197KT146Q ROHM_S_A0004715837_1-2561972.pdf
2SB1197KT146Q
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.45 грн
15+ 20.57 грн
100+ 7.75 грн
1000+ 5.83 грн
3000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1197KT146Q 2sb1197k-e.pdf
2SB1197KT146Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1103+10.53 грн
1141+ 10.18 грн
Мінімальне замовлення: 1103
2SB1197KT146Q 2sb1197k-e.pdf
2SB1197KT146Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.24 грн
15+ 18.77 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.87 грн
1000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1197KT146Q 2sb1197k-e.pdf
2SB1197KT146Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 31955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3261+3.56 грн
3410+ 3.41 грн
3457+ 3.36 грн
5748+ 1.95 грн
6000+ 1.79 грн
12000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3261
2SB1197KT146R ROHM_S_A0004715837_1-2561972.pdf
2SB1197KT146R
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.45 грн
15+ 20.57 грн
100+ 9.61 грн
1000+ 6.23 грн
3000+ 5.04 грн
9000+ 4.84 грн
24000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]