Результат пошуку "IRF740" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF740PBF Код товару: 162988
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 400 В Струм стоку Idd, А: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63 Монтаж: THT |
у наявності: 625 шт
на замовлення: 6 шт
|
|
|||||||||||||||||
|
IRF740PBF Код товару: 24032
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 400 В Струм стоку Idd, А: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом Монтаж: THT |
на замовлення: 6 шт
|
|
||||||||||||||||
|
IRF740SPBF Код товару: 154285
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 400 В Струм стоку Idd, А: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 23 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
IRF740 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXYкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF740 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF740 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXYкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF740-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7401TR | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR JSMICRO TIRF7401 JSMкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7401TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7401TR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF7402TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF7403TR | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR JSMICRO TIRF7403 JSMкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7403TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMWкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7403TR | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR HXY MOSFET TIRF7403 HXYкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7404PBF | International Rectifier/Infineon |
Р-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7404TR | International Rectifier |
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7404TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF7406-HXY | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7406PBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7406TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGSкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7406TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7406TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7406TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7406TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Id = 5.8 А, Ptot, Вт = 2.5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 2000 Одкількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 957 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF740AP | Siliconix |
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 461 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF740APBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF740APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 7652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET |
на замовлення 5864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740APBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740APBF-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF740A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740APBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp |
на замовлення 5159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 4339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF740PBF Код товару: 162988
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 625 шт
- 551 шт - склад
- 52 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 6 шт
- 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| IRF740PBF Код товару: 24032
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Монтаж: THT
на замовлення: 6 шт
- 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 42.00 грн |
| 10+ | 38.60 грн |
| IRF740SPBF Код товару: 154285
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
- 22 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 85.00 грн |
| 10+ | 77.50 грн |
| IRF740 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 29.47 грн |
| IRF740 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 53.00 грн |
| IRF740 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 29.47 грн |
| IRF740-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 26.50 грн |
| IRF7401TR |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR JSMICRO TIRF7401 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR JSMICRO TIRF7401 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.03 грн |
| IRF7401TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.56 грн |
| IRF7401TR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: YFW4406AS; IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TR-JSM; IRF7401TR TIRF7401 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.53 грн |
| IRF7402TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC
MOSFETs MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7403TR |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR JSMICRO TIRF7403 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR JSMICRO TIRF7403 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 7.61 грн |
| IRF7403TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.66 грн |
| IRF7403TR |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR HXY MOSFET TIRF7403 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR HXY MOSFET TIRF7403 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 12.09 грн |
| IRF7404PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
Р-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 20.44 грн |
| 190+ | 17.52 грн |
| IRF7404TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 21.83 грн |
| IRF7404TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7406-HXY |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.85 грн |
| IRF7406PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,8 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 24.99 грн |
| 190+ | 21.41 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 10.66 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.25 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.25 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 8.25 грн |
| IRF7406TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 5.8 А, Ptot, Вт = 2.5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 2000 Од
кількість в упаковці: 4000 шт
P-канальний ПТ, Id = 5.8 А, Ptot, Вт = 2.5, Udss, В = 30, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 2000 Од
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 155.84 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 196.00 грн |
| 10+ | 112.59 грн |
| 50+ | 91.42 грн |
| 100+ | 86.34 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.95 грн |
| 10+ | 172.18 грн |
| 50+ | 133.17 грн |
| 100+ | 113.18 грн |
| 500+ | 92.51 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 202.84 грн |
| 86+ | 165.96 грн |
| 100+ | 156.74 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740AP |
![]() |
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 55.12 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 175.03 грн |
| 10+ | 90.58 грн |
| 50+ | 80.42 грн |
| 100+ | 73.65 грн |
| 250+ | 66.03 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 10 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 74.69 грн |
| 100+ | 64.02 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 252.38 грн |
| 10+ | 158.77 грн |
| 50+ | 122.42 грн |
| 100+ | 103.88 грн |
| 500+ | 84.60 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 207.77 грн |
| 10+ | 121.69 грн |
| 25+ | 120.47 грн |
| 50+ | 115.01 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 232.93 грн |
| 113+ | 125.61 грн |
| 114+ | 124.35 грн |
| 115+ | 118.72 грн |
| 137+ | 92.56 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 127.29 грн |
| 112+ | 126.01 грн |
| 114+ | 124.75 грн |
| 135+ | 101.40 грн |
| 500+ | 82.03 грн |
| 1000+ | 63.77 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 235.28 грн |
| 10+ | 127.57 грн |
| 25+ | 126.29 грн |
| 50+ | 120.56 грн |
| 100+ | 94.10 грн |
| 500+ | 78.92 грн |
| 1000+ | 63.92 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 232.93 грн |
| 10+ | 125.61 грн |
| 25+ | 124.35 грн |
| 50+ | 118.72 грн |
| 100+ | 92.56 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 163.32 грн |
| 98+ | 144.88 грн |
| 107+ | 133.03 грн |
| 250+ | 115.58 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 7652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 68+ | 207.77 грн |
| IRF740APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 84.94 грн |
| IRF740APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 84.94 грн |
| IRF740APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF740A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740APBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF740A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 252.38 грн |
| 10+ | 158.77 грн |
| 50+ | 122.42 грн |
| 100+ | 103.88 грн |
| 500+ | 84.60 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 204.20 грн |
| 5+ | 143.06 грн |
| 10+ | 121.05 грн |
| 25+ | 97.35 грн |
| 50+ | 86.34 грн |
| 100+ | 77.88 грн |
| 250+ | 72.80 грн |
| 1000+ | 68.57 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 5159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 189.32 грн |
| 86+ | 165.04 грн |
| 110+ | 129.08 грн |
| 250+ | 119.50 грн |
| 1000+ | 101.25 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 4339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.34 грн |
| 10+ | 161.51 грн |
| 50+ | 124.59 грн |
| 100+ | 105.77 грн |
| 500+ | 86.21 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 119.22 грн |
| 120+ | 118.03 грн |
| 134+ | 105.82 грн |
| 500+ | 90.84 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 235.20 грн |
| 102+ | 138.84 грн |
| 103+ | 137.46 грн |
| 119+ | 114.62 грн |
| 500+ | 91.64 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 235.20 грн |
| 10+ | 138.84 грн |
| 50+ | 137.46 грн |
| 100+ | 114.62 грн |
| 500+ | 91.64 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 172.81 грн |
| 10+ | 119.48 грн |
| 50+ | 118.30 грн |
| 100+ | 102.27 грн |
| 500+ | 84.29 грн |
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.95 грн |
| 10+ | 172.18 грн |
| 50+ | 133.17 грн |
| 100+ | 113.18 грн |
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 125.40 грн |
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 97.24 грн |
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 125.12 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]






















