Результат пошуку "fgh4" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 122
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 270
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 37
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 180
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 71
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 35
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH40N60SFD Код товару: 201597 |
China |
 Транзистори > IGBTКорпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
у наявності: 8 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Код товару: 79400 |
FAIR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
у наявності: 9 шт
очікується:
300 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD Код товару: 63296 |
FAIR/ON |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 349 W td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92 |
у наявності: 68 шт
|
|
||||||||||||||||
| FGH40N60SFD | Fairchaild | IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V 40A Field Stop |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD | onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT |
на замовлення 11367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD-F085 | onsemi |
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD-F085 | onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2 |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V 40A Field Stop |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGH40N65UFDTU | ON-Semicoductor |
IGBT 650V 80A 290W FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | onsemi / Fairchild |
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | onsemi / Fairchild |
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SQDNL4 | onsemi |
Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 221 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SQDNL4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SQDNL4 | onsemi |
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS |
на замовлення 450 шт: термін постачання 196-205 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T65SHD-F155 | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 72.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGH40T65SHD-F155 | onsemi / Fairchild |
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FGH40T65SHDF-F155 | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 101 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 68 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T65SHDF-F155 | onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGH40T65SPD-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 267W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FGH40T65SQD-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FGH40T65SQD-F155 | onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W |
на замовлення 3427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T65SQD-F155 | onsemi |
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH40T70SHD-F155 | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH4L40T120LQD | onsemi |
IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode. |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH4L40T120LQD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH4L40T120LQD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH4L40T120LQD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH4L40T120LQD | onsemi |
Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 227 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGH4L50T65MQDC50 | onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 246 W |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Код товару: 79400 |
|
у наявності: 9 шт
очікується:
300 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 165 грн |
| 10+ | 152 грн |
| 100+ | 139 грн |
| FGH40N60SMD Код товару: 63296 |
|
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 68 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 205 грн |
| 10+ | 186 грн |
| FGH40N60SFD |
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 326.81 грн |
| 10+ | 273.13 грн |
| 100+ | 245.81 грн |
| FGH40N60SFDTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 415.42 грн |
| 10+ | 408.67 грн |
| 25+ | 282.18 грн |
| 100+ | 241.37 грн |
| 450+ | 214.63 грн |
| FGH40N60SFTU |
|
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 122+ | 176.04 грн |
| FGH40N60SFTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 167.31 грн |
| 10+ | 157.19 грн |
| 25+ | 143.76 грн |
| 100+ | 122.99 грн |
| 250+ | 109.46 грн |
| 450+ | 101.56 грн |
| 900+ | 101.29 грн |
| 2700+ | 101 грн |
| FGH40N60SFTU |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 310.57 грн |
| FGH40N60SMD |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 383.65 грн |
| 3+ | 315.2 грн |
| 4+ | 273.42 грн |
| 9+ | 258.75 грн |
| FGH40N60SMD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 393.91 грн |
| 10+ | 184.72 грн |
| 100+ | 179.19 грн |
| 500+ | 159.06 грн |
| 1000+ | 144.12 грн |
| FGH40N60SMD |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 11367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 360.41 грн |
| 25+ | 281.62 грн |
| 100+ | 210.4 грн |
| 450+ | 186.48 грн |
| 900+ | 161.85 грн |
| FGH40N60SMD-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 270+ | 290.91 грн |
| FGH40N60SMD-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.35 грн |
| 30+ | 344.84 грн |
| 120+ | 308.54 грн |
| FGH40N60SMD-F085 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 481.91 грн |
| 10+ | 437.8 грн |
| 25+ | 325.11 грн |
| 100+ | 294.85 грн |
| 250+ | 285.7 грн |
| 450+ | 260.37 грн |
| 900+ | 223.07 грн |
| FGH40N60SMD-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FGH40N60SMD-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 495.25 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 341.81 грн |
| 3+ | 285.14 грн |
| 4+ | 219.17 грн |
| 11+ | 206.71 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 331.13 грн |
| 30+ | 252.69 грн |
| 120+ | 216.61 грн |
| 510+ | 180.69 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 329.78 грн |
| 45+ | 271.85 грн |
| 100+ | 237.39 грн |
| 450+ | 205.26 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 356.3 грн |
| 25+ | 278.38 грн |
| 100+ | 207.59 грн |
| 450+ | 183.66 грн |
| 900+ | 163.96 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.39 грн |
| 25+ | 252.57 грн |
| 100+ | 220.56 грн |
| 450+ | 190.7 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 390.75 грн |
| 10+ | 277.87 грн |
| 100+ | 210.77 грн |
| FGH40N60UFDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.48 грн |
| FGH40N65UFDTU |
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 461.94 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 708.88 грн |
| 2+ | 453.74 грн |
| 6+ | 428.81 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 850.66 грн |
| 2+ | 565.43 грн |
| 6+ | 514.58 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 673.2 грн |
| 10+ | 568.9 грн |
| 25+ | 448.96 грн |
| 100+ | 412.37 грн |
| 250+ | 387.74 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 636.27 грн |
| 22+ | 561.86 грн |
| 26+ | 486.46 грн |
| 100+ | 438.57 грн |
| 250+ | 336.76 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 626.48 грн |
| 30+ | 481.81 грн |
| 120+ | 431.09 грн |
| 510+ | 356.96 грн |
| 1020+ | 321.27 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 591.15 грн |
| 10+ | 522.02 грн |
| 25+ | 451.96 грн |
| 100+ | 407.47 грн |
| 250+ | 312.88 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 352.2 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 469.98 грн |
| FGH40T120SMD |
|
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 469.98 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1207 грн |
| 2+ | 778.46 грн |
| 3+ | 777.73 грн |
| 4+ | 735.95 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 626.48 грн |
| 30+ | 481.86 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 398.77 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 352.2 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 674.02 грн |
| 25+ | 530.87 грн |
| 50+ | 453.18 грн |
| 250+ | 413.07 грн |
| 450+ | 363.81 грн |
| 900+ | 343.4 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 562.05 грн |
| 5+ | 488.64 грн |
| 10+ | 415.23 грн |
| 50+ | 358.44 грн |
| 100+ | 305.84 грн |
| 250+ | 280.8 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 429.21 грн |
| FGH40T120SQDNL4 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 442.26 грн |
| 30+ | 339.85 грн |
| 120+ | 314.92 грн |
| FGH40T120SQDNL4 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 717.57 грн |
| 5+ | 617.31 грн |
| 10+ | 517.06 грн |
| 50+ | 461.07 грн |
| 100+ | 407.33 грн |
| 250+ | 359.29 грн |
| FGH40T120SQDNL4 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 475.35 грн |
| 25+ | 374.68 грн |
| 100+ | 313.85 грн |
| FGH40T65SHD-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 267.95 грн |
| 10+ | 216.39 грн |
| 450+ | 155.63 грн |
| 1350+ | 125.05 грн |
| 2250+ | 117.75 грн |
| FGH40T65SHD-F155 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.16 грн |
| 10+ | 238.73 грн |
| 25+ | 206.89 грн |
| 250+ | 205.48 грн |
| 450+ | 148.48 грн |
| 900+ | 119.63 грн |
| FGH40T65SHDF-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.66 грн |
| 30+ | 202.56 грн |
| 120+ | 173.61 грн |
| FGH40T65SHDF-F155 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.7 грн |
| 10+ | 252.49 грн |
| 25+ | 193.52 грн |
| 100+ | 165.37 грн |
| 250+ | 130.89 грн |
| 450+ | 121.74 грн |
| 900+ | 118.92 грн |
| FGH40T65SPD-F085 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 80 A, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FGH40T65SPD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| FGH40T65SQD-F155 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 180.77 грн |
| FGH40T65SQD-F155 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 283.17 грн |
| 30+ | 216.02 грн |
| 120+ | 185.16 грн |
| 510+ | 154.46 грн |
| 1020+ | 132.25 грн |
| 2010+ | 124.53 грн |
| FGH40T65SQD-F155 |
|
Виробник: onsemi
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.58 грн |
| 10+ | 274.34 грн |
| 25+ | 206.89 грн |
| 100+ | 177.33 грн |
| 250+ | 172.41 грн |
| 450+ | 156.92 грн |
| 900+ | 127.37 грн |
| FGH40T70SHD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 160.5 грн |
| FGH40T70SHD-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 172.85 грн |
| FGH4L40T120LQD |
|
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 586.18 грн |
| 10+ | 503.35 грн |
| 25+ | 417.29 грн |
| 100+ | 402.51 грн |
| 250+ | 397.59 грн |
| 450+ | 350.44 грн |
| 900+ | 294.85 грн |
| FGH4L40T120LQD |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 331.88 грн |
| FGH4L40T120LQD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 619.68 грн |
| 5+ | 536.79 грн |
| 10+ | 453.12 грн |
| 50+ | 406.09 грн |
| 100+ | 361.32 грн |
| 250+ | 303.13 грн |
| FGH4L40T120LQD |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 357.41 грн |
| FGH4L40T120LQD |
|
Виробник: onsemi
Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 404.96 грн |
| 10+ | 334.33 грн |
| FGH4L50T65MQDC50 |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 700.31 грн |
| 10+ | 609.58 грн |
| 25+ | 581.25 грн |
| 100+ | 473.64 грн |
| 450+ | 412.44 грн |
| 1350+ | 359.22 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]