Результат пошуку "N80C3" : > 180
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| EN80C31BH1SF88 | Intel |
 SSOP16 |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| EN80C32-1 | INTEL |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IN80C31BH | INTEI | 02+ PLCC44 |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IN80C31BH-1 | INTEI | 02+ PLCC44 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IN80C321 | INTEI | 02+ PLCC44 |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IN80C321 | INTEL |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IN80C321-1 | INTEI | 02+ PLCC44 |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IN80C321B | AMD | 03+ PLCC-44 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SAB-C501-LN=80C32 | INFINEON | 09+ . |
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SAB-C501-LN=80C32 | SIEMENS | 09+ . |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SAB-C501-LN=80C32 | Siemens | PLCC |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SCN80C31BCGN40 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SPA04N80C3.SPP04N80C3 |
на замовлення 18505 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SPA04N80C3XKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPA7N80C3 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SPD02N80C3 | INFINEON | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD02N80C3 | INFINEON | 07+ SOP-28 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD02N80C3 | INFINEON | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD02N80C3 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPD6N80C3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SPI08N80C3 | INF |
07+; |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPI08N80C3 | Infineon technologies |
|
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPP02N80C3 | INFINEON |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPP02N80C3 | INFINEON |
09+ TSSOP24 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SPP20N80C3 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SPW55N80C3 | Infineon |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SW17N80C3 |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TN80C318H |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TN80C31BH | INTEL | 1997 |
на замовлення 861 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TN80C31BH | INTEL |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| TN80C31BH-1 |
|
на замовлення 1314 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| TN80C31BH1 | INTEL |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| TN80C31BHC06 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TN80C31BHT |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TN80C32 | INTEL | PLCC44 |
на замовлення 244 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TN80C32 | INTEL | 1997 |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TN80C32-1 | INTEL | 0002+ PLCC |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| TN80C321 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| TN80C3224 |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
|
N80C31BH Код товару: 201361 |
Мікросхеми > Мікроконтролери |
товар відсутній
|
|||
|
IN80C31N (КР1830ВЕ31) 06 Код товару: 30553 |
Integral |
Мікросхеми > Мікроконтролери Короткий опис: CMOS SINGLE-CHIP 8-BIT MICROCONTROLLER |
товар відсутній
|
||
|
SPA08N80C3 Код товару: 133842 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
SPA11N80C3 Код товару: 119117 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
|
SPD06N80C3 Код товару: 37323 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
|
SPP02N80C3 Код товару: 47201 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||
 |
SPP17N80C3 Код товару: 34777 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
|
SPW11N80C3 Код товару: 132782 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
SPW17N80C3 Код товару: 38747 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
N80C31BH1 S F88 | Intel |
MCU 8-bit 80C51 CISC ROMLess 5V 44-Pin PLCC |
товар відсутній |
|
| SIPC26N80C3 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||
|
|
SPA02N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
|
|
SPA04N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
|
|
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
|
|
SPA11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
|
|
SPA17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 42W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| SPC58EN80C3RMHBR | STMicroelectronics |
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 292-FBGA Mounting Type: Surface Mount Speed: 200MHz Program Memory Size: 4MB (4M x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Oscillator Type: External, Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 288K x 8 Core Processor: e200z4 Data Converters: A/D 10b SAR, 12/16b Sigma-Delta Core Size: 32-Bit Dual-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V Connectivity: CANbus, Ethernet, FlexRay, I2C, LINbus, SPI, UART/USART Peripherals: DMA, LVD, POR, Temp Sensor, WDT Supplier Device Package: 292-FPBGA (17x17) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |
||
|
|
SPC58EN80C3RMHBR | STMicroelectronics |
32-bit Microcontrollers - MCU FPBGA 17X17X1.8 292 B0.5 P0.8 |
товар відсутній |
|
|
|
SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
|
|
SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V |
товар відсутній |
| SPD02N80C3 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-252/D-PAK
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| IN80C31N (КР1830ВЕ31) 06 Код товару: 30553 |
товар відсутній
| SIPC26N80C3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
| SPA02N80C3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товар відсутній
| SPA04N80C3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
товар відсутній
| SPA11N80C3 | |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SPA11N80C3 | |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| SPA17N80C3 | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SPA17N80C3 | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| SPC58EN80C3RMHBR |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 292-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 288K x 8
Core Processor: e200z4
Data Converters: A/D 10b SAR, 12/16b Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, Ethernet, FlexRay, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 292-FPBGA (17x17)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 292FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 292-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 288K x 8
Core Processor: e200z4
Data Converters: A/D 10b SAR, 12/16b Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, Ethernet, FlexRay, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 292-FPBGA (17x17)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
| SPC58EN80C3RMHBR |
|
Виробник: STMicroelectronics
32-bit Microcontrollers - MCU FPBGA 17X17X1.8 292 B0.5 P0.8
32-bit Microcontrollers - MCU FPBGA 17X17X1.8 292 B0.5 P0.8
товар відсутній
| SPD02N80C3BTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товар відсутній
| SPD02N80C3BTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товар відсутній