Результат пошуку "irf3205" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4246 шт
3972 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
196 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 111 шт
111 шт - очікується
2+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 61 шт
40 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 149 шт
133 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 JSMSEMI description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.08 грн
10+68.90 грн
25+59.47 грн
50+52.11 грн
100+46.04 грн
250+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.29 грн
10+85.86 грн
25+71.36 грн
50+62.54 грн
100+55.25 грн
250+48.82 грн
500+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.59 грн
10+104.15 грн
100+59.05 грн
500+46.84 грн
1000+39.10 грн
5000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.31 грн
13+57.17 грн
100+56.59 грн
500+54.02 грн
1000+45.95 грн
3000+42.02 грн
10000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 21662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.00 грн
10+105.89 грн
25+53.86 грн
100+52.10 грн
500+46.88 грн
1000+42.43 грн
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.40 грн
50+69.46 грн
100+62.25 грн
500+46.54 грн
1000+42.72 грн
2000+39.51 грн
5000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineonirf3205datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.33 грн
10+89.36 грн
50+69.86 грн
100+62.98 грн
250+54.99 грн
500+49.63 грн
800+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.59 грн
10+111.35 грн
50+83.83 грн
100+75.58 грн
250+65.99 грн
500+59.56 грн
800+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.25 грн
1600+49.19 грн
2400+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.02 грн
10+128.25 грн
50+114.48 грн
100+92.72 грн
250+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.81 грн
10+106.30 грн
100+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.50 грн
1600+58.91 грн
2400+57.13 грн
4000+54.36 грн
9600+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.82 грн
1600+63.19 грн
2400+61.28 грн
4000+58.32 грн
9600+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.72 грн
250+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.99 грн
10+116.48 грн
100+77.50 грн
500+73.89 грн
800+46.96 грн
2400+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+186.54 грн
107+116.90 грн
200+115.24 грн
1600+83.94 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+39.25 грн
321+38.78 грн
322+38.64 грн
500+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+42.05 грн
50+41.55 грн
100+41.39 грн
500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+45.45 грн
277+44.91 грн
278+44.75 грн
500+41.60 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.76 грн
50+48.18 грн
100+47.99 грн
500+44.62 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+170.43 грн
12+76.52 грн
100+69.20 грн
500+59.31 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS Infineon irf3205z.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.24 грн
10+66.10 грн
50+58.35 грн
100+54.83 грн
250+50.67 грн
500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.49 грн
10+82.37 грн
50+70.02 грн
100+65.80 грн
250+60.81 грн
500+56.59 грн
800+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.16 грн
10+89.12 грн
100+60.54 грн
800+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.50 грн
25+67.53 грн
100+64.18 грн
250+58.56 грн
500+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.34 грн
250+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.98 грн
1600+63.34 грн
2400+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.72 грн
1600+59.12 грн
2400+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.23 грн
10+95.54 грн
50+85.65 грн
100+70.34 грн
250+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.48 грн
1600+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.93 грн
198+63.03 грн
201+62.12 грн
250+59.03 грн
500+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
10+115.34 грн
100+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.69 грн
1600+68.99 грн
2400+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.97 грн
1600+64.32 грн
2400+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205NSTRLPBF IR 09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF
Код товару: 25094
Додати до обраних Обраний товар

irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 4246 шт
3972 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Харків
196 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 111 шт
111 шт - очікується
Кількість Ціна
2+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205SPBF
Код товару: 36593
Додати до обраних Обраний товар

irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 61 шт
40 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997
Додати до обраних Обраний товар

description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 149 шт
133 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
1+55.00 грн
10+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205 JSMICRO TIRF3205 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.08 грн
10+68.90 грн
25+59.47 грн
50+52.11 грн
100+46.04 грн
250+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.29 грн
10+85.86 грн
25+71.36 грн
50+62.54 грн
100+55.25 грн
250+48.82 грн
500+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
280+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 280
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
249+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRSDS11472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.59 грн
10+104.15 грн
100+59.05 грн
500+46.84 грн
1000+39.10 грн
5000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+61.31 грн
13+57.17 грн
100+56.59 грн
500+54.02 грн
1000+45.95 грн
3000+42.02 грн
10000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 21662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.00 грн
10+105.89 грн
25+53.86 грн
100+52.10 грн
500+46.88 грн
1000+42.43 грн
2000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.40 грн
50+69.46 грн
100+62.25 грн
500+46.54 грн
1000+42.72 грн
2000+39.51 грн
5000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF infineonirf3205datasheetv0101en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON (шт)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205S description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.33 грн
10+89.36 грн
50+69.86 грн
100+62.98 грн
250+54.99 грн
500+49.63 грн
800+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.59 грн
10+111.35 грн
50+83.83 грн
100+75.58 грн
250+65.99 грн
500+59.56 грн
800+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.25 грн
1600+49.19 грн
2400+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.02 грн
10+128.25 грн
50+114.48 грн
100+92.72 грн
250+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.81 грн
10+106.30 грн
100+72.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.50 грн
1600+58.91 грн
2400+57.13 грн
4000+54.36 грн
9600+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.82 грн
1600+63.19 грн
2400+61.28 грн
4000+58.32 грн
9600+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.72 грн
250+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.99 грн
10+116.48 грн
100+77.50 грн
500+73.89 грн
800+46.96 грн
2400+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+186.54 грн
107+116.90 грн
200+115.24 грн
1600+83.94 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+39.25 грн
321+38.78 грн
322+38.64 грн
500+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+42.05 грн
50+41.55 грн
100+41.39 грн
500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
358+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 358
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
274+45.45 грн
277+44.91 грн
278+44.75 грн
500+41.60 грн
1000+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.76 грн
50+48.18 грн
100+47.99 грн
500+44.62 грн
1000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+170.43 грн
12+76.52 грн
100+69.20 грн
500+59.31 грн
1000+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.24 грн
10+66.10 грн
50+58.35 грн
100+54.83 грн
250+50.67 грн
500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.49 грн
10+82.37 грн
50+70.02 грн
100+65.80 грн
250+60.81 грн
500+56.59 грн
800+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF Infineon-IRF3205Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.16 грн
10+89.12 грн
100+60.54 грн
800+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+68.50 грн
25+67.53 грн
100+64.18 грн
250+58.56 грн
500+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.34 грн
250+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.98 грн
1600+63.34 грн
2400+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.72 грн
1600+59.12 грн
2400+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF INFN-S-A0012838521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.23 грн
10+95.54 грн
50+85.65 грн
100+70.34 грн
250+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.48 грн
1600+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.93 грн
198+63.03 грн
201+62.12 грн
250+59.03 грн
500+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.92 грн
10+115.34 грн
100+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.69 грн
1600+68.99 грн
2400+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF infineonirf3205zdatasheetv0101en.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+64.97 грн
1600+64.32 грн
2400+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205NSTRLPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]