Результат пошуку "2sa14" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 398
Мінімальне замовлення: 355
Мінімальне замовлення: 428
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 628
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 322
Мінімальне замовлення: 1303
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 1237
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1336
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 1886
Мінімальне замовлення: 1567
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 4579
Мінімальне замовлення: 3806
Мінімальне замовлення: 2704
Мінімальне замовлення: 1249
Мінімальне замовлення: 1082
Мінімальне замовлення: 919
Мінімальне замовлення: 1106
Мінімальне замовлення: 919
Мінімальне замовлення: 919
Мінімальне замовлення: 1394
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1400 Код товару: 152651 |
NEC |
Транзистори > Біполярні PNP fT: TO-251 Uкб, В: 400 V Iк, А: 400 V Примітка: 200 |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1428 Код товару: 152652 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-33 fT: 100 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 2 А |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1492 Код товару: 200234 |
JSMicro |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-3P fT: 20 MHz Uке, В: 180 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 15 A h21,max: 50 |
у наявності: 28 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1492 Код товару: 3838 |
SanKen |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-3P fT: 20 MHz Uке, В: 180 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 15 A h21,max: 50 |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1494 Код товару: 35748 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: MT-200 fT: 20 MHz Uке, В: 200 V Uкб, В: 200 V Iк, А: 17 A h21,max: 50 |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||||||||||
2SA1404E | Sanyo |
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1405E | onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 7mA, 70mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 14079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1405E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1405E - 2SA1405E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1406D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1406D - 2SA1406D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1416S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416S-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V |
на замовлення 6719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416T-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416T-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1416T-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1417S-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1417S-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1417S-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V |
на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1417S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1417T-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1417T-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 140...280 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 566 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V |
на замовлення 2781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | Sanyo |
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 387950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1418T-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PCP |
на замовлення 356239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1418T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1418T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 356239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1419S-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 100...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2SA1419T-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1434-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1434-TB-E - 2SA1434-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1434-TB-E | onsemi |
Description: BIP PNP 0.1A 50V Packaging: Bulk |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1435-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1435-AA - 2SA1435-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1435-AA | onsemi |
Description: 2SA1435 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1441(016)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1441(2)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1441(5)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1443(1)-S6-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: 10A, 100V, PNP Packaging: Bulk |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1450T-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1450T-AA - 2SA1450T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 31073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1450T-AA | onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 31073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1461-T2B-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 510MHz Supplier Device Package: SC-59 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1462-T1B-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 1.8GHz Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 1531389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1463-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: SC-62 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 94962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1469R | onsemi |
Description: PNP SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 11914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1469R | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1469R - 2SA1469R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SA1469R-MBS-LA9 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1469R-MBS-LA9 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1469R-MBS-LA9 | onsemi |
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1469R-MBS-LA9-SY | Sanyo |
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220ML Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SA1478E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1478E - 2SA1478E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2SA1428 Код товару: 152652 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-33
fT: 100 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 А
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-33
fT: 100 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 2 А
у наявності: 6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
2SA1492 Код товару: 200234 |
Виробник: JSMicro
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
у наявності: 28 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 68 грн |
2SA1492 Код товару: 3838 |
Виробник: SanKen
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-3P
fT: 20 MHz
Uке, В: 180 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 50
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 82.5 грн |
2SA1494 Код товару: 35748 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
fT: 20 MHz
Uке, В: 200 V
Uкб, В: 200 V
Iк, А: 17 A
h21,max: 50
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: MT-200
fT: 20 MHz
Uке, В: 200 V
Uкб, В: 200 V
Iк, А: 17 A
h21,max: 50
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 136 грн |
2SA1404E |
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
398+ | 50.46 грн |
2SA1405E |
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
355+ | 57.19 грн |
2SA1405E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1405E - 2SA1405E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1405E - 2SA1405E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
428+ | 57.15 грн |
2SA1406D |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1406D - 2SA1406D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1406D - 2SA1406D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 3230.27 грн |
2SA1416S-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 13.88 грн |
2SA1416S-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.65 грн |
10+ | 30.31 грн |
100+ | 21.06 грн |
500+ | 15.43 грн |
2SA1416S-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
628+ | 18.55 грн |
731+ | 15.94 грн |
738+ | 15.78 грн |
799+ | 14.06 грн |
1000+ | 12.95 грн |
3000+ | 12.36 грн |
2SA1416S-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1416S-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 18.59 грн |
34+ | 17.23 грн |
100+ | 14.27 грн |
250+ | 13.08 грн |
500+ | 11.6 грн |
1000+ | 11.54 грн |
3000+ | 11.48 грн |
2SA1416S-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
на замовлення 6719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.83 грн |
13+ | 24.67 грн |
100+ | 16.27 грн |
500+ | 13.82 грн |
1000+ | 12.02 грн |
2000+ | 10.56 грн |
10000+ | 10.03 грн |
2SA1416T-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.13 грн |
13+ | 24.06 грн |
100+ | 16.74 грн |
500+ | 14.61 грн |
1000+ | 12.69 грн |
2000+ | 10.96 грн |
10000+ | 10.16 грн |
2SA1416T-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 14.09 грн |
2SA1416T-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.36 грн |
10+ | 30.79 грн |
100+ | 21.39 грн |
500+ | 15.67 грн |
2SA1417S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 25.56 грн |
25+ | 21.8 грн |
48+ | 16.81 грн |
132+ | 15.91 грн |
2SA1417S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.67 грн |
25+ | 27.16 грн |
48+ | 20.18 грн |
132+ | 19.1 грн |
1000+ | 18.35 грн |
2SA1417S-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 7231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.77 грн |
10+ | 35.67 грн |
100+ | 21.52 грн |
500+ | 18 грн |
1000+ | 15.61 грн |
2000+ | 13.95 грн |
5000+ | 13.22 грн |
2SA1417S-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.8 грн |
10+ | 32.52 грн |
100+ | 22.52 грн |
500+ | 17.65 грн |
2SA1417T-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.77 грн |
10+ | 35.67 грн |
100+ | 21.52 грн |
500+ | 18 грн |
1000+ | 15.28 грн |
2000+ | 13.62 грн |
5000+ | 12.82 грн |
2SA1417T-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.8 грн |
10+ | 32.52 грн |
100+ | 22.52 грн |
500+ | 17.65 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 26.6 грн |
25+ | 23.46 грн |
44+ | 18.47 грн |
120+ | 17.44 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 566 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 31.92 грн |
25+ | 29.23 грн |
44+ | 22.17 грн |
120+ | 20.92 грн |
1000+ | 20.18 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 34.28 грн |
26+ | 29.43 грн |
100+ | 20.12 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.24 грн |
10+ | 33.9 грн |
100+ | 23.46 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 20.12 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.07 грн |
10+ | 34.45 грн |
100+ | 22.25 грн |
500+ | 18.07 грн |
1000+ | 12.75 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1418S-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 39.48 грн |
17+ | 34.04 грн |
25+ | 33.67 грн |
100+ | 24.05 грн |
250+ | 22.04 грн |
500+ | 17.33 грн |
1000+ | 12.63 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
322+ | 36.26 грн |
434+ | 26.86 грн |
438+ | 26.58 грн |
535+ | 20.99 грн |
1000+ | 14.17 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1303+ | 15.47 грн |
2SA1418S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 387950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 15.87 грн |
2SA1418T-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 24.06 грн |
25+ | 23.88 грн |
50+ | 22.93 грн |
100+ | 21.15 грн |
250+ | 11.81 грн |
2SA1418T-TD-E |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1418T-TD-E |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PCP
Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 356239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1237+ | 16.15 грн |
2SA1418T-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1418T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1418T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 356239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 15.35 грн |
2SA1419S-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 100...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SA1419T-TD-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-E - TRANS, BIPOLAR, PNP, 160V, 1.5A, SOT-89
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 24.22 грн |
2SA1434-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1434-TB-E - 2SA1434-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1434-TB-E - 2SA1434-TB-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1336+ | 18.18 грн |
2SA1434-TB-E |
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.16 грн |
2SA1435-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1435-AA - 2SA1435-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1435-AA - 2SA1435-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1886+ | 12.97 грн |
2SA1435-AA |
Виробник: onsemi
Description: 2SA1435 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
Description: 2SA1435 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1567+ | 12.78 грн |
2SA1441(016)-S6-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 146.67 грн |
2SA1441(2)-S6-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 146.67 грн |
2SA1441(5)-S6-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 146.67 грн |
2SA1443(1)-S6-AZ |
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 146.67 грн |
2SA1450T-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1450T-AA - 2SA1450T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1450T-AA - 2SA1450T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4579+ | 5.37 грн |
2SA1450T-AA |
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 31073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.38 грн |
2SA1461-T2B-A |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 510MHz
Supplier Device Package: SC-59
Description: HIGH FREQUENCY PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 510MHz
Supplier Device Package: SC-59
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2704+ | 7.4 грн |
2SA1462-T1B-A |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1531389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1249+ | 16.15 грн |
2SA1463-T1-AZ |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
Description: HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 94962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1082+ | 18.84 грн |
2SA1469R |
Виробник: onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 11914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
919+ | 22.2 грн |
2SA1469R |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1469R - 2SA1469R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1469R - 2SA1469R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SA1469R-MBS-LA9 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1469R-MBS-LA9 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1469R-MBS-LA9 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1106+ | 22.5 грн |
2SA1469R-MBS-LA9 |
Виробник: onsemi
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
919+ | 22.2 грн |
2SA1469R-MBS-LA9-SY |
Виробник: Sanyo
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
919+ | 22.2 грн |
2SA1478E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1478E - 2SA1478E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1478E - 2SA1478E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1394+ | 17.51 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]