Результат пошуку "BS170" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BS170-D26Z BS170-D26Z
Код товару: 143717
ON FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1329 шт
очікується: 100 шт
1+7.5 грн
10+ 6.8 грн
100+ 6.2 грн
1000+ 5.5 грн
BS170 BS170 ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 69
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2067+5.48 грн
2087+ 5.43 грн
2500+ 5.37 грн
10000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 2067
BS170 BS170 onsemi mmbf170-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 44392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.83 грн
15+ 18.16 грн
100+ 9.14 грн
1000+ 5.92 грн
5000+ 5.18 грн
10000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.63 грн
109+ 5.14 грн
111+ 5.09 грн
1000+ 4.86 грн
2500+ 4.45 грн
10000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170 BS170 onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 114446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.02 грн
15+ 20.2 грн
100+ 7.83 грн
1000+ 5.48 грн
2500+ 5.35 грн
10000+ 4.96 грн
50000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170 ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170 ON-Semicoductor mmbf170-d.pdf N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170"D27Z BS170"D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.08 грн
31+ 23.73 грн
38+ 19.33 грн
50+ 13.8 грн
100+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.89 грн
35+ 10.81 грн
95+ 8.7 грн
250+ 8.23 грн
2000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.47 грн
25+ 13.47 грн
95+ 10.45 грн
250+ 9.87 грн
2000+ 9.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 29038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.42 грн
15+ 18.84 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.81 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 146646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3143+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3143
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+20.28 грн
904+ 12.53 грн
913+ 12.4 грн
922+ 11.84 грн
1600+ 6.32 грн
3000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 559
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.44 грн
10000+ 5.8 грн
24000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor bs170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 57466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.65 грн
15+ 20.95 грн
100+ 10.05 грн
1000+ 6.92 грн
2000+ 6.07 грн
10000+ 5.88 грн
24000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z ONSEMI FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 146646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3782+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3782
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.43 грн
10000+ 5.8 грн
24000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+26.85 грн
28+ 20.26 грн
30+ 18.83 грн
100+ 11.22 грн
250+ 10.28 грн
500+ 9.77 грн
1000+ 5.63 грн
3000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
BS170-D26Z ON-Semicoductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D26Z ON-Semicoductor FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.21 грн
40+ 8.77 грн
100+ 7.07 грн
140+ 5.81 грн
375+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 8624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.78 грн
15+ 21.02 грн
100+ 8.23 грн
1000+ 6.4 грн
2000+ 5.35 грн
10000+ 4.9 грн
24000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 16631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.54 грн
15+ 18.9 грн
100+ 9.53 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI 694801.pdf Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.47 грн
30+ 24.61 грн
100+ 9.81 грн
500+ 6.8 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.11 грн
6000+ 5.75 грн
10000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.42 грн
15+ 18.84 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.81 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.31 грн
35+ 10.68 грн
100+ 9.45 грн
105+ 7.75 грн
280+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI BS170,MMBF170.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+21.97 грн
25+ 13.3 грн
100+ 11.34 грн
105+ 9.3 грн
280+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+20.86 грн
1004+ 11.28 грн
1045+ 10.84 грн
1055+ 10.35 грн
1615+ 6.26 грн
3000+ 5.94 грн
6000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 543
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.81 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi / Fairchild MMBF170_D-3179750.pdf MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 35764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.65 грн
15+ 20.95 грн
100+ 9.66 грн
1000+ 6.92 грн
2000+ 6.07 грн
24000+ 5.81 грн
50000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.05 грн
30+ 24.53 грн
100+ 11.42 грн
500+ 7.82 грн
2000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
BS170-D75Z ONSEMI FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+25.69 грн
29+ 19.37 грн
100+ 10.1 грн
250+ 8.98 грн
500+ 8.54 грн
1000+ 5.53 грн
3000+ 5.47 грн
6000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 14313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.42 грн
15+ 18.84 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 25940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.27 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 17.89 грн
5000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 25940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.97 грн
17+ 44.89 грн
100+ 28.27 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 17.89 грн
5000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED BS170F.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.15mA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.4 грн
14+ 25.09 грн
25+ 22.17 грн
44+ 18.24 грн
119+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED BS170F.PDF description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.15mA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.68 грн
9+ 31.27 грн
25+ 26.6 грн
44+ 21.88 грн
119+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 105563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.49 грн
10+ 36.79 грн
100+ 25.47 грн
500+ 19.97 грн
1000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.09 грн
6000+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description MOSFET N-Chnl 60V
на замовлення 45842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.14 грн
10+ 40.92 грн
100+ 24.68 грн
500+ 20.56 грн
1000+ 17.56 грн
3000+ 15.54 грн
6000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
BS170FTA BS170FTA Diodes Zetex bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Incorporated BS170F.PDF description Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.75 грн
6000+ 15.28 грн
9000+ 14.15 грн
30000+ 13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA BS170FTA Diodes Inc bs170f.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA DIODES/ZETEX BS170F.PDF description N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D26Z
Код товару: 143717
FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1329 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+7.5 грн
10+ 6.8 грн
100+ 6.2 грн
1000+ 5.5 грн
BS170 bs170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 69
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2067+5.48 грн
2087+ 5.43 грн
2500+ 5.37 грн
10000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 2067
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 44392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.83 грн
15+ 18.16 грн
100+ 9.14 грн
1000+ 5.92 грн
5000+ 5.18 грн
10000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+26.63 грн
109+ 5.14 грн
111+ 5.09 грн
1000+ 4.86 грн
2500+ 4.45 грн
10000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170 MMBF170_D-3179750.pdf
BS170
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Small Signal MOSFET 60V 500mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 114446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.02 грн
15+ 20.2 грн
100+ 7.83 грн
1000+ 5.48 грн
2500+ 5.35 грн
10000+ 4.96 грн
50000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170 mmbf170-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170"D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170"D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.08 грн
31+ 23.73 грн
38+ 19.33 грн
50+ 13.8 грн
100+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+12.89 грн
35+ 10.81 грн
95+ 8.7 грн
250+ 8.23 грн
2000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
BS170-D26Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.47 грн
25+ 13.47 грн
95+ 10.45 грн
250+ 9.87 грн
2000+ 9.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 29038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.42 грн
15+ 18.84 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.81 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D26Z
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 146646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3143+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3143
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
559+20.28 грн
904+ 12.53 грн
913+ 12.4 грн
922+ 11.84 грн
1600+ 6.32 грн
3000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 559
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.44 грн
10000+ 5.8 грн
24000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z bs170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z MMBF170_D-3179750.pdf
BS170-D26Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 57466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.65 грн
15+ 20.95 грн
100+ 10.05 грн
1000+ 6.92 грн
2000+ 6.07 грн
10000+ 5.88 грн
24000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 146646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3782+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3782
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.43 грн
10000+ 5.8 грн
24000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+26.85 грн
28+ 20.26 грн
30+ 18.83 грн
100+ 11.22 грн
250+ 10.28 грн
500+ 9.77 грн
1000+ 5.63 грн
3000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D26Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170_D26Z(reel), BS170_D27Z(reel), BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo), BS170RL1G(T/R) BS170 (forming) TBS170F
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170-D27Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+17.21 грн
40+ 8.77 грн
100+ 7.07 грн
140+ 5.81 грн
375+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z MMBF170_D-3179750.pdf
BS170-D27Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 8624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.78 грн
15+ 21.02 грн
100+ 8.23 грн
1000+ 6.4 грн
2000+ 5.35 грн
10000+ 4.9 грн
24000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170-D27Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D27Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 16631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.54 грн
15+ 18.9 грн
100+ 9.53 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
BS170-D27Z 694801.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+33.47 грн
30+ 24.61 грн
100+ 9.81 грн
500+ 6.8 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D27Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.11 грн
6000+ 5.75 грн
10000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D74Z mmbf170-d.pdf
BS170-D74Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D74Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.42 грн
15+ 18.84 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D74Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.81 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+18.31 грн
35+ 10.68 грн
100+ 9.45 грн
105+ 7.75 грн
280+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
BS170-D75Z BS170,MMBF170.PDF
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO92
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.97 грн
25+ 13.3 грн
100+ 11.34 грн
105+ 9.3 грн
280+ 8.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
543+20.86 грн
1004+ 11.28 грн
1045+ 10.84 грн
1055+ 10.35 грн
1615+ 6.26 грн
3000+ 5.94 грн
6000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 543
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D75Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+6.81 грн
6000+ 6.29 грн
10000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170-D75Z MMBF170_D-3179750.pdf
BS170-D75Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
на замовлення 35764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.65 грн
15+ 20.95 грн
100+ 9.66 грн
1000+ 6.92 грн
2000+ 6.07 грн
24000+ 5.81 грн
50000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.05 грн
30+ 24.53 грн
100+ 11.42 грн
500+ 7.82 грн
2000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 24
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+25.69 грн
29+ 19.37 грн
100+ 10.1 грн
250+ 8.98 грн
500+ 8.54 грн
1000+ 5.53 грн
3000+ 5.47 грн
6000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
BS170-D75Z FAIRS29185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BS170-D75Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 14313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.42 грн
15+ 18.84 грн
100+ 11.32 грн
500+ 9.84 грн
1000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 25940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.27 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 17.89 грн
5000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 25940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+53.97 грн
17+ 44.89 грн
100+ 28.27 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 17.89 грн
5000+ 15.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.15mA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.4 грн
14+ 25.09 грн
25+ 22.17 грн
44+ 18.24 грн
119+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance:
Drain current: 0.15mA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.68 грн
9+ 31.27 грн
25+ 26.6 грн
44+ 21.88 грн
119+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 105563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.49 грн
10+ 36.79 грн
100+ 25.47 грн
500+ 19.97 грн
1000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 7
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.09 грн
6000+ 24.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Chnl 60V
на замовлення 45842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.14 грн
10+ 40.92 грн
100+ 24.68 грн
500+ 20.56 грн
1000+ 17.56 грн
3000+ 15.54 грн
6000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description BS170F.PDF
BS170FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150µA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.75 грн
6000+ 15.28 грн
9000+ 14.15 грн
30000+ 13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description bs170f.pdf
BS170FTA
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 60V 0.00015A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BS170FTA description BS170F.PDF
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]