Результат пошуку "D30n" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 495
Мінімальне замовлення: 904
Мінімальне замовлення: 547
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S-1313D30-N4T1U3 | ABLIC Inc. |
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SC82AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 200mA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 1.35 µA Voltage - Input (Max): 5.5V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SC-82AB Voltage - Output (Min/Fixed): 3V Control Features: Enable Part Status: Active Voltage Dropout (Max): 0.32V @ 100mA Protection Features: Overcurrent, Thermal Shutdown |
на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SM-PR-2-D30-NN | IDEC | Photoelectric Sensors 95B000010 Sensor Miniature |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD30N03S2L07GBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD30N03S2L20GBTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 22023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD30N05-20L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD30N05-20L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD30N05-20L_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 31489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30N6LF6AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30N6LF6AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ 24 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF04LT | ST |
Trans Mosfet N-ch 40V 30A 3-PIN Dpak T/r STD30NF04LT STM TSTD30nf04lt кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF06L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 8380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF06LT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD30NF06LT4 | TECH PUBLIC |
Logic N-MOSFET 28A 60V 70W 0.02Ω STD30NF06L TSTD30nf06l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
0805NPO100D30NT | CTC | 0805-10P |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
0805NPO100D30NT0805-10P | CTC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQD30N06 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06L | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06L | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06L | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06L | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD30N06LTM | Fairchild |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQD30N06TM | ON Semiconductor |
на замовлення 5799 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
GFD30N03 | 07+ |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPD30N03S4L-14 | INF | 07+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPD30N06S223ATMA2 | Infineon |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPD30N06S2L-13 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IPD30N06S2L-23 | Infineon technologies |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MID30N03A |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MID30N03ASTR |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MTD30N03 |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTD30N02 | ON | 07+ SOT-252 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTD30N02 | ON | SOT-252 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTD30N02 | ON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTD30N02G |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTD30N02T4 | ON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTD30N02T4G |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTD30N06 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PD30N06SZ-15 |
на замовлення 250060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PQ60050QTD30NKS |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RFD30N03 |
на замовлення 516 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SDD30N02 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SDD30N03L |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SFD30N06 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SMD30N03-30 |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SMD30N03-30L |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPD30N03 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD30N03L | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD30N03L | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD30N03S2L-07 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD30N03S2L-07 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD30N03S2L-10 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD30N03S2L-10 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
S-1313D30-N4T1U3 |
Виробник: ABLIC Inc.
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.35 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.32V @ 100mA
Protection Features: Overcurrent, Thermal Shutdown
Description: IC REG LINEAR 3V 200MA SC82AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1.35 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SC-82AB
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.32V @ 100mA
Protection Features: Overcurrent, Thermal Shutdown
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.21 грн |
10+ | 79.57 грн |
25+ | 75.53 грн |
100+ | 58.23 грн |
250+ | 54.43 грн |
500+ | 48.1 грн |
1000+ | 37.35 грн |
SM-PR-2-D30-NN |
Виробник: IDEC
Photoelectric Sensors 95B000010 Sensor Miniature
Photoelectric Sensors 95B000010 Sensor Miniature
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7455.37 грн |
10+ | 6123.54 грн |
25+ | 5147.02 грн |
50+ | 4969.21 грн |
100+ | 4921.26 грн |
250+ | 4674.87 грн |
SPD30N03S2L07GBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
495+ | 40.58 грн |
SPD30N03S2L20GBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 22023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
904+ | 21.95 грн |
SPD30N08S2-22 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
547+ | 36.58 грн |
SQD30N05-20L_GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 43.58 грн |
SQD30N05-20L_GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.17 грн |
10+ | 83.03 грн |
100+ | 64.56 грн |
500+ | 51.36 грн |
1000+ | 41.83 грн |
SQD30N05-20L_GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 31489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.21 грн |
10+ | 92.66 грн |
100+ | 62.53 грн |
500+ | 52.94 грн |
1000+ | 43.09 грн |
2000+ | 39.69 грн |
4000+ | 38.56 грн |
STD30N6LF6AG |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.43 грн |
10+ | 53.83 грн |
100+ | 41.85 грн |
500+ | 33.29 грн |
1000+ | 27.12 грн |
STD30N6LF6AG |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ 24 A STripFET F6 Power MOSFET
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ 24 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.43 грн |
10+ | 59.73 грн |
100+ | 40.42 грн |
500+ | 34.23 грн |
1000+ | 27.9 грн |
2500+ | 26.9 грн |
5000+ | 25.04 грн |
STD30NF04LT |
Виробник: ST
Trans Mosfet N-ch 40V 30A 3-PIN Dpak T/r STD30NF04LT STM TSTD30nf04lt
кількість в упаковці: 50 шт
Trans Mosfet N-ch 40V 30A 3-PIN Dpak T/r STD30NF04LT STM TSTD30nf04lt
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 30.1 грн |
STD30NF06L |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.23 грн |
10+ | 52.44 грн |
25+ | 49.81 грн |
100+ | 38.4 грн |
250+ | 35.9 грн |
500+ | 31.72 грн |
1000+ | 24.63 грн |
STD30NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 8380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 100.13 грн |
10+ | 79.91 грн |
100+ | 63.62 грн |
500+ | 50.52 грн |
1000+ | 42.87 грн |
STD30NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 42.96 грн |
STD30NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.77 грн |
10+ | 88.84 грн |
100+ | 61.47 грн |
250+ | 60.07 грн |
500+ | 51.61 грн |
1000+ | 44.15 грн |
2500+ | 41.95 грн |
STD30NF06LT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 45.06 грн |
5000+ | 41.76 грн |
STD30NF06LT4 |
Виробник: TECH PUBLIC
Logic N-MOSFET 28A 60V 70W 0.02Ω STD30NF06L TSTD30nf06l
кількість в упаковці: 10 шт
Logic N-MOSFET 28A 60V 70W 0.02Ω STD30NF06L TSTD30nf06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 57.63 грн |
IPD30N06S2L-23 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03L |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-07 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-07 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPD30N03S2L-10 |
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)