Результат пошуку "IRF530" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF5305PBF IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

IR irf5305pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 514 шт
453 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
29 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
104 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 800 шт
800 шт - очікується 14.08.2025
1+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf530s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 Siliconix IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 UMW Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 International Rectifier P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305 JSMicro Semiconductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.71 грн
10+68.00 грн
30+31.33 грн
83+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IR irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993 Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.05 грн
10+84.74 грн
30+37.60 грн
83+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+89.09 грн
224+54.92 грн
246+50.02 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+66.07 грн
214+57.53 грн
500+48.60 грн
1000+39.83 грн
4000+28.92 грн
10000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN-3362784.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.57 грн
10+99.45 грн
25+54.18 грн
100+51.35 грн
500+41.02 грн
1000+36.89 грн
2000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
436+70.35 грн
500+63.31 грн
1000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.87 грн
10+70.46 грн
100+61.35 грн
500+49.97 грн
1000+39.33 грн
4000+29.60 грн
10000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.20 грн
217+56.72 грн
500+47.86 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.53 грн
11+69.85 грн
100+60.77 грн
500+49.45 грн
1000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+95.56 грн
135+91.29 грн
250+87.62 грн
500+81.45 грн
1000+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.66 грн
10+106.46 грн
100+66.28 грн
500+48.87 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF Infineon Technologies infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL Infineon 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+139.94 грн
10+86.82 грн
22+42.73 грн
61+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF Infineon irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+67.49 грн
183+67.17 грн
219+56.07 грн
250+49.05 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.28 грн
10+72.31 грн
25+71.97 грн
100+57.93 грн
250+48.66 грн
500+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf-3363922.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 11626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.68 грн
10+105.61 грн
100+64.29 грн
500+49.90 грн
800+44.01 грн
2400+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.02 грн
500+73.02 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.57 грн
1600+42.99 грн
2400+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.75 грн
1600+46.06 грн
2400+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.20 грн
50+103.88 грн
100+83.02 грн
500+73.02 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+165.10 грн
116+106.25 грн
291+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530A IRF530A ONSEMI ONSM-S-A0003589931-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.88 грн
11+82.59 грн
100+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N Infineon N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.96 грн
10+43.13 грн
46+20.41 грн
127+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IR irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.15 грн
10+53.75 грн
46+24.49 грн
127+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-3362954.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.20 грн
10+54.30 грн
100+39.26 грн
500+31.30 грн
1000+28.01 грн
2000+24.57 грн
5000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+54.28 грн
17+41.49 грн
100+36.46 грн
500+29.77 грн
1000+25.29 грн
2000+22.73 грн
5000+20.84 грн
10000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.72 грн
16+57.18 грн
100+49.37 грн
500+35.95 грн
1000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+53.20 грн
283+43.47 грн
500+34.12 грн
1000+29.26 грн
2000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+45.77 грн
349+35.23 грн
500+24.52 грн
1000+21.67 грн
4000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.84 грн
15+48.47 грн
100+41.32 грн
500+32.63 грн
1000+27.34 грн
2000+24.31 грн
5000+22.02 грн
10000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.37 грн
13+57.00 грн
100+46.58 грн
500+35.25 грн
1000+29.02 грн
2000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF Infineon Technologies infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+45.24 грн
318+38.56 грн
500+31.58 грн
1000+27.56 грн
2000+23.64 грн
5000+20.55 грн
10000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS International Rectifier irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+83.28 грн
10+62.34 грн
25+55.17 грн
30+32.29 грн
80+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.93 грн
10+77.69 грн
25+66.20 грн
30+38.74 грн
80+36.64 грн
1600+35.68 грн
2400+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.26 грн
500+46.56 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.02 грн
11+80.44 грн
100+57.26 грн
500+46.56 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 12178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.43 грн
10+71.03 грн
100+47.30 грн
500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+36.07 грн
1600+34.96 грн
2400+34.13 грн
4000+29.17 грн
5600+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.89 грн
285+43.15 грн
324+37.92 грн
500+32.16 грн
1000+28.46 грн
3200+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+33.83 грн
1600+32.78 грн
2400+32.01 грн
4000+27.36 грн
5600+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF
Код товару: 40618
Додати до обраних Обраний товар

irf5305pbf-datasheet.pdf
IRF5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: THT
у наявності: 514 шт
453 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305SPBF
Код товару: 185643
Додати до обраних Обраний товар

irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
IRF5305SPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
29 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+44.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF
Код товару: 50641
Додати до обраних Обраний товар

irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
IRF530NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 10,5
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
104 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 800 шт
800 шт - очікується 14.08.2025
Кількість Ціна
1+17.50 грн
10+15.90 грн
100+14.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS
Код товару: 117672
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF530NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF530NS
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 90 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 920/37
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530S
Код товару: 53545
Додати до обраних Обраний товар

sihf530s.pdf
IRF530S
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
7 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.50 грн
10+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530 IRF530.pdf irf530.pdf HRISD017-4-286.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.71 грн
10+68.00 грн
30+31.33 грн
83+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.05 грн
10+84.74 грн
30+37.60 грн
83+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+89.09 грн
224+54.92 грн
246+50.02 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
186+66.07 грн
214+57.53 грн
500+48.60 грн
1000+39.83 грн
4000+28.92 грн
10000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF Infineon_IRF5305_DataSheet_v01_01_EN-3362784.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.57 грн
10+99.45 грн
25+54.18 грн
100+51.35 грн
500+41.02 грн
1000+36.89 грн
2000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+70.35 грн
500+63.31 грн
1000+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.87 грн
10+70.46 грн
100+61.35 грн
500+49.97 грн
1000+39.33 грн
4000+29.60 грн
10000+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+65.20 грн
217+56.72 грн
500+47.86 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.53 грн
11+69.85 грн
100+60.77 грн
500+49.45 грн
1000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+95.56 грн
135+91.29 грн
250+87.62 грн
500+81.45 грн
1000+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF INFN-S-A0012826566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.66 грн
10+106.46 грн
100+66.28 грн
500+48.87 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF infineon-irf5305-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5305PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRL 87e7a64fe1f2a3bb517856abb2faf3b7.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.94 грн
10+86.82 грн
22+42.73 грн
61+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+67.49 грн
183+67.17 грн
219+56.07 грн
250+49.05 грн
500+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+84.28 грн
10+72.31 грн
25+71.97 грн
100+57.93 грн
250+48.66 грн
500+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf-3363922.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 11626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.68 грн
10+105.61 грн
100+64.29 грн
500+49.90 грн
800+44.01 грн
2400+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.02 грн
500+73.02 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.57 грн
1600+42.99 грн
2400+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.75 грн
1600+46.06 грн
2400+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.20 грн
50+103.88 грн
100+83.02 грн
500+73.02 грн
1000+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+165.10 грн
116+106.25 грн
291+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530A ONSM-S-A0003589931-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.88 грн
11+82.59 грн
100+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: Infineon
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N JSMICRO TIRF530n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF530; IRF530-BE3; IRF530N; SP001570120; IRF530N-ML MOSLEADER TIRF530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.96 грн
10+43.13 грн
46+20.41 грн
127+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e386b1199a
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=100V; Id=17A; Pdmax=70W; Rds=90mOhm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
10+53.75 грн
46+24.49 грн
127+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF Infineon_IRF530N_DataSheet_v01_01_EN-3362954.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.20 грн
10+54.30 грн
100+39.26 грн
500+31.30 грн
1000+28.01 грн
2000+24.57 грн
5000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.28 грн
17+41.49 грн
100+36.46 грн
500+29.77 грн
1000+25.29 грн
2000+22.73 грн
5000+20.84 грн
10000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF INFN-S-A0012827046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.72 грн
16+57.18 грн
100+49.37 грн
500+35.95 грн
1000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+53.20 грн
283+43.47 грн
500+34.12 грн
1000+29.26 грн
2000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+45.77 грн
349+35.23 грн
500+24.52 грн
1000+21.67 грн
4000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+68.84 грн
15+48.47 грн
100+41.32 грн
500+32.63 грн
1000+27.34 грн
2000+24.31 грн
5000+22.02 грн
10000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+30.79 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.37 грн
13+57.00 грн
100+46.58 грн
500+35.25 грн
1000+29.02 грн
2000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF infineon-irf530n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+45.24 грн
318+38.56 грн
500+31.58 грн
1000+27.56 грн
2000+23.64 грн
5000+20.55 грн
10000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NS irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.28 грн
10+62.34 грн
25+55.17 грн
30+32.29 грн
80+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.93 грн
10+77.69 грн
25+66.20 грн
30+38.74 грн
80+36.64 грн
1600+35.68 грн
2400+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.26 грн
500+46.56 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.02 грн
11+80.44 грн
100+57.26 грн
500+46.56 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 12178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.43 грн
10+71.03 грн
100+47.30 грн
500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+36.07 грн
1600+34.96 грн
2400+34.13 грн
4000+29.17 грн
5600+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+47.89 грн
285+43.15 грн
324+37.92 грн
500+32.16 грн
1000+28.46 грн
3200+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+33.83 грн
1600+32.78 грн
2400+32.01 грн
4000+27.36 грн
5600+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]