Результат пошуку "irfp2" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 59
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 195
Мінімальне замовлення: 188
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 87
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 175
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 66
Мінімальне замовлення: 108
Мінімальне замовлення: 66
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 62
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 188
Мінімальне замовлення: 148
Мінімальне замовлення: 544
Мінімальне замовлення: 452
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 55
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 110
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP244 | Siliconix |
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 9.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 9.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 385 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFP244PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 4072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP244PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP245 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP246 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 5674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250 | Siliconix |
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250M | Infineon |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250M | International Rectifier |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
на замовлення 8325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
на замовлення 3393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250MPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250N | International Rectifier |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
на замовлення 3355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
на замовлення 8191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP250S2453 | Harris Corporation |
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP251 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 |
на замовлення 12803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254B | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
на замовлення 15903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Pulsed drain current: 92A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 3528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP254PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP260M | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRFP244 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 71.48 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 119.53 грн |
5+ | 99.2 грн |
11+ | 76.31 грн |
29+ | 72.14 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 143.43 грн |
5+ | 123.61 грн |
11+ | 91.57 грн |
29+ | 86.57 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
59+ | 200.21 грн |
62+ | 189.78 грн |
66+ | 177.96 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFP244PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 185.91 грн |
10+ | 176.23 грн |
25+ | 165.24 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 261.47 грн |
10+ | 190.5 грн |
100+ | 166.59 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.16 грн |
25+ | 182.33 грн |
100+ | 156.27 грн |
500+ | 143.44 грн |
IRFP244PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 208.22 грн |
10+ | 167.72 грн |
25+ | 139.18 грн |
IRFP245 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
195+ | 102.44 грн |
IRFP246 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
188+ | 106.43 грн |
IRFP250 |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 73.03 грн |
IRFP250M |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 97.31 грн |
IRFP250M |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 97.31 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.96 грн |
5+ | 117.23 грн |
10+ | 88.1 грн |
26+ | 83.24 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.15 грн |
5+ | 146.09 грн |
10+ | 105.72 грн |
26+ | 99.89 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.68 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
87+ | 134.31 грн |
103+ | 113.4 грн |
126+ | 92.85 грн |
250+ | 83.89 грн |
400+ | 65.95 грн |
1200+ | 58.58 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.67 грн |
10+ | 105.26 грн |
100+ | 86.18 грн |
250+ | 77.86 грн |
400+ | 61.22 грн |
1200+ | 54.37 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
175+ | 67.02 грн |
183+ | 63.91 грн |
205+ | 57 грн |
213+ | 52.9 грн |
500+ | 48.89 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.64 грн |
25+ | 124.59 грн |
100+ | 102.5 грн |
500+ | 81.4 грн |
1000+ | 69.06 грн |
2000+ | 65.61 грн |
5000+ | 62.11 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.15 грн |
10+ | 128.66 грн |
100+ | 93.9 грн |
250+ | 93.23 грн |
400+ | 68.59 грн |
1200+ | 66.26 грн |
2800+ | 65.06 грн |
IRFP250MPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 182.28 грн |
10+ | 134.47 грн |
100+ | 89.65 грн |
500+ | 77.69 грн |
1000+ | 65.95 грн |
IRFP250N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 124.67 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 180.78 грн |
5+ | 151.22 грн |
7+ | 120.7 грн |
19+ | 114.46 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.94 грн |
5+ | 188.45 грн |
7+ | 144.84 грн |
19+ | 137.35 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.89 грн |
10+ | 193.75 грн |
25+ | 140.51 грн |
100+ | 118.54 грн |
400+ | 92.57 грн |
1200+ | 86.57 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 178.48 грн |
67+ | 176.69 грн |
70+ | 167.29 грн |
100+ | 138.29 грн |
400+ | 98.81 грн |
1200+ | 88.3 грн |
2800+ | 83.69 грн |
5200+ | 82.18 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
108+ | 108.94 грн |
127+ | 92.11 грн |
135+ | 87.06 грн |
200+ | 83.29 грн |
800+ | 70.34 грн |
1600+ | 63.19 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 176.99 грн |
70+ | 167.55 грн |
100+ | 138.47 грн |
400+ | 98.92 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 130.15 грн |
91+ | 128.84 грн |
95+ | 123.42 грн |
106+ | 106.94 грн |
400+ | 82.25 грн |
500+ | 78.17 грн |
1000+ | 77.23 грн |
1200+ | 73.07 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 165.73 грн |
10+ | 164.07 грн |
25+ | 155.34 грн |
100+ | 128.41 грн |
400+ | 91.76 грн |
1200+ | 81.99 грн |
2800+ | 77.71 грн |
5200+ | 76.31 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 218.88 грн |
10+ | 174.06 грн |
100+ | 116.54 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 166 грн |
10+ | 164.35 грн |
25+ | 155.58 грн |
100+ | 128.58 грн |
400+ | 91.85 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 120.79 грн |
10+ | 119.58 грн |
25+ | 114.55 грн |
100+ | 99.26 грн |
400+ | 76.34 грн |
500+ | 72.55 грн |
1000+ | 71.69 грн |
1200+ | 67.83 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.85 грн |
IRFP250NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.22 грн |
25+ | 148.64 грн |
100+ | 127.4 грн |
500+ | 106.28 грн |
1000+ | 91 грн |
2000+ | 85.69 грн |
5000+ | 80.86 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 116.54 грн |
5+ | 97.12 грн |
11+ | 77.69 грн |
29+ | 72.84 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 139.85 грн |
5+ | 121.02 грн |
11+ | 93.23 грн |
29+ | 87.4 грн |
500+ | 86.57 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 187.48 грн |
400+ | 172.14 грн |
800+ | 161.02 грн |
1200+ | 147.22 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 190.72 грн |
70+ | 166.98 грн |
73+ | 161.69 грн |
100+ | 145.04 грн |
250+ | 132.98 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 252.85 грн |
25+ | 192.79 грн |
100+ | 165.24 грн |
500+ | 137.84 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 177.09 грн |
10+ | 155.06 грн |
25+ | 150.14 грн |
100+ | 134.68 грн |
250+ | 123.48 грн |
IRFP250PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 246.29 грн |
10+ | 198.35 грн |
25+ | 157.83 грн |
100+ | 155.16 грн |
500+ | 145.84 грн |
IRFP250S2453 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
188+ | 106.43 грн |
IRFP251 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
148+ | 135.03 грн |
IRFP254B |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 12803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
544+ | 45.57 грн |
IRFP254B |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
452+ | 43.9 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 155.38 грн |
5+ | 129.72 грн |
8+ | 102.67 грн |
22+ | 97.12 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.46 грн |
5+ | 161.65 грн |
8+ | 123.2 грн |
22+ | 116.54 грн |
500+ | 115.71 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.46 грн |
25+ | 144.79 грн |
100+ | 124.1 грн |
500+ | 113.91 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 197.9 грн |
10+ | 186.77 грн |
25+ | 153.74 грн |
100+ | 138.49 грн |
250+ | 127.01 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.14 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 265.71 грн |
10+ | 228.98 грн |
25+ | 163.82 грн |
100+ | 148.5 грн |
250+ | 145.84 грн |
500+ | 134.52 грн |
1000+ | 127.86 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 213.21 грн |
59+ | 201.22 грн |
71+ | 165.64 грн |
100+ | 149.21 грн |
250+ | 136.84 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 127.37 грн |
6+ | 98.84 грн |
10+ | 98.05 грн |
25+ | 92.67 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 262.96 грн |
10+ | 175.56 грн |
100+ | 154.64 грн |
IRFP254PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
110+ | 106.45 грн |
111+ | 105.59 грн |
113+ | 103.49 грн |
IRFP260M |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 116.12 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 176.3 грн |
5+ | 144.29 грн |
7+ | 120.01 грн |
19+ | 113.07 грн |