Результат пошуку "irf3205" : 44
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
8542 39 90 00
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR/Infineon |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: THT |
у наявності: 3832 шт
3642 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ 68 шт - РАДІОМАГ-Львів 73 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
50 шт
50 шт - очікується
|
|
||||||||||||||
|
IRF3205SPBF Код товару: 36593
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146 Монтаж: SMD |
у наявності: 57 шт
36 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Харків 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF Код товару: 34997
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110 Монтаж: THT |
у наявності: 159 шт
80 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів 4 шт - РАДІОМАГ-Харків 48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
44 шт
44 шт - очікується
|
|
||||||||||||||
| IRF3205 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205 | JSMSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSMкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205STRL | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205STRL | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 838 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205zкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205zкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF3205ZS | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF3205 IR |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF3205-CN | CHIPNOBO | IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205NSTRLPBF | IR | 09+ |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205PB |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF3205PBF |
IRF3205PBF Транзисторы |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF3205PBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205S | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205SPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205STRLPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205STRPBF | IR | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF3205ZS | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| Транзистор IRF3205PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 483 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор IRF3205STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 700 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Транзистор польовий IRF3205SPBF 110A 55V N-ch D2PAK |
на замовлення 27 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| AUIRF3205ZSTRL | Infineon |
|
на замовлення 456000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| D3205 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; D3205 DONGHAI TIRF3205 DHкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HYG065N07NS1P | HUAYI |
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF3205 Код товару: 188594
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF3205ZS Код товару: 53829
Додати до обраних
Обраний товар
|
8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF3205ZSP Код товару: 99464
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
| IRF3205PBF Код товару: 25094
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3832 шт
3642 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
68 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
49 шт - РАДІОМАГ-Київ
68 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
50 шт
50 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRF3205SPBF Код товару: 36593
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
36 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| IRF3205ZPBF Код товару: 34997
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 159 шт
80 шт - РАДІОМАГ-Київ
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
27 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
44 шт
44 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 45.00 грн |
| IRF3205 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.94 грн |
| IRF3205 | ![]() |
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 23.20 грн |
| IRF3205 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.94 грн |
| IRF3205-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 25.22 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.26 грн |
| 10+ | 86.66 грн |
| 25+ | 72.03 грн |
| 50+ | 63.12 грн |
| 100+ | 55.76 грн |
| 250+ | 49.28 грн |
| 500+ | 46.37 грн |
| IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт) |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 73.85 грн |
| IRF3205S | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 32.08 грн |
| IRF3205STRL |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.34 грн |
| IRF3205STRL |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 39.34 грн |
| IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.24 грн |
| 10+ | 112.40 грн |
| 50+ | 84.61 грн |
| 100+ | 76.29 грн |
| 250+ | 66.61 грн |
| 500+ | 60.12 грн |
| 800+ | 56.15 грн |
| IRF3205Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 53.06 грн |
| IRF3205Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 53.06 грн |
| IRF3205ZS |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 54.47 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.51 грн |
| 10+ | 83.14 грн |
| 50+ | 70.67 грн |
| 100+ | 66.41 грн |
| 250+ | 61.38 грн |
| 500+ | 57.12 грн |
| 800+ | 54.51 грн |
| IRF3205-CN |
Виробник: CHIPNOBO
IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205NSTRLPBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205PBF |
![]() |
IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205PBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205S | ![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205STRLPBF/IR |
Виробник: IR
08+;
08+;
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205STRPBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205ZS |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор IRF3205PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 483 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 147.70 грн |
| 10+ | 85.58 грн |
| 100+ | 74.61 грн |
| Транзистор IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 700 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.61 грн |
| 10+ | 120.69 грн |
| 100+ | 108.62 грн |
| Транзистор польовий IRF3205SPBF 110A 55V N-ch D2PAK |
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 39.77 грн |
| AUIRF3205ZSTRL |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| D3205 |
![]() |
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 28.04 грн |
| HYG065N07NS1P |
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 25.62 грн |
| IRF3205 Код товару: 188594
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF3205ZS Код товару: 53829
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF3205ZSP Код товару: 99464
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 23.10 грн |








