Результат пошуку "IRF630" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF630NPBF Код товару: 15961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
  Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 9,3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35 Монтаж: THT |
у наявності: 221 шт
на замовлення: 2 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 75W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MESH OVERLAY™ II |
на замовлення 947 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | ST MICROELECTRONICS |
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 11535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630 | HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630 | HARRIS |
IRF630 |
на замовлення 10770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 6691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Harris Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 22679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 100W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | Siliconix |
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630A_CP001 | FAIRCHILD | IRF630A_CP001 |
на замовлення 45755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630A_CP001 | FAIRCHILD | IRF630A_CP001 |
на замовлення 177675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF630A_CP001 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 223430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630N | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF630N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.5A Power dissipation: 82W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 579 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 82W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 32863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630NS | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 3142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET |
на замовлення 17957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 83 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 74W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 1584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630S | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 36A |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET |
на замовлення 3177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF630STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF630NPBF Код товару: 15961
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 9,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 221 шт
- 167 шт - склад
- 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2 шт
- 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
на замовлення 947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 128.86 грн |
| 10+ | 76.37 грн |
| 25+ | 66.64 грн |
| 50+ | 60.33 грн |
| 100+ | 54.59 грн |
| 250+ | 47.86 грн |
| 500+ | 43.54 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.60 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 92.42 грн |
| 155+ | 91.72 грн |
| 195+ | 72.98 грн |
| 500+ | 57.04 грн |
| 1000+ | 48.14 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 11535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.85 грн |
| 500+ | 106.07 грн |
| 1000+ | 97.82 грн |
| 10000+ | 84.10 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.85 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 92.42 грн |
| 50+ | 91.72 грн |
| 100+ | 72.98 грн |
| 500+ | 57.04 грн |
| 1000+ | 48.14 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: HARRIS
IRF630
IRF630
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 117.85 грн |
| 500+ | 106.07 грн |
| 1000+ | 97.82 грн |
| 10000+ | 84.10 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.83 грн |
| 50+ | 90.87 грн |
| 100+ | 81.73 грн |
| 500+ | 61.68 грн |
| 1000+ | 56.85 грн |
| 2000+ | 52.79 грн |
| 5000+ | 47.61 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 22679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 241+ | 85.09 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 103.64 грн |
| 50+ | 102.73 грн |
| 100+ | 79.32 грн |
| 500+ | 60.67 грн |
| 1000+ | 50.79 грн |
| 2000+ | 44.53 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF630 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 104.10 грн |
| 138+ | 103.19 грн |
| 178+ | 79.68 грн |
| 500+ | 60.94 грн |
| 1000+ | 51.02 грн |
| 2000+ | 44.73 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 33.86 грн |
| IRF630 |
|
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 20.23 грн |
| IRF630A_CP001 |
Виробник: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
IRF630A_CP001
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 665+ | 53.35 грн |
| 1000+ | 49.22 грн |
| 10000+ | 43.88 грн |
| IRF630A_CP001 |
Виробник: FAIRCHILD
IRF630A_CP001
IRF630A_CP001
на замовлення 177675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 665+ | 53.35 грн |
| 1000+ | 49.22 грн |
| 10000+ | 43.88 грн |
| 100000+ | 35.45 грн |
| IRF630A_CP001 |
на замовлення 223430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 478+ | 42.89 грн |
| IRF630N |
|
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 35.56 грн |
| IRF630N-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630N-ML MOSLEADER TIRF630 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 20.51 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 75.17 грн |
| 10+ | 44.79 грн |
| 25+ | 38.89 грн |
| 50+ | 35.40 грн |
| 100+ | 33.40 грн |
| 250+ | 30.91 грн |
| 500+ | 29.33 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 79.68 грн |
| 249+ | 57.08 грн |
| 279+ | 50.85 грн |
| 500+ | 38.35 грн |
| 1000+ | 32.30 грн |
| 2000+ | 27.02 грн |
| 5000+ | 25.56 грн |
| 10000+ | 23.82 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.61 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.55 грн |
| 50+ | 54.04 грн |
| 100+ | 48.67 грн |
| 500+ | 37.45 грн |
| 1000+ | 31.75 грн |
| 2000+ | 26.82 грн |
| 5000+ | 25.43 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 35.51 грн |
| 2000+ | 32.22 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 554+ | 25.61 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 35.51 грн |
| 2000+ | 32.22 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 196+ | 72.55 грн |
| 263+ | 54.04 грн |
| 292+ | 48.67 грн |
| 500+ | 37.45 грн |
| 1000+ | 31.75 грн |
| 2000+ | 26.82 грн |
| 5000+ | 25.43 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 419+ | 33.85 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 32.68 грн |
| 16000+ | 29.86 грн |
| 24000+ | 27.78 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.38 грн |
| 50+ | 33.85 грн |
| 100+ | 33.23 грн |
| 500+ | 31.95 грн |
| IRF630NPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.32 грн |
| 50+ | 56.82 грн |
| 100+ | 50.62 грн |
| 500+ | 38.18 грн |
| 1000+ | 32.16 грн |
| 2000+ | 26.91 грн |
| 5000+ | 25.45 грн |
| 10000+ | 23.72 грн |
| IRF630NS |
|
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.12 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 77.86 грн |
| 8+ | 59.33 грн |
| 10+ | 53.68 грн |
| 25+ | 47.78 грн |
| 50+ | 43.88 грн |
| 100+ | 40.30 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.42 грн |
| 50+ | 77.39 грн |
| 100+ | 69.42 грн |
| 500+ | 52.04 грн |
| 1000+ | 47.82 грн |
| 2000+ | 44.28 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 205.18 грн |
| 10+ | 97.07 грн |
| 100+ | 81.18 грн |
| 500+ | 67.53 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 17957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF630PBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 189.10 грн |
| 10+ | 91.76 грн |
| 100+ | 77.04 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 162.34 грн |
| 10+ | 87.83 грн |
| 100+ | 75.03 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.76 грн |
| 185+ | 77.04 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 88+ | 162.34 грн |
| IRF630PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 97.50 грн |
| 174+ | 81.54 грн |
| 500+ | 70.35 грн |
| IRF630PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF630PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.42 грн |
| 50+ | 77.39 грн |
| 100+ | 69.42 грн |
| 500+ | 52.04 грн |
| IRF630S |
|
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.45 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 70.70 грн |
| 50+ | 47.70 грн |
| 100+ | 45.45 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 40.81 грн |
| 20+ | 38.10 грн |
| 100+ | 37.17 грн |
| 500+ | 34.73 грн |
| 1000+ | 31.53 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 164+ | 86.79 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 176.30 грн |
| 50+ | 83.04 грн |
| 100+ | 74.58 грн |
| 500+ | 56.07 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 373+ | 38.10 грн |
| 382+ | 37.17 грн |
| 500+ | 36.01 грн |
| 1000+ | 34.05 грн |
| IRF630SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 76.83 грн |
| IRF630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 58.59 грн |
| 1600+ | 52.18 грн |
| IRF630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 176.30 грн |
| 10+ | 109.26 грн |
| 100+ | 74.58 грн |
| IRF630STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
MOSFETs N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]