Результат пошуку "4n9" : > 120
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| S29GL064N90TFI03 | SPANSION | TSSOP4 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI03 | SPANSION |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| S29GL064N90TFI03 | SPANSION | 08+ |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI04 | SPANSION | TSOP48 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI04 | SPANSION | 2010+ |
на замовлення 5760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI04 | SPANSION | 07/09+ |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI040. |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| S29GL064N90TFI040A | SPANSION | TSOP48 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI040H | SPANSION |
 TSOP |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI040H | SPANSION |
TSOP48 |
на замовлення 636 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| S29GL064N90TFI07 |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| S29GL064N90TFI40 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| S29GL064N90TFIR20 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SN74ABT244N(95) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSF4N90AS |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSI4N90A |
на замовлення 997 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSP4N90 | Fairchild |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SSS4N90 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSS4N90AS |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSW4N90A |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSW4N90AS |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SSW4N90ATM |
на замовлення 501 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STCA0604N9 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STCA0604N9-H |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STP4N90 |
на замовлення 299 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TCA0604N9 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TMP47C634N-9210 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TMP87CK41F-4N96 |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| Переключатель П2Г-3 3П4Н (90г) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
| Переключатель П2Г-3 3П4Н (91г) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
| Переключатель П2Г-3 7П4Н (90г) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
| Переключатель ПГК 5П4Н (92г) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
| Переключатель ПГК 6П4Н (91г) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
| Переключатель ПГК 6П4Н (92г) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
|
S29GL064N90FFI020 Код товару: 132732 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||
|
S29GL064N90TF104 Код товару: 106335 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||
 |
S29GL064N90TFI020 Код товару: 100581 |
Мікросхеми > Пам'ять 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
||
|
S29GL064N90TFI030 Код товару: 126455 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||
 |
S29GL064N90TFI040 Код товару: 108724 |
 Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
||
| DFL75-2LPP-084N9D-A-100 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-100 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DFL75-2LPP-084N9D-A-150 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-150 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DFL75-2LPP-084N9D-A-200 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-200 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DFL75-2LPP-084N9D-A-300 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-300 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DFL75-2LPP-084N9D-A-50 | HIROSE |
Category: Other Hirose Connectors Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-50 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| FQI4N90TU | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.65A Pulsed drain current: 16.8A Power dissipation: 140W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.3Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
IXFH24N90P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IXYH24N90C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 24A Power dissipation: 240W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 110A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IXYH24N90C3D1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 24A Power dissipation: 200W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 105A Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 215ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| JVR14N911K87PU5 | JOYIN |
Category: THT varistors Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 550VAC; 745VDC; 910V; 4.5kA; 204J; 600mW Mounting: THT Power: 0.6W Tolerance: ±10% Max. operating voltage: 550V AC; 745V DC Terminal pitch: 7.5mm Leads: straight Kind of package: bag Manufacturer series: STANDARD Energy E10/1000µs: 204J Type of varistor: zinc-oxide Varistor voltage: 910V Varistor max current 8/20µs: 4.5kA Max body dimensions: Ø14mm кількість в упаковці: 9000 шт |
товар відсутній |
||
| LQW18CN4N9D0HD | MURATA |
Category: SMD 0402 inductors Description: Inductor: wire; SMD; 0603; 4.9nH; 2600mA; 0.015Ω; 2300MHz; -40÷125°C Mounting: SMD Case - inch: 0603 Case - mm: 1608 Operating temperature: -40...125°C Manufacturer series: LQW Operating current: 2.6A Tolerance: ±0,5nH Inductance: 4.9nH Type of inductor: wire Resonant frequency: 2.3GHz Resistance: 15mΩ кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||
| STD4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| STF4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| STP4N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: THT Gate charge: 5.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WMK4N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 65W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WMK4N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WML4N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WML4N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WMM4N90D1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 65W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WMM4N90D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 63W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| WMO4N90D1C | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
| DFL75-2LPP-084N9D-A-100 |
|
Виробник: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-100
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-100
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| DFL75-2LPP-084N9D-A-150 |
|
Виробник: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-150
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-150
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| DFL75-2LPP-084N9D-A-200 |
|
Виробник: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-200
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-200
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| DFL75-2LPP-084N9D-A-300 |
|
Виробник: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-300
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-300
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| DFL75-2LPP-084N9D-A-50 |
|
Виробник: HIROSE
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-50
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Other Hirose Connectors
Description: DFL75-2LPP-084N9D-A-50
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| FQI4N90TU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IXFH24N90P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IXYH24N90C3 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 110A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IXYH24N90C3D1 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 24A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 215ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| JVR14N911K87PU5 |
|
Виробник: JOYIN
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 550VAC; 745VDC; 910V; 4.5kA; 204J; 600mW
Mounting: THT
Power: 0.6W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 550V AC; 745V DC
Terminal pitch: 7.5mm
Leads: straight
Kind of package: bag
Manufacturer series: STANDARD
Energy E10/1000µs: 204J
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 910V
Varistor max current 8/20µs: 4.5kA
Max body dimensions: Ø14mm
кількість в упаковці: 9000 шт
Category: THT varistors
Description: Varistor: zinc-oxide; THT; 550VAC; 745VDC; 910V; 4.5kA; 204J; 600mW
Mounting: THT
Power: 0.6W
Tolerance: ±10%
Max. operating voltage: 550V AC; 745V DC
Terminal pitch: 7.5mm
Leads: straight
Kind of package: bag
Manufacturer series: STANDARD
Energy E10/1000µs: 204J
Type of varistor: zinc-oxide
Varistor voltage: 910V
Varistor max current 8/20µs: 4.5kA
Max body dimensions: Ø14mm
кількість в упаковці: 9000 шт
товар відсутній
| LQW18CN4N9D0HD |
|
Виробник: MURATA
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0603; 4.9nH; 2600mA; 0.015Ω; 2300MHz; -40÷125°C
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -40...125°C
Manufacturer series: LQW
Operating current: 2.6A
Tolerance: ±0,5nH
Inductance: 4.9nH
Type of inductor: wire
Resonant frequency: 2.3GHz
Resistance: 15mΩ
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 0603; 4.9nH; 2600mA; 0.015Ω; 2300MHz; -40÷125°C
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -40...125°C
Manufacturer series: LQW
Operating current: 2.6A
Tolerance: ±0,5nH
Inductance: 4.9nH
Type of inductor: wire
Resonant frequency: 2.3GHz
Resistance: 15mΩ
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
| STD4N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| STF4N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| STP4N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WMK4N90D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WMK4N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WML4N90D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WML4N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WMM4N90D1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WMM4N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| WMO4N90D1C |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній