Результат пошуку "IRF510" : 54
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 279
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 191
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 282
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 230
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 229
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 135/5 Монтаж: THT |
у наявності: 31 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 4 шт - РАДІОМАГ-Львів 3 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||
IRF510 | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF510 | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF510-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 237 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 359 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 7925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF510S | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 678 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRRPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF510L |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
IRF520PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
IRF510PBF(транзистор) Код товару: 67239
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF510 | onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF510 | STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF510 | Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF510STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF510STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF510STRRPBF | Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
у наявності: 31 шт
14 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21.00 грн |
10+ | 19.50 грн |
100+ | 17.90 грн |
IRF510 |
![]() |
на замовлення 152 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.21 грн |
IRF510 |
![]() |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 26.21 грн |
IRF510-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.87 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 65.18 грн |
10+ | 53.14 грн |
32+ | 29.24 грн |
87+ | 27.59 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
на замовлення 237 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.21 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.22 грн |
10+ | 66.22 грн |
32+ | 35.09 грн |
87+ | 33.11 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
279+ | 43.91 грн |
2300+ | 40.12 грн |
3450+ | 37.33 грн |
4600+ | 33.95 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 66.68 грн |
50+ | 49.66 грн |
100+ | 48.12 грн |
500+ | 43.64 грн |
1000+ | 36.32 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
191+ | 64.23 грн |
256+ | 47.83 грн |
264+ | 46.34 грн |
500+ | 42.04 грн |
1000+ | 34.98 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 9594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 68.93 грн |
10+ | 42.00 грн |
100+ | 35.09 грн |
500+ | 33.43 грн |
1000+ | 28.22 грн |
2000+ | 27.69 грн |
5000+ | 25.05 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 81.10 грн |
14+ | 63.74 грн |
100+ | 48.34 грн |
500+ | 38.04 грн |
1000+ | 28.52 грн |
5000+ | 25.98 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 84.57 грн |
50+ | 54.59 грн |
100+ | 52.64 грн |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 91.42 грн |
14+ | 61.80 грн |
25+ | 56.80 грн |
50+ | 48.50 грн |
100+ | 42.01 грн |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 31.04 грн |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 74.92 грн |
10+ | 40.18 грн |
100+ | 31.47 грн |
500+ | 27.62 грн |
1000+ | 25.20 грн |
2000+ | 24.75 грн |
5000+ | 22.94 грн |
IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 28.97 грн |
IRF510S |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 22.32 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 72.80 грн |
31+ | 30.26 грн |
84+ | 28.61 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.36 грн |
31+ | 37.71 грн |
84+ | 34.33 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
282+ | 43.49 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 46.60 грн |
50+ | 46.29 грн |
100+ | 46.25 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 83.28 грн |
10+ | 48.60 грн |
100+ | 42.18 грн |
500+ | 38.64 грн |
1000+ | 36.52 грн |
2000+ | 35.01 грн |
5000+ | 34.64 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
230+ | 53.35 грн |
234+ | 52.34 грн |
245+ | 50.07 грн |
500+ | 43.41 грн |
1000+ | 38.46 грн |
2000+ | 36.72 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 55.39 грн |
50+ | 54.34 грн |
100+ | 51.99 грн |
500+ | 45.07 грн |
1000+ | 39.94 грн |
2000+ | 38.12 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 87.19 грн |
11+ | 84.40 грн |
100+ | 50.20 грн |
500+ | 45.67 грн |
1000+ | 41.14 грн |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 49.26 грн |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 72.48 грн |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 51.14 грн |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.01 грн |
10+ | 91.99 грн |
100+ | 55.99 грн |
500+ | 46.56 грн |
800+ | 36.60 грн |
2400+ | 35.09 грн |
4800+ | 34.41 грн |
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 88.92 грн |
10+ | 85.04 грн |
100+ | 55.99 грн |
500+ | 43.54 грн |
800+ | 36.60 грн |
2400+ | 35.54 грн |
4800+ | 34.64 грн |
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
229+ | 53.57 грн |
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 55.87 грн |
10+ | 48.03 грн |
36+ | 25.86 грн |
99+ | 24.45 грн |
IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21.00 грн |
10+ | 19.80 грн |
100+ | 18.60 грн |
IRF510PBF(транзистор) Код товару: 67239
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.