Результат пошуку "5n40" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
23MP05N40 23MP05N40 Essentra Components 1450244.pdf Description: STRAIN RELIEF, ROUND CABLE, CABL
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: HPD, SV, SVT
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.062" (1.57mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Variable Size
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Active
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.93 грн
28+ 10.17 грн
100+ 7.81 грн
1000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
23MP05N40W Essentra Grommets & Bushings Strain Relief Bushing, Round Cable, White, HS Nylon, 0.062 Max Panel
на замовлення 12503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.75 грн
19+ 16.27 грн
100+ 10.89 грн
500+ 9.23 грн
1000+ 7.51 грн
2500+ 6.91 грн
10000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
AOD5N40 AOD5N40 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5N40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.18 грн
17+ 21.24 грн
19+ 18.75 грн
51+ 16.19 грн
138+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOD5N40 AOD5N40 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5N40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+59.02 грн
10+ 26.47 грн
12+ 22.5 грн
51+ 19.43 грн
138+ 18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOD5N40 AOD5N40 Alpha & Omega Semiconductor Inc. combine-support-documents?resources=1159 Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.24 грн
10+ 33.63 грн
100+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
DD435N40K DD435N40K Infineon Technologies Infineon_DD435N_DS_v03_00_EN-3360135.pdf Discrete Semiconductor Modules 4KV 573A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+39844.19 грн
10+ 38012.27 грн
DD435N40KHPSA1 DD435N40KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD435N-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4301f7e4f16 Description: DIODE MODULE GP 4000V 573A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 573A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.71 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4000 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37197.09 грн
DZ435N40K Infineon Technologies Infineon_DZ435N_DataSheet_v03_03_EN-3361422.pdf Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22953.77 грн
12+ 21616.75 грн
27+ 17834.66 грн
DZ435N40KHPSA1 DZ435N40KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DZ435N-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124e2ccd4426304 Description: DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 700A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.71 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4000 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21427.11 грн
FDB0105N407L FDB0105N407L onsemi / Fairchild FDB0105N407L_D-2312146.pdf MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.56 грн
10+ 301.74 грн
25+ 258.4 грн
100+ 233.15 грн
250+ 228.5 грн
500+ 200.61 грн
FDBL0065N40 FDBL0065N40 onsemi fdbl0065n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+215.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FDBL0065N40 FDBL0065N40 onsemi fdbl0065n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
на замовлення 12695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.34 грн
10+ 358.22 грн
100+ 289.79 грн
500+ 241.74 грн
1000+ 206.99 грн
FDBL0065N40 FDBL0065N40 onsemi / Fairchild FDBL0065N40_D-2312185.pdf MOSFET 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.73 грн
10+ 334.59 грн
25+ 289.62 грн
100+ 260.39 грн
250+ 259.06 грн
500+ 243.12 грн
1000+ 209.91 грн
FGR15N40A Fairchild Semiconductor FAIRS34513-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 8A, 400V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 4V, 150A
Td (on/off) @ 25°C: 180ns/460ns
Test Condition: 300V, 150A, 51Ohm, 4V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1217+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 1217
FGS15N40LTF FGS15N40LTF Fairchild Semiconductor FAIRS18250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 400V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4V, 130A
Supplier Device Package: 8-SOIC
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 2 W
на замовлення 161990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+37 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQB5N40TM FQB5N40TM Fairchild Semiconductor FAIRS17767-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
FQD5N40TM FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FAIRS45256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 157506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+29.6 грн
Мінімальне замовлення: 683
FQH35N40 FQH35N40 Fairchild Semiconductor FAIRS23767-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+388.86 грн
Мінімальне замовлення: 52
FQU5N40TU FQU5N40TU Fairchild Semiconductor FAIRS46459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 39790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 535
HGTP15N40C1 HGTP15N40C1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+211.93 грн
Мінімальне замовлення: 96
HGTP15N40E1 HGTP15N40E1 Harris Corporation HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 181
ICB30S35N40PO ICB30S35N40PO Carlo Gavazzi Inc. ICB30x35_22.pdf Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 40MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7265.96 грн
5+ 6647.01 грн
ICB30S35N40POM1 ICB30S35N40POM1 CARLO GAVAZZI ICB-M30-EN.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷40mm; 10÷36VDC; M30; IP67; 200mA
Operating temperature: -40...70°C
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Body material: nickel plated brass
Number of pins: 4
Overall length: 72mm
Switching frequency max: 1kHz
Switch housing: M30
Range: 0...40mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4259.34 грн
ICB30S35N40POM1 ICB30S35N40POM1 CARLO GAVAZZI ICB-M30-EN.pdf Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷40mm; 10÷36VDC; M30; IP67; 200mA
Operating temperature: -40...70°C
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Body material: nickel plated brass
Number of pins: 4
Overall length: 72mm
Switching frequency max: 1kHz
Switch housing: M30
Range: 0...40mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5111.21 грн
10+ 4738.97 грн
ICB30S35N40POM1 ICB30S35N40POM1 Carlo Gavazzi Inc. ICB30x35_22.pdf Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 40MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6795.31 грн
ICS08L45N40A2PO ICS08L45N40A2PO Carlo Gavazzi Inc. ICS08_3-wire_IOL_DS.pdf Description: IND PROX M8 LONG PNP NO
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C (TA)
Termination Style: Cable
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7198.42 грн
ICS08L45N40A2PO ICS08L45N40A2PO Carlo Gavazzi ICS08_3-wire_IOL_DS-1806634.pdf Proximity Sensors IND PROX SENS. M8 CABLE LONG NON-FLUSH PNP NO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8504.5 грн
5+ 7880.36 грн
10+ 6560.88 грн
25+ 6269.27 грн
50+ 6123.13 грн
ICS08L45N40M5IO ICS08L45N40M5IO Carlo Gavazzi ICS08_3_wire_IOL_DS-2525475.pdf Proximity Sensors IND PROX SENS. M8 PLUG LONG NON-FLUSH IO-LINK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4587.03 грн
5+ 4295.39 грн
10+ 3616.89 грн
25+ 3499.31 грн
ICS08L45N40M5PO ICS08L45N40M5PO Carlo Gavazzi Inc. ICS08_3-wire_IOL_DS.pdf Description: IND PROX M8 LONG PNP NO
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4103.63 грн
MTP5N40E MTP5N40E onsemi ONSMS37044-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 460
MXH156K305N40 MXH156K305N40 Cornell Dubilier - CDE MXH_Type_DS.pdf Safety Capacitors 15uF 305VAC 10% X2 AEC-Q200
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.3 грн
10+ 540.84 грн
25+ 421.8 грн
35+ 409.18 грн
105+ 341.43 грн
280+ 331.46 грн
525+ 323.49 грн
MXH156K305N40 MXH156K305N40 Cornell Dubilier Knowles MXH_Type_DS.pdf Description: CAP FILM 15UF 10% 305VAC RADIAL
Tolerance: ±10%
Features: 85C/85% Humidity, THB, Low ESR, Low ESL, Long Life
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Applications: Automotive; EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.476" (37.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200, X2
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 305V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 1.811" (46.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 15 µF
Size / Dimension: 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.19 грн
35+ 456.14 грн
105+ 364.92 грн
MXT156K305N40 MXT156K305N40 Cornell Dubilier - CDE MXT.pdf Safety Capacitors 305VAC 15uF 10% 42x45x30mm L/S=37.5mm X2 +85degC / 85% RH
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.98 грн
10+ 423.2 грн
25+ 282.31 грн
MXT156K305N40 MXT156K305N40 Cornell Dubilier Knowles MXT.pdf Description: CAP FILM 15UF 10% 630VDC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Features: 85C/85% Humidity, THB, Low ESR, Low ESL, Long Life
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.476" (37.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X2
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 305V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 1.811" (46.00mm)
Capacitance: 15 µF
Size / Dimension: 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.4 грн
35+ 387.5 грн
105+ 310.01 грн
RSGZ15062R5N40001T RSGZ15062R5N40001T Elna America catalog_17-18_e.pdf Description: CAP 50F -20% +80% 2.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In
Size / Dimension: 0.984" Dia (25.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 80mOhm
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 1.654" (42.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 50 F
Voltage - Rated: 2.5 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.36 грн
10+ 828.39 грн
SGB15N40CLT4 SGB15N40CLT4 onsemi Description: IGBT 400V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 237
SGR15N40LTM SGR15N40LTM Fairchild Semiconductor FAIRS19054-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 400V, N-CHANNEL, TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 346
SGU15N40LTU SGU15N40LTU Fairchild Semiconductor FAIRS19568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH 400V IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
Supplier Device Package: IPAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 346
SIHG25N40D-E3 SIHG25N40D-E3 Vishay / Siliconix sihg25n40d.pdf MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.51 грн
10+ 212.36 грн
25+ 182.01 грн
100+ 149.46 грн
250+ 147.47 грн
500+ 136.17 грн
1000+ 106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG25N40D-E3 SIHG25N40D-E3 Vishay Siliconix sihg25n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.28 грн
10+ 193.67 грн
100+ 156.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 Vishay Siliconix sihg25n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.28 грн
10+ 193.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 Vishay / Siliconix sihg25n40d.pdf MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.51 грн
10+ 219.24 грн
25+ 184.66 грн
100+ 154.77 грн
250+ 150.79 грн
500+ 124.88 грн
1000+ 117.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-E3 SIHP25N40D-E3 Vishay Siliconix sihp25n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.6 грн
50+ 151.16 грн
100+ 129.56 грн
500+ 108.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-E3 SIHP25N40D-E3 Vishay / Siliconix sihp25n40d.pdf MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
2+211.57 грн
10+ 176.46 грн
25+ 144.81 грн
100+ 123.55 грн
250+ 116.91 грн
500+ 110.27 грн
1000+ 93.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 SIHP25N40D-GE3 VISHAY sihp25n40d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.98 грн
3+ 163.99 грн
7+ 125.24 грн
18+ 119.01 грн
50+ 118.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 SIHP25N40D-GE3 VISHAY sihp25n40d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+235.17 грн
3+ 204.36 грн
7+ 150.29 грн
18+ 142.82 грн
50+ 141.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 SIHP25N40D-GE3 Vishay Siliconix sihp25n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.6 грн
50+ 151.16 грн
100+ 129.56 грн
500+ 108.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 SIHP25N40D-GE3 Vishay Semiconductors sihp25n40d.pdf MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.57 грн
10+ 176.46 грн
25+ 142.82 грн
100+ 122.22 грн
250+ 116.25 грн
500+ 105.62 грн
1000+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB45N40DM2AG STB45N40DM2AG STMicroelectronics en.DM00225195.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.81 грн
10+ 371.5 грн
100+ 309.57 грн
500+ 256.34 грн
STB45N40DM2AG STB45N40DM2AG STMicroelectronics stb45n40dm2ag-1850282.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.03 грн
10+ 407.16 грн
25+ 321.5 грн
100+ 294.93 грн
250+ 278.32 грн
500+ 260.39 грн
1000+ 233.82 грн
STGB25N40LZAG STGB25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf Description: IGBT 435V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.58 грн
10+ 135.76 грн
100+ 108.07 грн
500+ 85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGD25N40LZAG STGD25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf Description: POWER TRANSISTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.93 грн
10+ 106.7 грн
100+ 84.91 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGD25N40LZAG STGD25N40LZAG STMicroelectronics en.DM00431184.pdf IGBT Transistors Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.59 грн
10+ 116.88 грн
100+ 81.04 грн
250+ 68.42 грн
500+ 58.12 грн
1000+ 55.2 грн
2500+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP45N40DM2AG STP45N40DM2AG STMicroelectronics stp45n40dm2ag-1851539.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.11 грн
10+ 434.66 грн
25+ 306.22 грн
100+ 274.34 грн
500+ 245.78 грн
1000+ 223.85 грн
2000+ 213.89 грн
STP45N40DM2AG STP45N40DM2AG STMicroelectronics en.DM00213649.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.41 грн
50+ 330.95 грн
100+ 296.11 грн
500+ 245.2 грн
1000+ 220.68 грн
2000+ 206.78 грн
XG5N-401 XG5N-401 Omron Electronics Inc-EMC Div en-xg5n_xg5n-u.pdf Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT), Glass Filled
Number of Rows: 2
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.89 грн
10+ 145.24 грн
100+ 129.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
XG5N-401 XG5N-401 Omron Electronics XG5N_0813-276207.pdf Headers & Wire Housings CrimpSocket Discrete 2Row 40P 1PolarizeG
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.44 грн
10+ 158.13 грн
20+ 134.84 грн
50+ 133.52 грн
100+ 120.23 грн
1000+ 87.02 грн
2000+ 77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
XG5N-401-U XG5N-401-U Omron Electronics XG5N_0813-276207.pdf Headers & Wire Housings CrimpSocket/Lock Set 2Row 40P 1PolarizeG
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.59 грн
10+ 228.41 грн
20+ 180.68 грн
50+ 171.38 грн
100+ 170.71 грн
1000+ 152.12 грн
2000+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
XG5N-401-U XG5N-401-U Omron Electronics Inc-EMC Div en-xg5n_xg5n-u.pdf Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock/Eject Hooks
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT), Glass Filled
Number of Rows: 2
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.98 грн
10+ 249.93 грн
25+ 236.75 грн
50+ 217.01 грн
100+ 206.69 грн
300+ 180.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
0805N400J500NT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
23MP05N40 1450244.pdf
23MP05N40
Виробник: Essentra Components
Description: STRAIN RELIEF, ROUND CABLE, CABL
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: HPD, SV, SVT
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.062" (1.57mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Variable Size
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Active
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.93 грн
28+ 10.17 грн
100+ 7.81 грн
1000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
23MP05N40W
Виробник: Essentra
Grommets & Bushings Strain Relief Bushing, Round Cable, White, HS Nylon, 0.062 Max Panel
на замовлення 12503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.75 грн
19+ 16.27 грн
100+ 10.89 грн
500+ 9.23 грн
1000+ 7.51 грн
2500+ 6.91 грн
10000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
AOD5N40 AOD5N40.pdf
AOD5N40
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.18 грн
17+ 21.24 грн
19+ 18.75 грн
51+ 16.19 грн
138+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOD5N40 AOD5N40.pdf
AOD5N40
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.8A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.02 грн
10+ 26.47 грн
12+ 22.5 грн
51+ 19.43 грн
138+ 18.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOD5N40 combine-support-documents?resources=1159
AOD5N40
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.24 грн
10+ 33.63 грн
100+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
DD435N40K Infineon_DD435N_DS_v03_00_EN-3360135.pdf
DD435N40K
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 4KV 573A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+39844.19 грн
10+ 38012.27 грн
DD435N40KHPSA1 Infineon-DD435N-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4301f7e4f16
DD435N40KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 4000V 573A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 573A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.71 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4000 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+37197.09 грн
DZ435N40K Infineon_DZ435N_DataSheet_v03_03_EN-3361422.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+22953.77 грн
12+ 21616.75 грн
27+ 17834.66 грн
DZ435N40KHPSA1 Infineon-DZ435N-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124e2ccd4426304
DZ435N40KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 4KV 700A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 700A
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.71 V @ 1200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4000 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+21427.11 грн
FDB0105N407L FDB0105N407L_D-2312146.pdf
FDB0105N407L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.56 грн
10+ 301.74 грн
25+ 258.4 грн
100+ 233.15 грн
250+ 228.5 грн
500+ 200.61 грн
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
FDBL0065N40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+215.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FDBL0065N40 fdbl0065n40-d.pdf
FDBL0065N40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
на замовлення 12695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.34 грн
10+ 358.22 грн
100+ 289.79 грн
500+ 241.74 грн
1000+ 206.99 грн
FDBL0065N40 FDBL0065N40_D-2312185.pdf
FDBL0065N40
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 40 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.73 грн
10+ 334.59 грн
25+ 289.62 грн
100+ 260.39 грн
250+ 259.06 грн
500+ 243.12 грн
1000+ 209.91 грн
FGR15N40A FAIRS34513-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 8A, 400V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 4V, 150A
Td (on/off) @ 25°C: 180ns/460ns
Test Condition: 300V, 150A, 51Ohm, 4V
Gate Charge: 41 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1217+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 1217
FGS15N40LTF FAIRS18250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGS15N40LTF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 400V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4V, 130A
Supplier Device Package: 8-SOIC
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 2 W
на замовлення 161990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
544+37 грн
Мінімальне замовлення: 544
FQB5N40TM FAIRS17767-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB5N40TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
FQD5N40TM FAIRS45256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD5N40TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 157506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
683+29.6 грн
Мінімальне замовлення: 683
FQH35N40 FAIRS23767-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQH35N40
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+388.86 грн
Мінімальне замовлення: 52
FQU5N40TU FAIRS46459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQU5N40TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 39790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
535+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 535
HGTP15N40C1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP15N40C1
Виробник: Harris Corporation
Description: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+211.93 грн
Мінімальне замовлення: 96
HGTP15N40E1 HRISD027-3-61.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP15N40E1
Виробник: Harris Corporation
Description: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 181
ICB30S35N40PO ICB30x35_22.pdf
ICB30S35N40PO
Виробник: Carlo Gavazzi Inc.
Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 40MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7265.96 грн
5+ 6647.01 грн
ICB30S35N40POM1 ICB-M30-EN.pdf
ICB30S35N40POM1
Виробник: CARLO GAVAZZI
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷40mm; 10÷36VDC; M30; IP67; 200mA
Operating temperature: -40...70°C
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Body material: nickel plated brass
Number of pins: 4
Overall length: 72mm
Switching frequency max: 1kHz
Switch housing: M30
Range: 0...40mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4259.34 грн
ICB30S35N40POM1 ICB-M30-EN.pdf
ICB30S35N40POM1
Виробник: CARLO GAVAZZI
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷40mm; 10÷36VDC; M30; IP67; 200mA
Operating temperature: -40...70°C
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP67
Supply voltage: 10...36V DC
Body material: nickel plated brass
Number of pins: 4
Overall length: 72mm
Switching frequency max: 1kHz
Switch housing: M30
Range: 0...40mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5111.21 грн
10+ 4738.97 грн
ICB30S35N40POM1 ICB30x35_22.pdf
ICB30S35N40POM1
Виробник: Carlo Gavazzi Inc.
Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 40MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6795.31 грн
ICS08L45N40A2PO ICS08_3-wire_IOL_DS.pdf
ICS08L45N40A2PO
Виробник: Carlo Gavazzi Inc.
Description: IND PROX M8 LONG PNP NO
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C (TA)
Termination Style: Cable
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7198.42 грн
ICS08L45N40A2PO ICS08_3-wire_IOL_DS-1806634.pdf
ICS08L45N40A2PO
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors IND PROX SENS. M8 CABLE LONG NON-FLUSH PNP NO
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8504.5 грн
5+ 7880.36 грн
10+ 6560.88 грн
25+ 6269.27 грн
50+ 6123.13 грн
ICS08L45N40M5IO ICS08_3_wire_IOL_DS-2525475.pdf
ICS08L45N40M5IO
Виробник: Carlo Gavazzi
Proximity Sensors IND PROX SENS. M8 PLUG LONG NON-FLUSH IO-LINK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4587.03 грн
5+ 4295.39 грн
10+ 3616.89 грн
25+ 3499.31 грн
ICS08L45N40M5PO ICS08_3-wire_IOL_DS.pdf
ICS08L45N40M5PO
Виробник: Carlo Gavazzi Inc.
Description: IND PROX M8 LONG PNP NO
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4103.63 грн
MTP5N40E ONSMS37044-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MTP5N40E
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
460+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 460
MXH156K305N40 MXH_Type_DS.pdf
MXH156K305N40
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Safety Capacitors 15uF 305VAC 10% X2 AEC-Q200
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+591.3 грн
10+ 540.84 грн
25+ 421.8 грн
35+ 409.18 грн
105+ 341.43 грн
280+ 331.46 грн
525+ 323.49 грн
MXH156K305N40 MXH_Type_DS.pdf
MXH156K305N40
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP FILM 15UF 10% 305VAC RADIAL
Tolerance: ±10%
Features: 85C/85% Humidity, THB, Low ESR, Low ESL, Long Life
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Applications: Automotive; EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.476" (37.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200, X2
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 305V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 1.811" (46.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 15 µF
Size / Dimension: 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+561.19 грн
35+ 456.14 грн
105+ 364.92 грн
MXT156K305N40 MXT.pdf
MXT156K305N40
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Safety Capacitors 305VAC 15uF 10% 42x45x30mm L/S=37.5mm X2 +85degC / 85% RH
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+495.98 грн
10+ 423.2 грн
25+ 282.31 грн
MXT156K305N40 MXT.pdf
MXT156K305N40
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP FILM 15UF 10% 630VDC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Features: 85C/85% Humidity, THB, Low ESR, Low ESL, Long Life
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Applications: EMI, RFI Suppression
Lead Spacing: 1.476" (37.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: X2
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 305V
Voltage Rating - DC: 630V
Height - Seated (Max): 1.811" (46.00mm)
Capacitance: 15 µF
Size / Dimension: 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.4 грн
35+ 387.5 грн
105+ 310.01 грн
RSGZ15062R5N40001T catalog_17-18_e.pdf
RSGZ15062R5N40001T
Виробник: Elna America
Description: CAP 50F -20% +80% 2.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In
Size / Dimension: 0.984" Dia (25.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.394" (10.00mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 80mOhm
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 1.654" (42.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 50 F
Voltage - Rated: 2.5 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+928.36 грн
10+ 828.39 грн
SGB15N40CLT4
SGB15N40CLT4
Виробник: onsemi
Description: IGBT 400V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 237
SGR15N40LTM FAIRS19054-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGR15N40LTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 400V, N-CHANNEL, TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
346+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 346
SGU15N40LTU FAIRS19568-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGU15N40LTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT TRENCH 400V IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A
Supplier Device Package: IPAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
346+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 346
SIHG25N40D-E3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.51 грн
10+ 212.36 грн
25+ 182.01 грн
100+ 149.46 грн
250+ 147.47 грн
500+ 136.17 грн
1000+ 106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG25N40D-E3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.28 грн
10+ 193.67 грн
100+ 156.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG25N40D-GE3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.28 грн
10+ 193.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG25N40D-GE3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.51 грн
10+ 219.24 грн
25+ 184.66 грн
100+ 154.77 грн
250+ 150.79 грн
500+ 124.88 грн
1000+ 117.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-E3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.6 грн
50+ 151.16 грн
100+ 129.56 грн
500+ 108.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-E3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.57 грн
10+ 176.46 грн
25+ 144.81 грн
100+ 123.55 грн
250+ 116.91 грн
500+ 110.27 грн
1000+ 93.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.98 грн
3+ 163.99 грн
7+ 125.24 грн
18+ 119.01 грн
50+ 118.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.17 грн
3+ 204.36 грн
7+ 150.29 грн
18+ 142.82 грн
50+ 141.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.6 грн
50+ 151.16 грн
100+ 129.56 грн
500+ 108.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N40D-GE3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.57 грн
10+ 176.46 грн
25+ 142.82 грн
100+ 122.22 грн
250+ 116.25 грн
500+ 105.62 грн
1000+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB45N40DM2AG en.DM00225195.pdf
STB45N40DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+449.81 грн
10+ 371.5 грн
100+ 309.57 грн
500+ 256.34 грн
STB45N40DM2AG stb45n40dm2ag-1850282.pdf
STB45N40DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.03 грн
10+ 407.16 грн
25+ 321.5 грн
100+ 294.93 грн
250+ 278.32 грн
500+ 260.39 грн
1000+ 233.82 грн
STGB25N40LZAG en.DM00431184.pdf
STGB25N40LZAG
Виробник: STMicroelectronics
Description: IGBT 435V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.58 грн
10+ 135.76 грн
100+ 108.07 грн
500+ 85.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGD25N40LZAG en.DM00431184.pdf
STGD25N40LZAG
Виробник: STMicroelectronics
Description: POWER TRANSISTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/4.6µs
Test Condition: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 26 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.93 грн
10+ 106.7 грн
100+ 84.91 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGD25N40LZAG en.DM00431184.pdf
STGD25N40LZAG
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.59 грн
10+ 116.88 грн
100+ 81.04 грн
250+ 68.42 грн
500+ 58.12 грн
1000+ 55.2 грн
2500+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP45N40DM2AG stp45n40dm2ag-1851539.pdf
STP45N40DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.11 грн
10+ 434.66 грн
25+ 306.22 грн
100+ 274.34 грн
500+ 245.78 грн
1000+ 223.85 грн
2000+ 213.89 грн
STP45N40DM2AG en.DM00213649.pdf
STP45N40DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.41 грн
50+ 330.95 грн
100+ 296.11 грн
500+ 245.2 грн
1000+ 220.68 грн
2000+ 206.78 грн
XG5N-401 en-xg5n_xg5n-u.pdf
XG5N-401
Виробник: Omron Electronics Inc-EMC Div
Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT), Glass Filled
Number of Rows: 2
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.89 грн
10+ 145.24 грн
100+ 129.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
XG5N-401 XG5N_0813-276207.pdf
XG5N-401
Виробник: Omron Electronics
Headers & Wire Housings CrimpSocket Discrete 2Row 40P 1PolarizeG
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.44 грн
10+ 158.13 грн
20+ 134.84 грн
50+ 133.52 грн
100+ 120.23 грн
1000+ 87.02 грн
2000+ 77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
XG5N-401-U XG5N_0813-276207.pdf
XG5N-401-U
Виробник: Omron Electronics
Headers & Wire Housings CrimpSocket/Lock Set 2Row 40P 1PolarizeG
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.59 грн
10+ 228.41 грн
20+ 180.68 грн
50+ 171.38 грн
100+ 170.71 грн
1000+ 152.12 грн
2000+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
XG5N-401-U en-xg5n_xg5n-u.pdf
XG5N-401-U
Виробник: Omron Electronics Inc-EMC Div
Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock/Eject Hooks
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polybutylene Terephthalate (PBT), Glass Filled
Number of Rows: 2
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.98 грн
10+ 249.93 грн
25+ 236.75 грн
50+ 217.01 грн
100+ 206.69 грн
300+ 180.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
0805N400J500NT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]