Результат пошуку "LND150" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.19 грн
10+42.76 грн
25+36.71 грн
67+36.16 грн
100+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.42 грн
6+53.29 грн
25+44.05 грн
67+43.39 грн
100+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.31 грн
3000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 15081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
25+27.95 грн
100+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+37.78 грн
329+37.20 грн
335+36.61 грн
340+34.74 грн
500+31.64 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 324
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.86 грн
25+31.33 грн
100+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+38.24 грн
325+37.67 грн
358+34.16 грн
500+29.01 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.11 грн
18+40.48 грн
25+39.85 грн
100+37.82 грн
250+34.46 грн
500+32.54 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.63 грн
6000+34.46 грн
9000+34.29 грн
12000+32.90 грн
15000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.06 грн
25+34.45 грн
100+30.31 грн
3000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.12 грн
10+47.01 грн
23+40.32 грн
25+38.83 грн
63+38.04 грн
100+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.35 грн
10+58.58 грн
23+48.39 грн
25+46.60 грн
63+45.65 грн
100+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+52.22 грн
280+43.74 грн
1000+43.26 грн
3000+41.51 грн
5000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.43 грн
25+38.79 грн
100+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
25+34.59 грн
100+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+51.03 грн
241+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.34 грн
25+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.27 грн
25+51.45 грн
100+48.82 грн
250+44.48 грн
500+41.99 грн
1000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+48.78 грн
255+48.02 грн
259+47.25 грн
264+44.83 грн
500+40.83 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.14 грн
4000+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.34 грн
25+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.34 грн
25+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.54 грн
10+47.79 грн
21+45.43 грн
56+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.98 грн
10+57.35 грн
21+54.52 грн
56+51.60 грн
100+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.11 грн
4000+55.83 грн
8000+55.64 грн
16000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.78 грн
25+48.51 грн
100+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+57.07 грн
217+56.53 грн
219+55.99 грн
250+53.47 грн
500+49.02 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.69 грн
25+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.91 грн
25+52.57 грн
100+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.14 грн
25+60.57 грн
100+57.85 грн
250+53.05 грн
500+50.42 грн
1000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 Supertex inc. (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
на замовлення 509 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8 SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8 SUPERTEX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар

LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар

LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар

LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.19 грн
10+42.76 грн
25+36.71 грн
67+36.16 грн
100+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.42 грн
6+53.29 грн
25+44.05 грн
67+43.39 грн
100+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.31 грн
3000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 15081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.28 грн
25+27.95 грн
100+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
324+37.78 грн
329+37.20 грн
335+36.61 грн
340+34.74 грн
500+31.64 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 324
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.86 грн
25+31.33 грн
100+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
320+38.24 грн
325+37.67 грн
358+34.16 грн
500+29.01 грн
1000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.11 грн
18+40.48 грн
25+39.85 грн
100+37.82 грн
250+34.46 грн
500+32.54 грн
1000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.63 грн
6000+34.46 грн
9000+34.29 грн
12000+32.90 грн
15000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.06 грн
25+34.45 грн
100+30.31 грн
3000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.12 грн
10+47.01 грн
23+40.32 грн
25+38.83 грн
63+38.04 грн
100+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.35 грн
10+58.58 грн
23+48.39 грн
25+46.60 грн
63+45.65 грн
100+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+52.22 грн
280+43.74 грн
1000+43.26 грн
3000+41.51 грн
5000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.43 грн
25+38.79 грн
100+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.63 грн
25+34.59 грн
100+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+51.03 грн
241+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.34 грн
25+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.27 грн
25+51.45 грн
100+48.82 грн
250+44.48 грн
500+41.99 грн
1000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+48.78 грн
255+48.02 грн
259+47.25 грн
264+44.83 грн
500+40.83 грн
1000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+52.14 грн
4000+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.34 грн
25+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.34 грн
25+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
25+41.05 грн
100+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.54 грн
10+47.79 грн
21+45.43 грн
56+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.98 грн
10+57.35 грн
21+54.52 грн
56+51.60 грн
100+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.11 грн
4000+55.83 грн
8000+55.64 грн
16000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150_C041114-3445384.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 4402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.78 грн
25+48.51 грн
100+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+57.07 грн
217+56.53 грн
219+55.99 грн
250+53.47 грн
500+49.02 грн
1000+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.69 грн
25+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.91 грн
25+52.57 грн
100+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.14 грн
25+60.57 грн
100+57.85 грн
250+53.05 грн
500+50.42 грн
1000+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
Виробник: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3
Виробник: Supertex inc.
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ!
на замовлення 509 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8
Виробник: SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8
Виробник: SUPERTEX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар

LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар

LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар

LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]