Результат пошуку "IRF630" : 36

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 238 шт
167 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.27 грн
10+57.64 грн
50+50.27 грн
100+48.13 грн
250+45.42 грн
500+43.38 грн
1000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
6+56.23 грн
25+47.74 грн
100+42.99 грн
800+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.15 грн
50+42.93 грн
500+38.04 грн
5000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.56 грн
50+57.84 грн
100+53.08 грн
250+49.88 грн
500+47.55 грн
1000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M ST TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF ST 00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP ST 09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-R4942
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRR IR irf630n.pdf TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630ST4 ST SMD-220
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF630 IR Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+71.06 грн
10+60.49 грн
100+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF630A; 200V; 9A; 72W; 0,4R; N-канальний; Корпус: ТО220; Fairchild (шт)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF630N 9A 200V N-ch TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
17+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 (TO-220, ST) IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

ST Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+40.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6302
Код товару: 31879
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
Код товару: 18853
Додати до обраних Обраний товар

IR IRF630A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 238 шт
167 шт - склад
29 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
3+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.27 грн
10+57.64 грн
50+50.27 грн
100+48.13 грн
250+45.42 грн
500+43.38 грн
1000+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
6+56.23 грн
25+47.74 грн
100+42.99 грн
800+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.15 грн
50+42.93 грн
500+38.04 грн
5000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
50+57.84 грн
100+53.08 грн
250+49.88 грн
500+47.55 грн
1000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Виробник: FAIRCHILD
f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630M
Виробник: ST
TO-220
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MF
Виробник: ST
00+ TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630MFP
Виробник: ST
09+ SON-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N IR
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-R4942
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRR irf630n.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630ST4
Виробник: ST
SMD-220
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF630
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.06 грн
10+60.49 грн
100+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF630A; 200V; 9A; 72W; 0,4R; N-канальний; Корпус: ТО220; Fairchild (шт)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
13+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий IRF630N 9A 200V N-ch TO-220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 (TO-220, ST)
Код товару: 3058
Додати до обраних Обраний товар

IRF630 (TO-220, ST)
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+14.50 грн
100+13.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6302
Код товару: 31879
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A
Код товару: 18853
Додати до обраних Обраний товар

IRF630A.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.