Результат пошуку "6n65" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
WMK26N65C2 WMK26N65C2 WAYON WMx26N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.06 грн
5+ 107.79 грн
9+ 93.88 грн
24+ 88.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK26N65C2 WMK26N65C2 WAYON WMx26N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+157.27 грн
5+ 134.32 грн
9+ 112.66 грн
24+ 105.98 грн
500+ 101.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML26N65C2; 20A; 650V; 34W; 0,19R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML26N65C4 WML26N65C4 WAYON WMx26N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.58 грн
5+ 100.84 грн
11+ 77.19 грн
29+ 73.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML26N65C4 WML26N65C4 WAYON WMx26N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+144.69 грн
5+ 125.66 грн
11+ 92.63 грн
29+ 87.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMN16N65C2 WMN16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.99 грн
5+ 68.46 грн
18+ 56.75 грн
47+ 53.41 грн
500+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO16N65C2 WMO16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.59 грн
5+ 63.26 грн
19+ 52.57 грн
51+ 49.24 грн
2500+ 47.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
MPF06N65
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA26N65C3
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STI16N65M5 STx16N65M5_Oct2011.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STU6N65K3 STMicroelectronics en.CD00297329.pdf
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TMPF6N65G
на замовлення 19102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
YMP6N65BCD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
74HC126N,652 74HC126N,652 NXP USA Inc. 74HC%28T%29126.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
на замовлення 27801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 833
74HC166N,652 74HC166N,652 NXP USA Inc. 74HC%28T%29166_Rev3.pdf Description: IC 8BIT SHIFT REGISTER 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Parallel or Serial to Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 11707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 592
74HC366N,652 74HC366N,652 NXP USA Inc. 74HC_HCT366.pdf Description: IC BUFFER INVERT 6V 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 6
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-DIP
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 620
74HC4016N,652 74HC4016N,652 NXP USA Inc. 74HC_T4016.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 120OHM 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 120Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: 14-DIP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 9Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 4
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 392
74HC4066N,652 74HC4066N,652 NXP USA Inc. 74HC%28T%294066_Rev7.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 95OHM 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 95Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-DIP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 4
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 807
74HC4316N,652 74HC4316N,652 NXP USA Inc. 74HC_HCT4316.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 135OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 135Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±1V ~ 5V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 16ns, 16ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 392
74HC646N,652 74HC646N,652 NXP USA Inc. 74HC(T)646_Rev_Feb2017.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 6V 24DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP (0.600", 15.24mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 24-DIP
Part Status: Obsolete
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 494
74HC7266N,652 74HC7266N,652 NXP USA Inc. 74HC7266.pdf Description: IC GATE XNOR 4CH 2-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: XNOR (Exclusive NOR)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 338
74HC86N,652 74HC86N,652 NXP USA Inc. 74HC_HCT86.pdf Description: IC GATE XOR 4CH 2-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 36291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1025
74HCT126N,652 74HCT126N,652 NXP USA Inc. 74HC(T)126.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
на замовлення 6237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 833
74HCT166N,652 74HCT166N,652 NXP USA Inc. 74HC(T)166_Rev3.pdf Description: IC SHIFT REG 8BIT PI-SO 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Parallel or Serial to Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-DIP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 592
74HCT366N,652 74HCT366N,652 NXP USA Inc. 74HC(T)366_Rev4.pdf Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 6
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 16-DIP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 338
EVALM3TS6665PNTOBO1 EVALM3TS6665PNTOBO1 Infineon Technologies Infineon-iMOTION_MADK_Evaluation_Platform-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b0165d356fa786cd6 Description: EVAL BOARD
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IKB20N65H5, IKD06N65ET6, IRS2890DS, IRS44273L
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32131.84 грн
N65LVDT32BD N65LVDT32BD Texas Instruments Description: IC DIFF RECEIVER H-S 16-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+244.1 грн
Мінімальне замовлення: 84
STD16N65M2
Код товару: 198608 		en.DM00140850.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STD16N65M5
Код товару: 189591 		en.CD00288956.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STF16N65M5
Код товару: 201571 		en.CD00218186.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
STF6N65K3
Код товару: 198720 		en.CD00297329.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP16N65M5 (транзистори польові N-канальні)
Код товару: 43778 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
5STP 26N6500 ABB 5STP_26N6500.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 4.52kA; 2.88kA; Igt: 400mA
Mounting: Press-Pack
Type of thyristor: hockey-puck
Case: Ø150/100mm
Max. off-state voltage: 6.5kV
Max. load current: 4.52kA
Load current: 2.88kA
Gate current: 400mA
Max. forward impulse current: 65kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXP16N65F BXP16N65F BRIDGELUX BXP16N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IGD06N65T6ARMA1 IGD06N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD06N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e181540294 Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товар відсутній
IXFA26N65X3 Littelfuse media?resourcetype=datasheets&itemid=442e3c66-861b-4460-82a2-df6ba42ec6c3&filename=power-semiconductor-discrete-mosfet-ixfa26n65x3-datasheet Littelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH26N65X3 Littelfuse Littelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO247
товар відсутній
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH46N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 46A; Idm: 65A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFP26N65X3 Littelfuse Littelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO220
товар відсутній
KSM6----N6--5-- KSM6----N6--5-- Essentra Plastic_Knobs.pdf Knobs & Dials KNRLD KNB PRES ON FL M6
товар відсутній
SiHA6N65E-E3 SiHA6N65E-E3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товар відсутній
SiHA6N65E-E3 SiHA6N65E-E3 Vishay / Siliconix siha6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товар відсутній
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix siha6n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHA6N65E-GE3 SIHA6N65E-GE3 Vishay / Siliconix siha6n65e.pdf MOSFET N-CHANNEL 650V
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 VISHAY sihb6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 VISHAY sihb6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 Vishay sihb6n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 SIHB6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
товар відсутній
SIHD6N65E-GE3 VISHAY sihd6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHD6N65E-GE3 VISHAY sihd6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay sihd6n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SIHD6N65ET1-GE3 SIHD6N65ET1-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD6N65ET1-GE3 SIHD6N65ET1-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252
товар відсутній
SIHD6N65ET4-GE3 SIHD6N65ET4-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD6N65ET4-GE3 SIHD6N65ET4-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252
товар відсутній
WMK26N65C2 WMx26N65C2.pdf
WMK26N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.06 грн
5+ 107.79 грн
9+ 93.88 грн
24+ 88.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMK26N65C2 WMx26N65C2.pdf
WMK26N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.27 грн
5+ 134.32 грн
9+ 112.66 грн
24+ 105.98 грн
500+ 101.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML26N65C2; 20A; 650V; 34W; 0,19R; N-канальный; Корпус: TO-220F; WAYON
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML26N65C4 WMx26N65C4.pdf
WML26N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+120.58 грн
5+ 100.84 грн
11+ 77.19 грн
29+ 73.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
WML26N65C4 WMx26N65C4.pdf
WML26N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.69 грн
5+ 125.66 грн
11+ 92.63 грн
29+ 87.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMN16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMN16N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.99 грн
5+ 68.46 грн
18+ 56.75 грн
47+ 53.41 грн
500+ 51.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMO16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMO16N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.59 грн
5+ 63.26 грн
19+ 52.57 грн
51+ 49.24 грн
2500+ 47.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
MPF06N65
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA26N65C3
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STI16N65M5 STx16N65M5_Oct2011.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STU6N65K3 en.CD00297329.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TMPF6N65G
на замовлення 19102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
YMP6N65BCD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
74HC126N,652 74HC%28T%29126.pdf
74HC126N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
на замовлення 27801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 833
74HC166N,652 74HC%28T%29166_Rev3.pdf
74HC166N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC 8BIT SHIFT REGISTER 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Parallel or Serial to Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Supplier Device Package: 16-DIP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 11707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 592
74HC366N,652 74HC_HCT366.pdf
74HC366N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER INVERT 6V 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 6
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 16-DIP
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
620+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 620
74HC4016N,652 74HC_T4016.pdf
74HC4016N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 120OHM 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 120Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: 14-DIP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 9Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 4
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
392+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 392
74HC4066N,652 74HC%28T%294066_Rev7.pdf
74HC4066N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 95OHM 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 95Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 14-DIP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 4
на замовлення 7886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
807+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 807
74HC4316N,652 74HC_HCT4316.pdf
74HC4316N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 135OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 135Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 10V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±1V ~ 5V
Crosstalk: -60dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 6Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 16ns, 16ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
392+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 392
74HC646N,652 74HC(T)646_Rev_Feb2017.pdf
74HC646N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC TXRX NON-INVERT 6V 24DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP (0.600", 15.24mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 24-DIP
Part Status: Obsolete
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
494+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 494
74HC7266N,652 74HC7266.pdf
74HC7266N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC GATE XNOR 4CH 2-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: XNOR (Exclusive NOR)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 6V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
338+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 338
74HC86N,652 74HC_HCT86.pdf
74HC86N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC GATE XOR 4CH 2-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: XOR (Exclusive OR)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-DIP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 36291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 1025
74HCT126N,652 74HC(T)126.pdf
74HCT126N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 14-DIP
Part Status: Obsolete
на замовлення 6237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
833+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 833
74HCT166N,652 74HC(T)166_Rev3.pdf
74HCT166N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC SHIFT REG 8BIT PI-SO 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Function: Parallel or Serial to Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-DIP
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 592
74HCT366N,652 74HC(T)366_Rev4.pdf
74HCT366N,652
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 16DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 6
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 16-DIP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
338+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 338
EVALM3TS6665PNTOBO1 Infineon-iMOTION_MADK_Evaluation_Platform-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b0165d356fa786cd6
EVALM3TS6665PNTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IKB20N65H5, IKD06N65ET6, IRS2890DS, IRS44273L
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+32131.84 грн
N65LVDT32BD
N65LVDT32BD
Виробник: Texas Instruments
Description: IC DIFF RECEIVER H-S 16-SOIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
84+244.1 грн
Мінімальне замовлення: 84
STD16N65M2
Код товару: 198608		 en.DM00140850.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STD16N65M5
Код товару: 189591		 en.CD00288956.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STF16N65M5
Код товару: 201571		 en.CD00218186.pdf
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
STF6N65K3
Код товару: 198720		 en.CD00297329.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP16N65M5 (транзистори польові N-канальні)
Код товару: 43778
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
5STP 26N6500 5STP_26N6500.pdf
Виробник: ABB
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 6.5kV; Ifmax: 4.52kA; 2.88kA; Igt: 400mA
Mounting: Press-Pack
Type of thyristor: hockey-puck
Case: Ø150/100mm
Max. off-state voltage: 6.5kV
Max. load current: 4.52kA
Load current: 2.88kA
Gate current: 400mA
Max. forward impulse current: 65kA
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXP16N65F BXP16N65.pdf
BXP16N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IGD06N65T6ARMA1 Infineon-IGD06N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e181540294
IGD06N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товар відсутній
IXFA26N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=442e3c66-861b-4460-82a2-df6ba42ec6c3&filename=power-semiconductor-discrete-mosfet-ixfa26n65x3-datasheet
Виробник: Littelfuse
Littelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFH26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH26N65X3
Виробник: Littelfuse
Littelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO247
товар відсутній
IXFH46N65X2 sfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH46N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 46A; Idm: 65A; 520W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 165ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFP26N65X3
Виробник: Littelfuse
Littelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO220
товар відсутній
KSM6----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM6----N6--5--
Виробник: Essentra
Knobs & Dials KNRLD KNB PRES ON FL M6
товар відсутній
SiHA6N65E-E3 siha6n65e.pdf
SiHA6N65E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товар відсутній
SiHA6N65E-E3 siha6n65e.pdf
SiHA6N65E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товар відсутній
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHA6N65E-GE3 siha6n65e.pdf
SIHA6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 650V
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
SIHB6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
SIHB6N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SIHB6N65E-GE3 sihb6n65e.pdf
SIHB6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
товар відсутній
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SIHD6N65ET1-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD6N65ET1-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252
товар відсутній
SIHD6N65ET4-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHD6N65ET4-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65ET4-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds E Series DPAK TO-252
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]