Результат пошуку "fgh4" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 74
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 49
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 140
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 140
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 140
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 450
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 33
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 54
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 115
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 450
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 123
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 123
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 123
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 450
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 450
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Код товару: 79400
Додати до обраних
Обраний товар
|
FAIR |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A |
у наявності: 162 шт
139 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD Код товару: 63296
Додати до обраних
Обраний товар
|
FAIR/ON |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 349 W td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92 |
у наявності: 49 шт
6 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 13 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Одеса 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N120ANTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFDTU | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH40N60SFDTU | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFTU | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SFTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 36 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 22480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 12134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 47481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD-F085 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60SMD-F085 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
на замовлення 3593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247AB Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH40N60UFDTU | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40N65UFDTU | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH40N65UFDTU | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FGH40T100SMD-F155 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 398 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FGH40T120SMD | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SQDNL4 | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 221 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGH40T120SQDNL4 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) Код товару: 79400
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
у наявності: 162 шт
139 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 165.00 грн |
10+ | 152.00 грн |
100+ | 139.00 грн |
FGH40N60SMD Код товару: 63296
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 49 шт
6 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 205.00 грн |
10+ | 186.00 грн |
FGH40N120ANTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
74+ | 412.83 грн |
100+ | 392.60 грн |
500+ | 371.35 грн |
1000+ | 338.57 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 345.22 грн |
3+ | 302.40 грн |
5+ | 195.81 грн |
14+ | 184.76 грн |
90+ | 183.97 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 414.26 грн |
3+ | 376.84 грн |
5+ | 234.97 грн |
14+ | 221.71 грн |
90+ | 220.76 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 444.09 грн |
10+ | 229.81 грн |
120+ | 193.81 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
49+ | 251.59 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 384.67 грн |
10+ | 193.51 грн |
120+ | 141.74 грн |
510+ | 138.71 грн |
2520+ | 125.82 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 408.76 грн |
58+ | 211.53 грн |
120+ | 178.39 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 353.39 грн |
30+ | 190.49 грн |
120+ | 157.46 грн |
FGH40N60SFDTU |
![]() |
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 230.31 грн |
FGH40N60SFTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 217.55 грн |
500+ | 205.41 грн |
1000+ | 194.28 грн |
10000+ | 176.60 грн |
FGH40N60SFTU |
![]() |
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 164.22 грн |
FGH40N60SFTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 70.27 грн |
100+ | 69.11 грн |
450+ | 66.32 грн |
900+ | 61.38 грн |
FGH40N60SFTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 217.55 грн |
FGH40N60SFTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 217.55 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 330.76 грн |
3+ | 292.14 грн |
5+ | 208.44 грн |
13+ | 197.39 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 47482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 409.11 грн |
10+ | 242.88 грн |
120+ | 211.50 грн |
510+ | 193.13 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 22480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 395.20 грн |
30+ | 214.81 грн |
120+ | 178.32 грн |
510+ | 142.25 грн |
1020+ | 136.36 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 408.99 грн |
10+ | 244.03 грн |
100+ | 226.18 грн |
500+ | 193.44 грн |
1000+ | 159.61 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
IGBTs 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 374.95 грн |
10+ | 210.07 грн |
120+ | 161.45 грн |
510+ | 147.05 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
450+ | 175.88 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 47481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 376.57 грн |
55+ | 223.55 грн |
120+ | 194.68 грн |
510+ | 177.77 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 225.36 грн |
120+ | 194.84 грн |
FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 241.46 грн |
120+ | 208.76 грн |
FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 677.40 грн |
10+ | 395.44 грн |
100+ | 330.52 грн |
FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 541.97 грн |
30+ | 301.95 грн |
120+ | 253.72 грн |
FGH40N60SMD-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
IGBTs 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 586.29 грн |
10+ | 335.59 грн |
100+ | 246.34 грн |
450+ | 245.58 грн |
900+ | 244.83 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 191.32 грн |
7+ | 144.49 грн |
18+ | 136.59 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 286.15 грн |
30+ | 151.54 грн |
120+ | 124.26 грн |
510+ | 97.83 грн |
1020+ | 90.97 грн |
2010+ | 88.14 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
115+ | 105.80 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 40A Field Stop
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 317.47 грн |
10+ | 172.59 грн |
120+ | 117.49 грн |
510+ | 100.05 грн |
1020+ | 94.75 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 150.91 грн |
120+ | 132.87 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 346.92 грн |
10+ | 190.47 грн |
100+ | 174.31 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 329.60 грн |
66+ | 184.16 грн |
120+ | 145.06 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
450+ | 113.68 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 358.09 грн |
10+ | 200.09 грн |
120+ | 157.60 грн |
FGH40N60UFDTU |
![]() |
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 254.41 грн |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
123+ | 246.89 грн |
500+ | 233.74 грн |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
123+ | 246.89 грн |
500+ | 233.74 грн |
1000+ | 220.58 грн |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
123+ | 246.89 грн |
500+ | 233.74 грн |
1000+ | 220.58 грн |
FGH40N65UFDTU |
![]() |
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 498.02 грн |
FGH40T100SMD-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
Description: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 557.55 грн |
10+ | 364.93 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 681.09 грн |
2+ | 488.74 грн |
6+ | 461.89 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 817.30 грн |
2+ | 609.04 грн |
6+ | 554.27 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 538.01 грн |
10+ | 426.30 грн |
120+ | 416.01 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 758.73 грн |
10+ | 421.89 грн |
120+ | 318.35 грн |
510+ | 311.53 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 495.22 грн |
31+ | 392.39 грн |
120+ | 382.92 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 697.76 грн |
30+ | 397.38 грн |
120+ | 337.17 грн |
510+ | 289.96 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 506.70 грн |
FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 506.70 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1040.76 грн |
2+ | 842.46 грн |
4+ | 796.66 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1248.91 грн |
2+ | 1049.83 грн |
4+ | 956.00 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 697.76 грн |
30+ | 397.46 грн |
120+ | 337.22 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
450+ | 470.12 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
450+ | 432.72 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 759.62 грн |
10+ | 442.81 грн |
120+ | 326.69 грн |
510+ | 311.53 грн |
FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 813.73 грн |
5+ | 647.92 грн |
10+ | 481.27 грн |
50+ | 439.78 грн |
100+ | 399.40 грн |
250+ | 392.84 грн |
FGH40T120SQDNL4 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 699.40 грн |
30+ | 398.52 грн |
120+ | 338.16 грн |
FGH40T120SQDNL4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 814.58 грн |
5+ | 648.77 грн |
10+ | 482.97 грн |
50+ | 431.89 грн |
100+ | 383.36 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]