Результат пошуку "IRF740" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF740PBF
Код товару: 162988
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix 91054.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 1018 шт
981 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 154285
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 35 шт
3 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+85.00 грн
10+77.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 Vishay IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 675 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR UMW 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TR International Rectifier 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406-HXY HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR JGSEMI ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR Infineon ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+227.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.80 грн
10+99.20 грн
50+87.30 грн
250+79.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.56 грн
10+123.62 грн
50+104.76 грн
250+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Siliconix tf-irf740alpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.60 грн
50+101.68 грн
100+99.93 грн
500+90.18 грн
1000+83.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors tf-irf740alpbf.pdf MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.21 грн
10+112.15 грн
100+94.47 грн
500+91.42 грн
1000+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740AP Siliconix N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.42 грн
10+104.76 грн
50+77.77 грн
100+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.50 грн
10+130.54 грн
50+93.33 грн
100+84.76 грн
500+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF Vishay 91051.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+286.47 грн
89+139.12 грн
100+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY VISH-S-A0019271728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.53 грн
10+110.25 грн
100+95.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.41 грн
50+119.34 грн
100+107.91 грн
500+82.48 грн
1000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.62 грн
10+107.14 грн
50+76.98 грн
100+68.25 грн
500+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.35 грн
10+133.51 грн
50+92.38 грн
100+81.90 грн
500+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.19 грн
50+129.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.36 грн
10+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.87 грн
10+114.52 грн
100+102.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.35 грн
10+139.67 грн
25+113.49 грн
100+84.92 грн
250+76.98 грн
500+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.22 грн
10+174.06 грн
25+136.18 грн
100+101.90 грн
250+92.38 грн
500+85.71 грн
800+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY VISH-S-A0002290649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.40 грн
11+79.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LC Siliconix 91053.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.20 грн
10+102.38 грн
25+86.50 грн
50+72.22 грн
100+61.11 грн
500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.84 грн
10+127.58 грн
25+103.80 грн
50+86.66 грн
100+73.33 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay 91053.pdf description Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.55 грн
12+60.66 грн
25+60.36 грн
50+57.62 грн
100+52.82 грн
500+50.20 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 91053.pdf description MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.43 грн
10+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay 91053.pdf description Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+56.50 грн
220+56.22 грн
222+55.66 грн
225+53.13 грн
500+48.70 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY VISH-S-A0019267788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.62 грн
10+130.76 грн
100+128.20 грн
500+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Siliconix 91053.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.65 грн
50+100.63 грн
100+99.24 грн
500+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 91053.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.54 грн
10+149.82 грн
100+121.90 грн
500+99.80 грн
1000+98.28 грн
2000+92.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91053.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.30 грн
50+135.33 грн
100+126.14 грн
500+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF; 10A; 400V; 0,55R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY (шт)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.59 грн
10+73.81 грн
40+66.66 грн
50+65.87 грн
100+61.11 грн
150+59.52 грн
200+57.93 грн
250+56.35 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.71 грн
10+91.97 грн
40+80.00 грн
50+79.04 грн
100+73.33 грн
150+71.42 грн
200+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.67 грн
10+115.72 грн
1000+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY VISH-S-A0019268315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.73 грн
10+95.72 грн
100+87.17 грн
500+72.61 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+72.18 грн
11+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay Semiconductors 91054.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.44 грн
10+85.16 грн
1000+70.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.61 грн
50+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.41 грн
12+63.72 грн
1000+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+59.47 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.19 грн
10+69.84 грн
25+66.66 грн
50+63.49 грн
100+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.43 грн
10+87.03 грн
25+80.00 грн
50+76.19 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+103.26 грн
127+97.62 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001305149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.34 грн
10+116.23 грн
25+110.25 грн
50+96.82 грн
100+83.51 грн
500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF
Код товару: 162988
Додати до обраних Обраний товар

91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 1018 шт
981 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
7 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF
Код товару: 154285
Додати до обраних Обраний товар

sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 35 шт
3 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+85.00 грн
10+77.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 675 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TR 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406-HXY
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+227.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.80 грн
10+99.20 грн
50+87.30 грн
250+79.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.56 грн
10+123.62 грн
50+104.76 грн
250+95.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.60 грн
50+101.68 грн
100+99.93 грн
500+90.18 грн
1000+83.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.21 грн
10+112.15 грн
100+94.47 грн
500+91.42 грн
1000+85.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740AP
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.42 грн
10+104.76 грн
50+77.77 грн
100+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.50 грн
10+130.54 грн
50+93.33 грн
100+84.76 грн
500+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+286.47 грн
89+139.12 грн
100+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF VISH-S-A0019271728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+208.53 грн
10+110.25 грн
100+95.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.41 грн
50+119.34 грн
100+107.91 грн
500+82.48 грн
1000+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.62 грн
10+107.14 грн
50+76.98 грн
100+68.25 грн
500+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
10+133.51 грн
50+92.38 грн
100+81.90 грн
500+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.19 грн
50+129.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.36 грн
10+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+241.87 грн
10+114.52 грн
100+102.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.35 грн
10+139.67 грн
25+113.49 грн
100+84.92 грн
250+76.98 грн
500+71.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.22 грн
10+174.06 грн
25+136.18 грн
100+101.90 грн
250+92.38 грн
500+85.71 грн
800+80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740BPBF VISH-S-A0002290649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.40 грн
11+79.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LC 91053.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.20 грн
10+102.38 грн
25+86.50 грн
50+72.22 грн
100+61.11 грн
500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.84 грн
10+127.58 грн
25+103.80 грн
50+86.66 грн
100+73.33 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.55 грн
12+60.66 грн
25+60.36 грн
50+57.62 грн
100+52.82 грн
500+50.20 грн
1000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.43 грн
10+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+56.50 грн
220+56.22 грн
222+55.66 грн
225+53.13 грн
500+48.70 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description VISH-S-A0019267788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.62 грн
10+130.76 грн
100+128.20 грн
500+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.65 грн
50+100.63 грн
100+99.24 грн
500+86.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
10+149.82 грн
100+121.90 грн
500+99.80 грн
1000+98.28 грн
2000+92.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.30 грн
50+135.33 грн
100+126.14 грн
500+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF; 10A; 400V; 0,55R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY (шт)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.59 грн
10+73.81 грн
40+66.66 грн
50+65.87 грн
100+61.11 грн
150+59.52 грн
200+57.93 грн
250+56.35 грн
500+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.71 грн
10+91.97 грн
40+80.00 грн
50+79.04 грн
100+73.33 грн
150+71.42 грн
200+69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+155.67 грн
10+115.72 грн
1000+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF VISH-S-A0019268315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.73 грн
10+95.72 грн
100+87.17 грн
500+72.61 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.18 грн
11+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.44 грн
10+85.16 грн
1000+70.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.61 грн
50+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+69.41 грн
12+63.72 грн
1000+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+59.47 грн
1000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.19 грн
10+69.84 грн
25+66.66 грн
50+63.49 грн
100+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.43 грн
10+87.03 грн
25+80.00 грн
50+76.19 грн
100+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+103.26 грн
127+97.62 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 VISH-S-A0001305149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.34 грн
10+116.23 грн
25+110.25 грн
50+96.82 грн
100+83.51 грн
500+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]