Результат пошуку "BS170" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BS170 (Fairchild) транзистор BS170 (Fairchild) транзистор
Код товару: 26014
Додати до обраних Обраний товар
FS BS170-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z
Код товару: 143717
3 Додати до обраних Обраний товар
ON MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 404 шт
  • 367 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
3+7.50 грн
10+6.80 грн
100+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
19+22.81 грн
22+19.54 грн
100+10.82 грн
250+8.89 грн
500+7.80 грн
1000+6.88 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 86278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.27 грн
50+13.21 грн
100+10.86 грн
500+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.75 грн
51+14.90 грн
109+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 150834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1315+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 1315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 150834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 16250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1457+9.71 грн
2500+9.05 грн
5000+8.67 грн
7500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ONSEMI 4459580.pdf Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 37355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 37235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1998+7.08 грн
2017+7.02 грн
2149+6.58 грн
2500+6.28 грн
5000+5.76 грн
10000+5.47 грн
30000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 1998 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 37235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.10 грн
52+14.60 грн
107+7.08 грн
500+6.76 грн
1000+5.88 грн
2500+5.58 грн
5000+5.53 грн
10000+5.47 грн
30000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 52492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4082+8.67 грн
10000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 4082 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 onsemi MMBF170-D.PDF MOSFETs FET 60V 5.0 MOHM TO92
на замовлення 90844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.45 грн
101+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170 ON-Semiconductor info-tbs170.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170"D27Z BS170"D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
18+23.57 грн
25+19.46 грн
50+16.86 грн
100+14.51 грн
500+10.40 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 16991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.66 грн
4000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.66 грн
4000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.01 грн
4000+11.48 грн
6000+11.17 грн
8000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+25.72 грн
766+18.48 грн
774+18.29 грн
915+14.91 грн
1305+9.68 грн
3000+8.36 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.03 грн
4000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.09 грн
24+32.15 грн
30+25.72 грн
100+17.82 грн
250+16.33 грн
500+13.25 грн
1000+9.29 грн
3000+8.36 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 21683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.83 грн
50+18.01 грн
100+14.83 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor mmbf170-d.pdf Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 100646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2036+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 2036 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170-D26Z ON-Semiconductor info-tbs170.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
22+19.37 грн
29+14.76 грн
50+12.08 грн
100+10.06 грн
250+8.22 грн
500+7.30 грн
1000+6.63 грн
2000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi MMBF170-D.PDF MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 15052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.46 грн
4000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.74 грн
4000+15.59 грн
6000+13.63 грн
8000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.83 грн
50+15.08 грн
100+12.38 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.45 грн
4000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.46 грн
4000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.91 грн
100+13.31 грн
500+9.39 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.35 грн
4000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+29.68 грн
757+18.71 грн
1016+13.93 грн
1148+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi MMBF170-D.PDF MOSFETs NCh Enhancement Mode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.68 грн
100+18.71 грн
500+13.93 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
31+13.84 грн
100+10.65 грн
500+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.70 грн
41+18.58 грн
42+18.39 грн
50+17.18 грн
100+12.03 грн
250+11.44 грн
500+10.67 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
794+17.82 грн
1050+13.47 грн
1061+13.34 грн
1137+12.00 грн
1665+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.97 грн
4000+12.57 грн
6000+12.16 грн
8000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z. BS170-D75Z. ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA BS170FTA UMW 52c45e3fdc6528642df12bcf728bda21.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA BS170FTA UMW 52c45e3fdc6528642df12bcf728bda21.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+13.06 грн
50+9.37 грн
100+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA BS170FTA EVVO 5272_BS170FTA.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.76 грн
50+15.07 грн
100+12.38 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA BS170FTA DIODES/ZETEX info-tbs170sot23.pdf description N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.pdf description MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 65509 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P BS170P DIODES INCORPORATED bs170p.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
10+51.24 грн
25+42.35 грн
100+32.88 грн
500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 (Fairchild) транзистор
Код товару: 26014
Додати до обраних Обраний товар
BS170-D.PDF
BS170 (Fairchild) транзистор
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z
Код товару: 143717
3 Додати до обраних Обраний товар
MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 404 шт
  • 367 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.50 грн
10+6.80 грн
100+6.20 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 BS170,MMBF170.PDF
BS170
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 8475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.80 грн
19+22.81 грн
22+19.54 грн
100+10.82 грн
250+8.89 грн
500+7.80 грн
1000+6.88 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 MMBF170-D.PDF
BS170
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 86278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
17+18.27 грн
50+13.21 грн
100+10.86 грн
500+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.75 грн
51+14.90 грн
109+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 150834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1315+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 1315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 150834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
101+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 16250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1457+9.71 грн
2500+9.05 грн
5000+8.67 грн
7500+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 4459580.pdf
BS170
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 37355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 37235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1998+7.08 грн
2017+7.02 грн
2149+6.58 грн
2500+6.28 грн
5000+5.76 грн
10000+5.47 грн
30000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 1998 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 37235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.10 грн
52+14.60 грн
107+7.08 грн
500+6.76 грн
1000+5.88 грн
2500+5.58 грн
5000+5.53 грн
10000+5.47 грн
30000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 52492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4082+8.67 грн
10000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 4082 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 MMBF170-D.PDF
BS170
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 MOHM TO92
на замовлення 90844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+14.45 грн
101+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170 info-tbs170.pdf
BS170
Виробник: ON-Semiconductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170"D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170"D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.13 грн
18+23.57 грн
25+19.46 грн
50+16.86 грн
100+14.51 грн
500+10.40 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 16991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+9.66 грн
4000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+9.66 грн
4000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+12.01 грн
4000+11.48 грн
6000+11.17 грн
8000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+25.72 грн
766+18.48 грн
774+18.29 грн
915+14.91 грн
1305+9.68 грн
3000+8.36 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+9.03 грн
4000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.09 грн
24+32.15 грн
30+25.72 грн
100+17.82 грн
250+16.33 грн
500+13.25 грн
1000+9.29 грн
3000+8.36 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 21683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
13+24.83 грн
50+18.01 грн
100+14.83 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 100646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2036+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 2036 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D26Z info-tbs170.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.61 грн
22+19.37 грн
29+14.76 грн
50+12.08 грн
100+10.06 грн
250+8.22 грн
500+7.30 грн
1000+6.63 грн
2000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z MMBF170-D.PDF
BS170-D27Z
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 15052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+9.46 грн
4000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.74 грн
4000+15.59 грн
6000+13.63 грн
8000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z MMBF170-D.PDF
BS170-D27Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
15+20.83 грн
50+15.08 грн
100+12.38 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z MMBF170-D.PDF
BS170-D27Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+7.45 грн
4000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+9.46 грн
4000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z MMBF170-D.PDF
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
15+20.91 грн
100+13.31 грн
500+9.39 грн
1000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z mmbf170-d.pdf
BS170-D74Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z MMBF170-D.PDF
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+8.35 грн
4000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z mmbf170-d.pdf
BS170-D74Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
477+29.68 грн
757+18.71 грн
1016+13.93 грн
1148+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z MMBF170-D.PDF
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
MOSFETs NCh Enhancement Mode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D74Z mmbf170-d.pdf
BS170-D74Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.68 грн
100+18.71 грн
500+13.93 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
31+13.84 грн
100+10.65 грн
500+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.70 грн
41+18.58 грн
42+18.39 грн
50+17.18 грн
100+12.03 грн
250+11.44 грн
500+10.67 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
794+17.82 грн
1050+13.47 грн
1061+13.34 грн
1137+12.00 грн
1665+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+12.97 грн
4000+12.57 грн
6000+12.16 грн
8000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170-D75Z. ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA description 52c45e3fdc6528642df12bcf728bda21.pdf
BS170FTA
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA description 52c45e3fdc6528642df12bcf728bda21.pdf
BS170FTA
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.95 грн
24+13.06 грн
50+9.37 грн
100+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA description 5272_BS170FTA.pdf
BS170FTA
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
15+20.76 грн
50+15.07 грн
100+12.38 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA description info-tbs170sot23.pdf
BS170FTA
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BS170FTA description BS170F.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
на замовлення 65509 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BS170P bs170p.pdf
BS170P
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.09 грн
10+51.24 грн
25+42.35 грн
100+32.88 грн
500+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]