Результат пошуку "2sd11" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 822
Мінімальне замовлення: 683
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2671
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 258
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1687
Мінімальне замовлення: 1402
Мінімальне замовлення: 1402
Мінімальне замовлення: 1687
Мінімальне замовлення: 1687
Мінімальне замовлення: 1402
Мінімальне замовлення: 1402
Мінімальне замовлення: 1687
Мінімальне замовлення: 468
Мінімальне замовлення: 1002
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 239
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 1002
Мінімальне замовлення: 666
Мінімальне замовлення: 802
Мінімальне замовлення: 222
Мінімальне замовлення: 268
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SD1111 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30769 |
Sanyo |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 200 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,7 A |
у наявності: 9 шт
|
|
|||||||
2SD1133C Код товару: 184977 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220C fT: 7 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 70 V Ic,A: 4 A h21: 200 Монтаж: THT |
у наявності: 18 шт
|
|
||||||||
2SD1140 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 35536 |
Toshiba |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92L Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 30 V Ic,A: 1,5 A h21: 4000 Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT |
у наявності: 21 шт
|
|
|||||||
2SD1148 Код товару: 184799 |
NSC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-247 Uceo,V: 140 V Ucbo,V: 200 V Ic,A: 10 A h21: 50 Монтаж: THT |
у наявності: 3 шт
|
|
|||||||
2SD1153 Код товару: 184784 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 120 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 1,5 A Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT |
у наявності: 36 шт
|
|
||||||||
2SD1163 Код товару: 184944 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220C Uceo,V: 120 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 7 A h21: 25 Монтаж: THT |
у наявності: 22 шт
|
|
||||||||
2SD1164 Код товару: 76279 |
NEC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3 Uceo,V: 60 V Ucbo,V: 150 V Ic,A: 2 А Монтаж: THT |
у наявності: 799 шт
|
|
|||||||
+1 |
2SD1175 Код товару: 185060 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3 Uceo,V: 1500 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 5 A h21: 8 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||
2SD1111 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1111 - 2SD1111, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1111 | onsemi |
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 7084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1111-AA | Sanyo |
Description: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1111-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1111-AA - 2SD1111-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1111-AA | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1133C-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 7MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1138; биполярный; NPN; 150V; 2A; 30W; Корпус: TO-220 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
2SD1145F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1145F - 2SD1145F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 26288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145F | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 26288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145F-AE | onsemi |
Description: BIP NPN 5A 20V Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145F-AE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1145F-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1145G - 2SD1145G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 121526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145G | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 121526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145G-AE | onsemi |
Description: BIP NPN 5A 20V Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1145G-AE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1145G-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1153 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1153 - 2SD1153, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
2SD1153 | Sanyo |
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1153-AE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1153-AE - 2SD1153-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1153-AE | onsemi |
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 7319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1163A-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1190 | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1190 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1190 - 2SD1190, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1191 | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 7mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3.5A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 22300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1191 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1191 - 2SD1191, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 22300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1193 | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 70 W |
на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD1193 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1193 - 2SD1193, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
2SD11 | SHARP | 03+ |
на замовлення 6424 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD110 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1100 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1101 | HITACHI |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2SD1101ACTL | HITACHI | SOT23/SOT323 |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1102 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1103 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1104 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1105 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1106 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1109 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1109A |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1109C |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD111 | TOS/HIT | 98+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1110 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1110A |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1111 | SAY |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
2SD1113 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1114 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1115 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1115K |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1117 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1117A |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1118 |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
2SD1119 | KESENES | 09+ |
на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
2SD1119-Q | KESENES | 09+ |
на замовлення 5123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2SD1111 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30769 |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,7 A
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,7 A
у наявності: 9 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
2SD1133C Код товару: 184977 |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220C
fT: 7 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 4 A
h21: 200
Монтаж: THT
Корпус: TO-220C
fT: 7 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 4 A
h21: 200
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
2SD1140 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 35536 |
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92L
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 4000
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92L
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 4000
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13.5 грн |
10+ | 11.9 грн |
2SD1148 Код товару: 184799 |
Виробник: NSC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 10 A
h21: 50
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Uceo,V: 140 V
Ucbo,V: 200 V
Ic,A: 10 A
h21: 50
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
2SD1153 Код товару: 184784 |
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
Корпус: TO-92
fT: 120 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
2SD1164 Код товару: 76279 |
у наявності: 799 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6.5 грн |
10+ | 5.8 грн |
100+ | 5.2 грн |
2SD1111 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1111 - 2SD1111, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1111 - 2SD1111, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
822+ | 29.58 грн |
2SD1111 |
Виробник: onsemi
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
683+ | 29.6 грн |
2SD1111-AA |
Виробник: Sanyo
Description: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.42 грн |
2SD1111-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1111-AA - 2SD1111-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1111-AA - 2SD1111-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 9.39 грн |
2SD1111-AA |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS NPN DARL 50V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.42 грн |
2SD1133C-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 7MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 7MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
258+ | 78.04 грн |
2SD1138; биполярный; NPN; 150V; 2A; 30W; Корпус: TO-220 |
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 221.76 грн |
2SD1145F |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1145F - 2SD1145F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1145F - 2SD1145F, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1687+ | 14.16 грн |
2SD1145F |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 26288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1402+ | 14.13 грн |
2SD1145F-AE |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
Description: BIP NPN 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1402+ | 14.13 грн |
2SD1145F-AE |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1145F-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1145F-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1687+ | 14.16 грн |
2SD1145G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1145G - 2SD1145G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1145G - 2SD1145G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 121526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1687+ | 14.16 грн |
2SD1145G |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 121526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1402+ | 14.13 грн |
2SD1145G-AE |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
Description: BIP NPN 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1402+ | 14.13 грн |
2SD1145G-AE |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1145G-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1145G-AE - 2SD1145 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1687+ | 14.16 грн |
2SD1153 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1153 - 2SD1153, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1153 - 2SD1153, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SD1153 |
Виробник: Sanyo
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
468+ | 43.06 грн |
2SD1153-AE |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1153-AE - 2SD1153-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1153-AE - 2SD1153-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1002+ | 24.22 грн |
2SD1153-AE |
Виробник: onsemi
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
Description: NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 24.22 грн |
2SD1163A-E |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 40 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
239+ | 84.77 грн |
2SD1190 |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 24.22 грн |
2SD1190 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1190 - 2SD1190, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1190 - 2SD1190, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1002+ | 24.22 грн |
2SD1191 |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 7mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3.5A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 7mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3.5A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
666+ | 30.28 грн |
2SD1191 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1191 - 2SD1191, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1191 - 2SD1191, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
802+ | 30.25 грн |
2SD1193 |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 70 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 70 W
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
222+ | 90.83 грн |
2SD1193 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1193 - 2SD1193, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SD1193 - 2SD1193, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
268+ | 90.91 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]