Результат пошуку "IRF630" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 296
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 665
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 665
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 421
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 929
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 593
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 23
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 552
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 593
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 506
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 166
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 298
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 181
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 160
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF630NPBF Код товару: 15961
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 9,3 A Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 575/35 Монтаж: THT |
у наявності: 242 шт
167 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ 22 шт - РАДІОМАГ-Львів 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Version: ESD |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630 | ST MICROELECTRONICS |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MESH OVERLAY™ II Kind of package: tube Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630 | HARRIS |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 10820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 3278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630 | HARRIS |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630 | HARRIS |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630 | STMicroelectronics |
![]() ![]() |
на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF630 | Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF630A_CP001 | ON Semiconductor | IRF630A_CP001 |
на замовлення 177675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF630A_CP001 | ON Semiconductor | IRF630A_CP001 |
на замовлення 45755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF630N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 49369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 49356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630NS | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630S | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630STRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF630STRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF630A | FSC |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630B | Fairchild |
на замовлення 10005 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRF630B_FP001 | FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630FP |
![]() |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
IRF630M | ST | TO-220 |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630MF | ST | 00+ TO-220 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630MFP | ST | 09+ SON-8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630N IR |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRF630N-R4942 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
IRF630NSTRR | IR |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630ST4 | ST | SMD-220 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IRF630STRR |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
IRF630NPBF Код товару: 15961
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 242 шт
167 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 18.00 грн |
10+ | 15.90 грн |
100+ | 14.10 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 106.66 грн |
10+ | 48.50 грн |
29+ | 32.39 грн |
79+ | 30.66 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 48.60 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.99 грн |
10+ | 60.44 грн |
29+ | 38.86 грн |
79+ | 36.79 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
301+ | 101.68 грн |
500+ | 91.52 грн |
1000+ | 84.40 грн |
10000+ | 72.56 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 44.33 грн |
50+ | 43.40 грн |
100+ | 41.43 грн |
500+ | 37.76 грн |
1000+ | 25.66 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
301+ | 101.68 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.97 грн |
10+ | 53.37 грн |
100+ | 41.43 грн |
500+ | 35.16 грн |
1000+ | 29.66 грн |
2000+ | 28.30 грн |
5000+ | 25.73 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
301+ | 101.68 грн |
500+ | 91.52 грн |
1000+ | 84.40 грн |
10000+ | 72.56 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
296+ | 41.44 грн |
302+ | 40.57 грн |
316+ | 38.72 грн |
500+ | 35.30 грн |
1000+ | 23.99 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.44 грн |
IRF630 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 30.87 грн |
IRF630A_CP001 |
Виробник: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
665+ | 46.04 грн |
1000+ | 42.46 грн |
10000+ | 37.86 грн |
100000+ | 30.58 грн |
IRF630A_CP001 |
Виробник: ON Semiconductor
IRF630A_CP001
IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
665+ | 46.04 грн |
1000+ | 42.46 грн |
10000+ | 37.86 грн |
IRF630N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 32.42 грн |
IRF630N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 18.70 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
421+ | 29.07 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 23.74 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
929+ | 30.39 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 105.64 грн |
11+ | 34.45 грн |
100+ | 28.07 грн |
500+ | 28.00 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
593+ | 51.61 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 32.57 грн |
28+ | 25.87 грн |
100+ | 24.92 грн |
500+ | 23.82 грн |
1000+ | 21.85 грн |
2000+ | 20.47 грн |
5000+ | 20.17 грн |
10000+ | 20.07 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 30.63 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
552+ | 22.16 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
593+ | 51.61 грн |
IRF630NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
506+ | 24.18 грн |
525+ | 23.30 грн |
530+ | 23.09 грн |
1000+ | 22.05 грн |
2000+ | 19.93 грн |
5000+ | 18.85 грн |
10000+ | 18.76 грн |
IRF630NS | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 34.75 грн |
IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 70.26 грн |
9+ | 47.32 грн |
25+ | 41.74 грн |
26+ | 36.39 грн |
IRF630NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.31 грн |
5+ | 58.97 грн |
25+ | 50.09 грн |
26+ | 43.67 грн |
70+ | 41.31 грн |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 63.49 грн |
34+ | 27.59 грн |
93+ | 26.10 грн |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.19 грн |
34+ | 34.38 грн |
93+ | 31.32 грн |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
166+ | 74.01 грн |
173+ | 70.70 грн |
250+ | 67.86 грн |
500+ | 63.08 грн |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 60.95 грн |
16+ | 43.92 грн |
100+ | 43.33 грн |
1000+ | 41.13 грн |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 68.93 грн |
10+ | 42.00 грн |
1000+ | 36.45 грн |
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
298+ | 41.05 грн |
302+ | 40.51 грн |
1000+ | 39.88 грн |
IRF630PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 117.09 грн |
10+ | 41.39 грн |
100+ | 33.66 грн |
500+ | 33.50 грн |
1000+ | 33.13 грн |
25000+ | 32.37 грн |
IRF630S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 27.76 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 66.87 грн |
23+ | 40.40 грн |
63+ | 38.20 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.25 грн |
23+ | 50.35 грн |
63+ | 45.84 грн |
1000+ | 44.24 грн |
5000+ | 44.05 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 82.11 грн |
100+ | 74.82 грн |
500+ | 66.76 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 72.53 грн |
100+ | 67.24 грн |
500+ | 59.95 грн |
1000+ | 52.06 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
181+ | 67.69 грн |
195+ | 62.76 грн |
500+ | 58.03 грн |
1000+ | 52.47 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
160+ | 76.76 грн |
175+ | 69.94 грн |
500+ | 62.42 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 75.71 грн |
10+ | 68.47 грн |
100+ | 57.43 грн |
500+ | 50.71 грн |
1000+ | 46.33 грн |
2000+ | 46.11 грн |
IRF630STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 149.66 грн |
10+ | 105.00 грн |
100+ | 69.42 грн |
500+ | 67.46 грн |
800+ | 49.73 грн |
2400+ | 47.77 грн |
4800+ | 46.11 грн |
IRF630STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.23 грн |
10+ | 109.34 грн |
100+ | 69.42 грн |
800+ | 52.37 грн |
2400+ | 48.82 грн |
4800+ | 46.94 грн |
IRF630A |
![]() |
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630B |
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630B_FP001 |
![]() |
Виробник: FAIRCHILD
f24
f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630M |
Виробник: ST
TO-220
TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630MF |
Виробник: ST
00+ TO-220
00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630MFP |
Виробник: ST
09+ SON-8
09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF630NSTRR |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]