Результат пошуку "IRF630" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 262 шт
171 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.97 грн
10+57.46 грн
29+32.39 грн
79+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.17 грн
10+71.60 грн
29+38.86 грн
79+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+40.37 грн
50+40.10 грн
100+38.51 грн
500+31.14 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.cd00000701.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+101.68 грн
500+91.52 грн
1000+84.40 грн
10000+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMicroelectronics en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.61 грн
10+56.67 грн
100+47.77 грн
500+43.47 грн
1000+39.92 грн
2000+39.77 грн
5000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 HARRIS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+101.68 грн
500+91.52 грн
1000+84.40 грн
10000+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 IRF630 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.60 грн
14+62.73 грн
100+59.34 грн
500+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 JSMicro Semiconductor en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+698.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 FAIRCHILD IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+46.04 грн
1000+42.46 грн
10000+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001 FAIRCHILD IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+46.04 грн
1000+42.46 грн
10000+37.86 грн
100000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.57 грн
10+48.26 грн
25+39.07 грн
40+23.82 грн
108+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.28 грн
10+60.14 грн
25+46.88 грн
40+28.58 грн
108+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+96.33 грн
25+42.41 грн
100+35.77 грн
250+35.47 грн
500+32.00 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.89 грн
50+26.26 грн
100+25.99 грн
500+24.72 грн
1000+21.78 грн
5000+20.76 грн
10000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.89 грн
10+93.96 грн
100+48.25 грн
500+37.18 грн
1000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.26 грн
9+47.32 грн
25+41.74 грн
26+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.31 грн
5+58.97 грн
25+50.09 грн
26+43.86 грн
70+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.80 грн
11+37.10 грн
34+27.59 грн
93+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.36 грн
10+46.23 грн
34+33.11 грн
93+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.01 грн
173+70.70 грн
250+67.86 грн
500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.71 грн
22+27.71 грн
25+25.04 грн
100+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.44 грн
10+72.55 грн
25+45.80 грн
100+45.05 грн
500+44.82 грн
1000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.12 грн
11+79.66 грн
100+52.40 грн
500+46.53 грн
1000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.35 грн
25+34.96 грн
100+33.02 грн
500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+79.66 грн
25+39.92 грн
100+39.09 грн
250+38.94 грн
500+38.48 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.87 грн
23+40.56 грн
63+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.25 грн
23+50.54 грн
63+46.03 грн
1000+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.44 грн
10+90.25 грн
25+67.84 грн
100+66.25 грн
500+56.29 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+66.45 грн
100+65.12 грн
500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.43 грн
50+68.29 грн
100+66.48 грн
500+57.68 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.95 грн
10+105.87 грн
100+72.67 грн
500+60.37 грн
800+49.88 грн
2400+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.99 грн
10+110.21 грн
100+74.03 грн
800+52.37 грн
2400+49.05 грн
4800+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FSC FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 FAIRCHILD IRF630B.pdf f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF
Код товару: 15961
Додати до обраних Обраний товар

description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 262 шт
171 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.97 грн
10+57.46 грн
29+32.39 грн
79+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B98D2037D300D2&compId=irf630.pdf?ci_sign=4795dc225264f73db734b9bd51a3ec27e3d9b7f3
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.17 грн
10+71.60 грн
29+38.86 грн
79+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+40.37 грн
50+40.10 грн
100+38.51 грн
500+31.14 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.cd00000701.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
283+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 283
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.68 грн
500+91.52 грн
1000+84.40 грн
10000+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.61 грн
10+56.67 грн
100+47.77 грн
500+43.47 грн
1000+39.92 грн
2000+39.77 грн
5000+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: HARRIS
IRF630
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
301+101.68 грн
500+91.52 грн
1000+84.40 грн
10000+72.56 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description SGST-S-A0007136914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.60 грн
14+62.73 грн
100+59.34 грн
500+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+698.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+46.04 грн
1000+42.46 грн
10000+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A_CP001
Виробник: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
665+46.04 грн
1000+42.46 грн
10000+37.86 грн
100000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 665
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630N-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.57 грн
10+48.26 грн
25+39.07 грн
40+23.82 грн
108+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.28 грн
10+60.14 грн
25+46.88 грн
40+28.58 грн
108+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.64 грн
10+96.33 грн
25+42.41 грн
100+35.77 грн
250+35.47 грн
500+32.00 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.89 грн
50+26.26 грн
100+25.99 грн
500+24.72 грн
1000+21.78 грн
5000+20.76 грн
10000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.89 грн
10+93.96 грн
100+48.25 грн
500+37.18 грн
1000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
425+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.26 грн
9+47.32 грн
25+41.74 грн
26+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.31 грн
5+58.97 грн
25+50.09 грн
26+43.86 грн
70+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.80 грн
11+37.10 грн
34+27.59 грн
93+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89C232C15A0469&compId=IRF630PBF.pdf?ci_sign=7b6471a9498b060d5a23b49a65dcd21e15034a7f
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.36 грн
10+46.23 грн
34+33.11 грн
93+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+74.01 грн
173+70.70 грн
250+67.86 грн
500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+75.71 грн
22+27.71 грн
25+25.04 грн
100+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.44 грн
10+72.55 грн
25+45.80 грн
100+45.05 грн
500+44.82 грн
1000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description VISH-S-A0013187852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+93.12 грн
11+79.66 грн
100+52.40 грн
500+46.53 грн
1000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.35 грн
25+34.96 грн
100+33.02 грн
500+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.33 грн
10+79.66 грн
25+39.92 грн
100+39.09 грн
250+38.94 грн
500+38.48 грн
1000+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.87 грн
23+40.56 грн
63+38.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.25 грн
23+50.54 грн
63+46.03 грн
1000+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.44 грн
10+90.25 грн
25+67.84 грн
100+66.25 грн
500+56.29 грн
1000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+66.45 грн
100+65.12 грн
500+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+69.43 грн
50+68.29 грн
100+66.48 грн
500+57.68 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.95 грн
10+105.87 грн
100+72.67 грн
500+60.37 грн
800+49.88 грн
2400+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.99 грн
10+110.21 грн
100+74.03 грн
800+52.37 грн
2400+49.05 грн
4800+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630A FAIRS05946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630B_FP001 IRF630B.pdf
Виробник: FAIRCHILD
f24
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630FP en.CD00000701.pdf
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]