Результат пошуку "dfn10" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 10000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
D5V0X1B2LP-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 5.5VWM 14VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V Power Line Protection: No |
на замовлення 242938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DESD3V3E1BL-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 3.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V Power - Peak Pulse: 35W Power Line Protection: No |
на замовлення 476200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DESD3V3E1BL-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 3.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V Power - Peak Pulse: 35W Power Line Protection: No |
на замовлення 479887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DESD3V3S1BL-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 3.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V Power - Peak Pulse: 35W Power Line Protection: No |
на замовлення 5992000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DESD3V3S1BL-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 3.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V Power - Peak Pulse: 35W Power Line Protection: No |
на замовлення 6002184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DESD5V0U1BL-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 5VWM 7.2VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 2.9pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 373913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DESD5V0U1BL-7B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 5VWM 7.2VC DFN1006-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 2.9pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max) Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 1600000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V |
на замовлення 1623617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2400UFB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V |
на замовлення 1389000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2400UFB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V |
на замовлення 1405362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN62D1LFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V |
на замовлення 4356445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN62D1LFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V |
на замовлення 4340000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
на замовлення 930000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
на замовлення 943199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESDSB5V0LB-TP | Micro Commercial Co |
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC 2DFN1006 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max) Supplier Device Package: 2-DFN1006 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V Power - Peak Pulse: 260W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ESDSB5V0LB-TP | Micro Commercial Co |
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC 2DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max) Supplier Device Package: 2-DFN1006 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V Power - Peak Pulse: 260W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 27261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FT200XD-T | FTDI |
Category: USB interfaces - integrated circuits Description: IC: interface; USB-I2C; Full Speed; 3.3÷5VDC; DFN10 Type of integrated circuit: interface Interface: USB - I2C Integrated circuit features: configurable CBUS I/O pins; internal clock oscillator Mounting: SMD Supply voltage: 3.3...5V DC Case: DFN10 Operating temperature: -40...85°C Number of inputs/outputs: 1 USB speed: Full Speed Data transfer rate: 3.4Mbps Current consumption: 8mA |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ISL80111IRAJZ | Intersil | Лінійний регульований СН; Точн., % = 1,6; I = 1 А; Udrop, В = 0,027 @ 1 А; Uвих, В = 0,8...3,3; Uвх, В = 1,0...3,6; Тексп, °C = -40...+85; VFDFN-10 (Exp. Pad) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LS0502SCD33 | Littelfuse | Battery Management Supercap Protection IC for Backup Power Applications |
на замовлення 9998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LS0502SCD33S | Littelfuse | Battery Management Single Cell Supercap Protection IC for Backup Power Applications |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LT3042EDD#PBF | Analog Devices | ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz |
на замовлення 24 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LT3042HDD#PBF | Analog Devices | ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LT3042IDD#PBF | Analog Devices | ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LT3757EDD#PBF | Linear Technology/Analog Devices | ШІМ-регулятор; Fпр. = 100...1000 МГц; Uживл, В = 2,9...40; К-сть вих. = 1; Тексп, °C = -40...+125; WFDFN-10 (Exp. Pad) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LT8618IDDB-3.3#TRMPBF | Analog Devices | Switching Voltage Regulators High Efficiency 60V/100mA Synchronous Bu |
на замовлення 5853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LT8619EDD#PBF | Analog Devices | ІМС DFN-10 Adjustable Switching Voltage Regulator, Vin=3-60V, Iout=1,2A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC4063EDD#PBF | Analog Devices | Battery Management St&alone Lin Li-Ion Chr w/ uP L Drop Lin |
на замовлення 17003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC4316IDD#PBF | Analog Devices | Interface - Specialised Single I2C/SMBus Address Translator |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC4316IDD#TRPBF | Analog Devices | Interface - Specialised Single I2C/SMBus Address Translator |
на замовлення 22861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC4413EDD-1#TRPBF | Analog Devices | Power Management Specialised - PMIC 2x 2.6A, 2.5V to 5.5V Fast Ideal Diodes |
на замовлення 15623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC4419IDD#PBF | Analog Devices | Power Management Specialised - PMIC 18V Dual Input Micropower PowerPath Prioritizer |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC4419IDD#TRPBF | Analog Devices | Power Management Specialised - PMIC 18V Dual Input Micropower PowerPath Prioritizer |
на замовлення 3627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC5582IDD#PBF | Analog Devices | ИМС DFN-10 40 MHz to 10 GHz RMS Power Detector, - 40 +105C |
на замовлення 58 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC5582IDD#PBF | Analog Devices | RF Detector 40MHz to 10GHz RMS Power Detector with 57dB Dynamic Range |
на замовлення 6818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LTC6269IDD-10#PBF | Analog Devices | Operational Amplifiers - Op Amps Dual 4GHz Ultra-Low Bias Current FET Input Op Amp |
на замовлення 3112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MAX13256ATB+T | Maxim/Dallas/AD | Драйвер MOSFET; Uживл, В = 8...36; Io = 850 мА; Конфіг = 2 напівмостових драйвери; Тексп, °С = -40...+150; Rds = 600 мОм; TDFN-10 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCP3427-E/MF | Microchip | 16-бітний АЦП з 2 диференційними входами; Uживл, В = 2,7...5,5; Кіл. перетв, шт = 1; Тексп, °C = -40...+125; Тип інтерф. = I?C; Архітектура = Sigma-Delta; Конфігурація = MUX-PGA-ADC; VFDFN-10 (Exp. Pad) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCP73213-A6SI/MF | Microchip | Контролер заряду Li-іон; Li-полімерної батареї; Uживл, В = 4...16; Тексп, °C = -40...+85; DFN-10 |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCP73213-B6SI/MF | Мікросхема заряду Li-Ion батарей, 2 cell DFN-10 |
на замовлення 85 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MCP73833-FCI/MF | Microchip | Контролер заряду Li-іон, Li-полімерної батареї; Uживл, В = 4,2...6,0; Тексп, °C = -40...+85; Iзар (макс) = 1,1 A; VFDFN-10 (Exp. Pad) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMA7660FCT | Freescale Semiconductor/NXP | Датчик прискорення 3-осьовий; Uживл, В = 2,4...3,6; Діап. приск, g = ±1,5; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. = Цифровий; I?C; Чутл. = 21,33 LSB/g; VFDFN-10 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 946542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBT3904LP-7B | Diodes INC. | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА; Тексп, °С = -55...+150; DFN1006-3 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBT3904LP-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MMBT3904LP-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4949379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MTD6505T-E/NA | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Motor and PWM drivers Description: IC: driver; 3-phase motor controller; PWM; DFN10; 1A; -0.7÷7V; Ch: 3 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller Interface: PWM Mounting: SMD Number of channels: 3 Case: DFN10 Operating temperature: -40...150°C Output current: 1A Application: fans; motors Kind of output: half bridge driver x3 Operating voltage: 2.7...5.5V DC Output voltage: -0.7...7V Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; overheating OTP |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MTD6505T-E/NA | 3х фазний перетворювач для двигунів вентиляторів (2.0-5.5В) UDFN-10 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NCP1835BMNR2G | Rochester Electronics | Контролер живлення заряду Li-іон батареї; Uживл, В = 2,8...6,5; Тексп, °C = -20...+70; DFN-10 |
на замовлення 192 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NCV51200MNTXG | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 3A DDR / VTT TERMINA |
на замовлення 123819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NX7002BKMYL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NX7002BKMYL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 40698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD12VL1BSLAZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 12VWM 19VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 125°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 7.7pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.3A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max) Supplier Device Package: DFN1006-2 Unidirectional Channels: 1 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD12VV1BL,315 | NXP/Nexperia/We-En | Сапресор smd; W, Вт = 290; Uроб, В = 12; Iпульс, А = 7,8; Uпр, В = 14,6; Uфікс., В = 38; Поляр. = двонапрямлена; Тексп, °C = -55...+150; DFN1006-2 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD18VF1BLYL | Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Applications: RF Antenna Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max) Supplier Device Package: DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 19V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 110814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD18VF1BLYL | Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Applications: RF Antenna Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max) Supplier Device Package: DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 19V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD24VS1UL,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 24VWM 70VC DFN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA) Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max) Supplier Device Package: DFN1006-2 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 26.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70V Power - Peak Pulse: 150W Power Line Protection: No Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD3V3L1BSLZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) Applications: Telecom Capacitance @ Frequency: 15.5pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 50093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PESD3V3L1BSLZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA) Applications: Telecom Capacitance @ Frequency: 15.5pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max) Supplier Device Package: DFN1006-2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
D5V0X1B2LP-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 5.5VWM 14VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 5.5VWM 14VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power Line Protection: No
на замовлення 242938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.8 грн |
16+ | 17.39 грн |
100+ | 8.78 грн |
500+ | 7.3 грн |
1000+ | 5.68 грн |
2000+ | 5.09 грн |
5000+ | 4.89 грн |
DESD3V3E1BL-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
на замовлення 476200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.77 грн |
30000+ | 1.68 грн |
50000+ | 1.51 грн |
100000+ | 1.25 грн |
250000+ | 1.23 грн |
DESD3V3E1BL-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 13pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
на замовлення 479887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 13.62 грн |
31+ | 9.04 грн |
100+ | 4.42 грн |
500+ | 3.46 грн |
1000+ | 2.4 грн |
2000+ | 2.08 грн |
5000+ | 1.9 грн |
DESD3V3S1BL-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
на замовлення 5992000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.66 грн |
30000+ | 2.52 грн |
50000+ | 2.26 грн |
100000+ | 1.88 грн |
250000+ | 1.84 грн |
DESD3V3S1BL-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 7VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7V
Power - Peak Pulse: 35W
Power Line Protection: No
на замовлення 6002184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.79 грн |
21+ | 13.6 грн |
100+ | 6.64 грн |
500+ | 5.19 грн |
1000+ | 3.61 грн |
2000+ | 3.13 грн |
5000+ | 2.85 грн |
DESD5V0U1BL-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 5VWM 7.2VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 2.9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 5VWM 7.2VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 2.9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 373913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 16.48 грн |
25+ | 11.18 грн |
100+ | 5.45 грн |
500+ | 4.27 грн |
1000+ | 2.97 грн |
2000+ | 2.57 грн |
5000+ | 2.35 грн |
DESD5V0U1BL-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 5VWM 7.2VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 2.9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 5VWM 7.2VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 2.9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.19 грн |
30000+ | 2.07 грн |
50000+ | 1.86 грн |
100000+ | 1.55 грн |
250000+ | 1.51 грн |
DMN2300UFB4-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 1600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.3 грн |
DMN2300UFB4-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64.3 pF @ 25 V
на замовлення 1623617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 20.07 грн |
21+ | 13.67 грн |
100+ | 6.87 грн |
500+ | 5.26 грн |
1000+ | 3.9 грн |
2000+ | 3.28 грн |
5000+ | 3.09 грн |
DMN2400UFB-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
на замовлення 1389000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.19 грн |
6000+ | 3.75 грн |
9000+ | 3.11 грн |
30000+ | 2.86 грн |
75000+ | 2.57 грн |
150000+ | 2.23 грн |
DMN2400UFB-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
на замовлення 1405362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.22 грн |
19+ | 14.98 грн |
100+ | 7.56 грн |
500+ | 5.79 грн |
1000+ | 4.3 грн |
DMN62D1LFB-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 4356445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.52 грн |
16+ | 18.08 грн |
100+ | 9.15 грн |
500+ | 7.01 грн |
1000+ | 5.2 грн |
2000+ | 4.37 грн |
5000+ | 4.11 грн |
DMN62D1LFB-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 25 V
на замовлення 4340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4 грн |
30000+ | 3.78 грн |
50000+ | 3.13 грн |
DMN65D8LFB-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.68 грн |
DMN65D8LFB-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
на замовлення 943199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 15.77 грн |
28+ | 10.21 грн |
100+ | 4.99 грн |
500+ | 3.9 грн |
1000+ | 2.71 грн |
2000+ | 2.35 грн |
5000+ | 2.14 грн |
ESDSB5V0LB-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC 2DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 2-DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 260W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC 2DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 2-DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 260W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.95 грн |
ESDSB5V0LB-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC 2DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 2-DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 260W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC 2DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: 2-DFN1006
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 260W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.33 грн |
29+ | 9.59 грн |
100+ | 5.17 грн |
500+ | 3.81 грн |
1000+ | 2.65 грн |
2000+ | 2.19 грн |
5000+ | 2.04 грн |
FT200XD-T |
Виробник: FTDI
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; USB-I2C; Full Speed; 3.3÷5VDC; DFN10
Type of integrated circuit: interface
Interface: USB - I2C
Integrated circuit features: configurable CBUS I/O pins; internal clock oscillator
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3...5V DC
Case: DFN10
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 1
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 3.4Mbps
Current consumption: 8mA
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; USB-I2C; Full Speed; 3.3÷5VDC; DFN10
Type of integrated circuit: interface
Interface: USB - I2C
Integrated circuit features: configurable CBUS I/O pins; internal clock oscillator
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3...5V DC
Case: DFN10
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs/outputs: 1
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 3.4Mbps
Current consumption: 8mA
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 157.58 грн |
25+ | 142.18 грн |
100+ | 138.04 грн |
250+ | 124.92 грн |
ISL80111IRAJZ |
Виробник: Intersil
Лінійний регульований СН; Точн., % = 1,6; I = 1 А; Udrop, В = 0,027 @ 1 А; Uвих, В = 0,8...3,3; Uвх, В = 1,0...3,6; Тексп, °C = -40...+85; VFDFN-10 (Exp. Pad)
Лінійний регульований СН; Точн., % = 1,6; I = 1 А; Udrop, В = 0,027 @ 1 А; Uвих, В = 0,8...3,3; Uвх, В = 1,0...3,6; Тексп, °C = -40...+85; VFDFN-10 (Exp. Pad)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 197.61 грн |
10+ | 167.97 грн |
100+ | 148.2 грн |
LS0502SCD33 |
Виробник: Littelfuse
Battery Management Supercap Protection IC for Backup Power Applications
Battery Management Supercap Protection IC for Backup Power Applications
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.8 грн |
10+ | 187.44 грн |
25+ | 154.38 грн |
100+ | 127.22 грн |
250+ | 113.96 грн |
500+ | 112.64 грн |
LS0502SCD33S |
Виробник: Littelfuse
Battery Management Single Cell Supercap Protection IC for Backup Power Applications
Battery Management Single Cell Supercap Protection IC for Backup Power Applications
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.06 грн |
10+ | 151.63 грн |
100+ | 99.39 грн |
250+ | 86.8 грн |
500+ | 84.15 грн |
1000+ | 66.92 грн |
2500+ | 64.73 грн |
LT3042EDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz
ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz
на замовлення 24 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 387.1 грн |
10+ | 336.34 грн |
LT3042HDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz
ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 718.9 грн |
10+ | 616.2 грн |
LT3042IDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz
ИМС DFN-10 Линейный регулятор с перестраиваемым выходом, Iout=200 mA; Ultralow RMS Noise: 0,8 mkVRMS (10Hz to 100kHz) 2nV/ Hz-2 at 10kHz
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 497.7 грн |
10+ | 421.07 грн |
LT3757EDD#PBF |
Виробник: Linear Technology/Analog Devices
ШІМ-регулятор; Fпр. = 100...1000 МГц; Uживл, В = 2,9...40; К-сть вих. = 1; Тексп, °C = -40...+125; WFDFN-10 (Exp. Pad)
ШІМ-регулятор; Fпр. = 100...1000 МГц; Uживл, В = 2,9...40; К-сть вих. = 1; Тексп, °C = -40...+125; WFDFN-10 (Exp. Pad)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 419.92 грн |
10+ | 356.93 грн |
100+ | 314.93 грн |
LT8618IDDB-3.3#TRMPBF |
Виробник: Analog Devices
Switching Voltage Regulators High Efficiency 60V/100mA Synchronous Bu
Switching Voltage Regulators High Efficiency 60V/100mA Synchronous Bu
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 412.01 грн |
10+ | 344.41 грн |
100+ | 259.73 грн |
250+ | 246.48 грн |
500+ | 219.31 грн |
1000+ | 186.85 грн |
2500+ | 177.57 грн |
LT8619EDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
ІМС DFN-10 Adjustable Switching Voltage Regulator, Vin=3-60V, Iout=1,2A
ІМС DFN-10 Adjustable Switching Voltage Regulator, Vin=3-60V, Iout=1,2A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 746.55 грн |
10+ | 667.55 грн |
LTC4063EDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
Battery Management St&alone Lin Li-Ion Chr w/ uP L Drop Lin
Battery Management St&alone Lin Li-Ion Chr w/ uP L Drop Lin
на замовлення 17003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 491.63 грн |
10+ | 438.13 грн |
25+ | 363.76 грн |
100+ | 288.22 грн |
242+ | 278.95 грн |
484+ | 262.38 грн |
1089+ | 239.19 грн |
LTC4316IDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
Interface - Specialised Single I2C/SMBus Address Translator
Interface - Specialised Single I2C/SMBus Address Translator
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 390.37 грн |
10+ | 326.88 грн |
100+ | 246.48 грн |
242+ | 233.23 грн |
484+ | 176.91 грн |
1089+ | 167.63 грн |
2541+ | 166.97 грн |
LTC4316IDD#TRPBF |
Виробник: Analog Devices
Interface - Specialised Single I2C/SMBus Address Translator
Interface - Specialised Single I2C/SMBus Address Translator
на замовлення 22861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 390.37 грн |
10+ | 326.88 грн |
100+ | 246.48 грн |
250+ | 233.89 грн |
500+ | 210.04 грн |
1000+ | 177.57 грн |
2500+ | 164.98 грн |
LTC4413EDD-1#TRPBF |
Виробник: Analog Devices
Power Management Specialised - PMIC 2x 2.6A, 2.5V to 5.5V Fast Ideal Diodes
Power Management Specialised - PMIC 2x 2.6A, 2.5V to 5.5V Fast Ideal Diodes
на замовлення 15623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 453.76 грн |
10+ | 403.84 грн |
25+ | 330.63 грн |
100+ | 288.22 грн |
250+ | 274.31 грн |
500+ | 230.58 грн |
1000+ | 216 грн |
LTC4419IDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
Power Management Specialised - PMIC 18V Dual Input Micropower PowerPath Prioritizer
Power Management Specialised - PMIC 18V Dual Input Micropower PowerPath Prioritizer
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 620.73 грн |
10+ | 557.76 грн |
25+ | 474.41 грн |
100+ | 419.41 грн |
242+ | 400.86 грн |
484+ | 339.24 грн |
1089+ | 317.38 грн |
LTC4419IDD#TRPBF |
Виробник: Analog Devices
Power Management Specialised - PMIC 18V Dual Input Micropower PowerPath Prioritizer
Power Management Specialised - PMIC 18V Dual Input Micropower PowerPath Prioritizer
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 654.74 грн |
10+ | 582.91 грн |
25+ | 483.02 грн |
100+ | 418.75 грн |
250+ | 400.86 грн |
500+ | 365.08 грн |
1000+ | 318.7 грн |
LTC5582IDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
ИМС DFN-10 40 MHz to 10 GHz RMS Power Detector, - 40 +105C
ИМС DFN-10 40 MHz to 10 GHz RMS Power Detector, - 40 +105C
на замовлення 58 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1083.88 грн |
10+ | 914.03 грн |
LTC5582IDD#PBF |
Виробник: Analog Devices
RF Detector 40MHz to 10GHz RMS Power Detector with 57dB Dynamic Range
RF Detector 40MHz to 10GHz RMS Power Detector with 57dB Dynamic Range
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1172.66 грн |
10+ | 1062.18 грн |
25+ | 884.55 грн |
100+ | 699.69 грн |
242+ | 668.54 грн |
484+ | 638.07 грн |
1089+ | 636.08 грн |
LTC6269IDD-10#PBF |
Виробник: Analog Devices
Operational Amplifiers - Op Amps Dual 4GHz Ultra-Low Bias Current FET Input Op Amp
Operational Amplifiers - Op Amps Dual 4GHz Ultra-Low Bias Current FET Input Op Amp
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1022.69 грн |
10+ | 926.55 грн |
25+ | 771.91 грн |
100+ | 622.83 грн |
242+ | 572.47 грн |
484+ | 537.35 грн |
MAX13256ATB+T |
Виробник: Maxim/Dallas/AD
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 8...36; Io = 850 мА; Конфіг = 2 напівмостових драйвери; Тексп, °С = -40...+150; Rds = 600 мОм; TDFN-10
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 8...36; Io = 850 мА; Конфіг = 2 напівмостових драйвери; Тексп, °С = -40...+150; Rds = 600 мОм; TDFN-10
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 677.38 грн |
10+ | 632.22 грн |
100+ | 587.07 грн |
MCP3427-E/MF |
Виробник: Microchip
16-бітний АЦП з 2 диференційними входами; Uживл, В = 2,7...5,5; Кіл. перетв, шт = 1; Тексп, °C = -40...+125; Тип інтерф. = I?C; Архітектура = Sigma-Delta; Конфігурація = MUX-PGA-ADC; VFDFN-10 (Exp. Pad)
16-бітний АЦП з 2 диференційними входами; Uживл, В = 2,7...5,5; Кіл. перетв, шт = 1; Тексп, °C = -40...+125; Тип інтерф. = I?C; Архітектура = Sigma-Delta; Конфігурація = MUX-PGA-ADC; VFDFN-10 (Exp. Pad)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 251.96 грн |
100+ | 233.95 грн |
MCP73213-A6SI/MF |
Виробник: Microchip
Контролер заряду Li-іон; Li-полімерної батареї; Uживл, В = 4...16; Тексп, °C = -40...+85; DFN-10
Контролер заряду Li-іон; Li-полімерної батареї; Uживл, В = 4...16; Тексп, °C = -40...+85; DFN-10
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 91.74 грн |
10+ | 85.63 грн |
100+ | 79.51 грн |
MCP73213-B6SI/MF |
Мікросхема заряду Li-Ion батарей, 2 cell DFN-10
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 86.9 грн |
MCP73833-FCI/MF |
Виробник: Microchip
Контролер заряду Li-іон, Li-полімерної батареї; Uживл, В = 4,2...6,0; Тексп, °C = -40...+85; Iзар (макс) = 1,1 A; VFDFN-10 (Exp. Pad)
Контролер заряду Li-іон, Li-полімерної батареї; Uживл, В = 4,2...6,0; Тексп, °C = -40...+85; Iзар (макс) = 1,1 A; VFDFN-10 (Exp. Pad)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
MMA7660FCT |
Виробник: Freescale Semiconductor/NXP
Датчик прискорення 3-осьовий; Uживл, В = 2,4...3,6; Діап. приск, g = ±1,5; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. = Цифровий; I?C; Чутл. = 21,33 LSB/g; VFDFN-10
Датчик прискорення 3-осьовий; Uживл, В = 2,4...3,6; Діап. приск, g = ±1,5; Тексп, °С = -40...+85; Тип вих. = Цифровий; I?C; Чутл. = 21,33 LSB/g; VFDFN-10
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 119.18 грн |
MMBT2222ALP4-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 946542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.05 грн |
29+ | 9.8 грн |
100+ | 4.78 грн |
500+ | 3.75 грн |
1000+ | 2.6 грн |
2000+ | 2.26 грн |
5000+ | 2.06 грн |
MMBT2222ALP4-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 940000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.68 грн |
MMBT3904LP-7B |
Виробник: Diodes INC.
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА; Тексп, °С = -55...+150; DFN1006-3
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 40; Ic = 200 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 100 @ 10 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мA, 50 мА; Тексп, °С = -55...+150; DFN1006-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 17.58 грн |
MMBT3904LP-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4940000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.76 грн |
30000+ | 5.47 грн |
50000+ | 5.14 грн |
100000+ | 4.78 грн |
MMBT3904LP-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4949379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.09 грн |
15+ | 18.5 грн |
100+ | 11.11 грн |
500+ | 9.65 грн |
1000+ | 6.56 грн |
2000+ | 6.04 грн |
5000+ | 5.69 грн |
MTD6505T-E/NA |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; 3-phase motor controller; PWM; DFN10; 1A; -0.7÷7V; Ch: 3
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller
Interface: PWM
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Case: DFN10
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 1A
Application: fans; motors
Kind of output: half bridge driver x3
Operating voltage: 2.7...5.5V DC
Output voltage: -0.7...7V
Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; overheating OTP
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; 3-phase motor controller; PWM; DFN10; 1A; -0.7÷7V; Ch: 3
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller
Interface: PWM
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Case: DFN10
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 1A
Application: fans; motors
Kind of output: half bridge driver x3
Operating voltage: 2.7...5.5V DC
Output voltage: -0.7...7V
Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; overheating OTP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 68.38 грн |
MTD6505T-E/NA |
3х фазний перетворювач для двигунів вентиляторів (2.0-5.5В) UDFN-10
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 260.7 грн |
NCP1835BMNR2G |
Виробник: Rochester Electronics
Контролер живлення заряду Li-іон батареї; Uживл, В = 2,8...6,5; Тексп, °C = -20...+70; DFN-10
Контролер живлення заряду Li-іон батареї; Uживл, В = 2,8...6,5; Тексп, °C = -20...+70; DFN-10
на замовлення 192 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.58 грн |
11+ | 60.28 грн |
100+ | 55.97 грн |
NCV51200MNTXG |
Виробник: onsemi
Power Management Specialised - PMIC 3A DDR / VTT TERMINA
Power Management Specialised - PMIC 3A DDR / VTT TERMINA
на замовлення 123819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.76 грн |
10+ | 70.79 грн |
100+ | 45.32 грн |
500+ | 43.4 грн |
1000+ | 33.79 грн |
3000+ | 31.47 грн |
6000+ | 31.01 грн |
NX7002BKMYL |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.22 грн |
30000+ | 2.1 грн |
NX7002BKMYL |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 40698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 17.2 грн |
25+ | 11.39 грн |
100+ | 5.54 грн |
500+ | 4.34 грн |
1000+ | 3.01 грн |
2000+ | 2.61 грн |
5000+ | 2.38 грн |
PESD12VL1BSLAZ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 12VWM 19VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 7.7pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 12VWM 19VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 7.7pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 13.62 грн |
31+ | 9.04 грн |
100+ | 4.88 грн |
500+ | 3.6 грн |
1000+ | 2.5 грн |
2000+ | 2.07 грн |
5000+ | 1.93 грн |
PESD12VV1BL,315 |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Сапресор smd; W, Вт = 290; Uроб, В = 12; Iпульс, А = 7,8; Uпр, В = 14,6; Uфікс., В = 38; Поляр. = двонапрямлена; Тексп, °C = -55...+150; DFN1006-2
Сапресор smd; W, Вт = 290; Uроб, В = 12; Iпульс, А = 7,8; Uпр, В = 14,6; Uфікс., В = 38; Поляр. = двонапрямлена; Тексп, °C = -55...+150; DFN1006-2
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 41.61 грн |
100+ | 19.77 грн |
PESD18VF1BLYL |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 110814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.52 грн |
16+ | 18.08 грн |
100+ | 9.12 грн |
500+ | 6.99 грн |
1000+ | 5.18 грн |
2000+ | 4.36 грн |
5000+ | 4.1 грн |
PESD18VF1BLYL |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.99 грн |
30000+ | 3.77 грн |
50000+ | 3.12 грн |
PESD24VS1UL,315 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 24VWM 70VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TVS DIODE 24VWM 70VC DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Frequency: 23pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70V
Power - Peak Pulse: 150W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 15.77 грн |
27+ | 10.35 грн |
100+ | 5.05 грн |
500+ | 3.96 грн |
1000+ | 2.75 грн |
2000+ | 2.38 грн |
5000+ | 2.17 грн |
PESD3V3L1BSLZ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 15.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 15.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 50093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 6.45 грн |
69+ | 4 грн |
128+ | 2.17 грн |
500+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.11 грн |
2000+ | 0.92 грн |
5000+ | 0.85 грн |
PESD3V3L1BSLZ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 15.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11.3VC 2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: Telecom
Capacitance @ Frequency: 15.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.3V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 0.82 грн |
30000+ | 0.73 грн |
50000+ | 0.63 грн |