Результат пошуку "irfp2" : > 120

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFP244 Siliconix N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY IRFP244PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.53 грн
5+ 99.2 грн
11+ 76.31 грн
29+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY IRFP244PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+143.43 грн
5+ 123.61 грн
11+ 91.57 грн
29+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay irfp244.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+200.21 грн
62+ 189.78 грн
66+ 177.96 грн
Мінімальне замовлення: 59
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay irfp244.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay irfp244.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.91 грн
10+ 176.23 грн
25+ 165.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY VISH-S-A0014480882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.47 грн
10+ 190.5 грн
100+ 166.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.16 грн
25+ 182.33 грн
100+ 156.27 грн
500+ 143.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF IRFP244PBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.22 грн
10+ 167.72 грн
25+ 139.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP245 IRFP245 Harris Corporation HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRFP246 IRFP246 Harris Corporation HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP250 Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250M Infineon N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250M International Rectifier N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.96 грн
5+ 117.23 грн
10+ 88.1 грн
26+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.15 грн
5+ 146.09 грн
10+ 105.72 грн
26+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+134.31 грн
103+ 113.4 грн
126+ 92.85 грн
250+ 83.89 грн
400+ 65.95 грн
1200+ 58.58 грн
Мінімальне замовлення: 87
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+124.67 грн
10+ 105.26 грн
100+ 86.18 грн
250+ 77.86 грн
400+ 61.22 грн
1200+ 54.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+67.02 грн
183+ 63.91 грн
205+ 57 грн
213+ 52.9 грн
500+ 48.89 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.64 грн
25+ 124.59 грн
100+ 102.5 грн
500+ 81.4 грн
1000+ 69.06 грн
2000+ 65.61 грн
5000+ 62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-3363215.pdf MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.15 грн
10+ 128.66 грн
100+ 93.9 грн
250+ 93.23 грн
400+ 68.59 грн
1200+ 66.26 грн
2800+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.28 грн
10+ 134.47 грн
100+ 89.65 грн
500+ 77.69 грн
1000+ 65.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250N International Rectifier description N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+124.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+180.78 грн
5+ 151.22 грн
7+ 120.7 грн
19+ 114.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+216.94 грн
5+ 188.45 грн
7+ 144.84 грн
19+ 137.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN-3363460.pdf description MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.89 грн
10+ 193.75 грн
25+ 140.51 грн
100+ 118.54 грн
400+ 92.57 грн
1200+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+178.48 грн
67+ 176.69 грн
70+ 167.29 грн
100+ 138.29 грн
400+ 98.81 грн
1200+ 88.3 грн
2800+ 83.69 грн
5200+ 82.18 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.94 грн
127+ 92.11 грн
135+ 87.06 грн
200+ 83.29 грн
800+ 70.34 грн
1600+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+176.99 грн
70+ 167.55 грн
100+ 138.47 грн
400+ 98.92 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+130.15 грн
91+ 128.84 грн
95+ 123.42 грн
106+ 106.94 грн
400+ 82.25 грн
500+ 78.17 грн
1000+ 77.23 грн
1200+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.73 грн
10+ 164.07 грн
25+ 155.34 грн
100+ 128.41 грн
400+ 91.76 грн
1200+ 81.99 грн
2800+ 77.71 грн
5200+ 76.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.88 грн
10+ 174.06 грн
100+ 116.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+166 грн
10+ 164.35 грн
25+ 155.58 грн
100+ 128.58 грн
400+ 91.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.79 грн
10+ 119.58 грн
25+ 114.55 грн
100+ 99.26 грн
400+ 76.34 грн
500+ 72.55 грн
1000+ 71.69 грн
1200+ 67.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.22 грн
25+ 148.64 грн
100+ 127.4 грн
500+ 106.28 грн
1000+ 91 грн
2000+ 85.69 грн
5000+ 80.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.54 грн
5+ 97.12 грн
11+ 77.69 грн
29+ 72.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+139.85 грн
5+ 121.02 грн
11+ 93.23 грн
29+ 87.4 грн
500+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+187.48 грн
400+ 172.14 грн
800+ 161.02 грн
1200+ 147.22 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+190.72 грн
70+ 166.98 грн
73+ 161.69 грн
100+ 145.04 грн
250+ 132.98 грн
Мінімальне замовлення: 62
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.85 грн
25+ 192.79 грн
100+ 165.24 грн
500+ 137.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+177.09 грн
10+ 155.06 грн
25+ 150.14 грн
100+ 134.68 грн
250+ 123.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.29 грн
10+ 198.35 грн
25+ 157.83 грн
100+ 155.16 грн
500+ 145.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250S2453 IRFP250S2453 Harris Corporation Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP251 IRFP251 Harris Corporation HRISSD89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+135.03 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFP254B ONSEMI FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 12803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 544
IRFP254B IRFP254B Fairchild Semiconductor FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+43.9 грн
Мінімальне замовлення: 452
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY IRFP254.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.38 грн
5+ 129.72 грн
8+ 102.67 грн
22+ 97.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY IRFP254.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+186.46 грн
5+ 161.65 грн
8+ 123.2 грн
22+ 116.54 грн
500+ 115.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay Siliconix TO247AC_Front.jpg Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
25+ 144.79 грн
100+ 124.1 грн
500+ 113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+197.9 грн
10+ 186.77 грн
25+ 153.74 грн
100+ 138.49 грн
250+ 127.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay Semiconductors TO247AC_Front.jpg MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.71 грн
10+ 228.98 грн
25+ 163.82 грн
100+ 148.5 грн
250+ 145.84 грн
500+ 134.52 грн
1000+ 127.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+213.21 грн
59+ 201.22 грн
71+ 165.64 грн
100+ 149.21 грн
250+ 136.84 грн
Мінімальне замовлення: 55
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.37 грн
6+ 98.84 грн
10+ 98.05 грн
25+ 92.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY VISH-S-A0014480852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+262.96 грн
10+ 175.56 грн
100+ 154.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254PBF Vishay irfp254.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+106.45 грн
111+ 105.59 грн
113+ 103.49 грн
Мінімальне замовлення: 110
IRFP260M International Rectifier Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+116.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.3 грн
5+ 144.29 грн
7+ 120.01 грн
19+ 113.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP244
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 15A 250V 150W 0.28Ω IRFP244; IRFP244 TIRFP244
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP244PBF IRFP244PBF.pdf
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+119.53 грн
5+ 99.2 грн
11+ 76.31 грн
29+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF IRFP244PBF.pdf
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.43 грн
5+ 123.61 грн
11+ 91.57 грн
29+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF irfp244.pdf
IRFP244PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+200.21 грн
62+ 189.78 грн
66+ 177.96 грн
Мінімальне замовлення: 59
IRFP244PBF irfp244.pdf
IRFP244PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFP244PBF irfp244.pdf
IRFP244PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+185.91 грн
10+ 176.23 грн
25+ 165.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP244PBF VISH-S-A0014480882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP244PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+261.47 грн
10+ 190.5 грн
100+ 166.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP244PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP244PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.16 грн
25+ 182.33 грн
100+ 156.27 грн
500+ 143.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP244PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP244PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.22 грн
10+ 167.72 грн
25+ 139.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP245 HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP245
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRFP246 HRISD017-4-493.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP246
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250M
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250M
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+97.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.96 грн
5+ 117.23 грн
10+ 88.1 грн
26+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.15 грн
5+ 146.09 грн
10+ 105.72 грн
26+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+134.31 грн
103+ 113.4 грн
126+ 92.85 грн
250+ 83.89 грн
400+ 65.95 грн
1200+ 58.58 грн
Мінімальне замовлення: 87
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.67 грн
10+ 105.26 грн
100+ 86.18 грн
250+ 77.86 грн
400+ 61.22 грн
1200+ 54.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250MPBF infineon-irfp250m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+67.02 грн
183+ 63.91 грн
205+ 57 грн
213+ 52.9 грн
500+ 48.89 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRFP250MPBF IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.64 грн
25+ 124.59 грн
100+ 102.5 грн
500+ 81.4 грн
1000+ 69.06 грн
2000+ 65.61 грн
5000+ 62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-3363215.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.15 грн
10+ 128.66 грн
100+ 93.9 грн
250+ 93.23 грн
400+ 68.59 грн
1200+ 66.26 грн
2800+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250MPBF INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+182.28 грн
10+ 134.47 грн
100+ 89.65 грн
500+ 77.69 грн
1000+ 65.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+124.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+180.78 грн
5+ 151.22 грн
7+ 120.7 грн
19+ 114.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.94 грн
5+ 188.45 грн
7+ 144.84 грн
19+ 137.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN-3363460.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.89 грн
10+ 193.75 грн
25+ 140.51 грн
100+ 118.54 грн
400+ 92.57 грн
1200+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+178.48 грн
67+ 176.69 грн
70+ 167.29 грн
100+ 138.29 грн
400+ 98.81 грн
1200+ 88.3 грн
2800+ 83.69 грн
5200+ 82.18 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+108.94 грн
127+ 92.11 грн
135+ 87.06 грн
200+ 83.29 грн
800+ 70.34 грн
1600+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+176.99 грн
70+ 167.55 грн
100+ 138.47 грн
400+ 98.92 грн
Мінімальне замовлення: 66
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+130.15 грн
91+ 128.84 грн
95+ 123.42 грн
106+ 106.94 грн
400+ 82.25 грн
500+ 78.17 грн
1000+ 77.23 грн
1200+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+165.73 грн
10+ 164.07 грн
25+ 155.34 грн
100+ 128.41 грн
400+ 91.76 грн
1200+ 81.99 грн
2800+ 77.71 грн
5200+ 76.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF description INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+218.88 грн
10+ 174.06 грн
100+ 116.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+166 грн
10+ 164.35 грн
25+ 155.58 грн
100+ 128.58 грн
400+ 91.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+120.79 грн
10+ 119.58 грн
25+ 114.55 грн
100+ 99.26 грн
400+ 76.34 грн
500+ 72.55 грн
1000+ 71.69 грн
1200+ 67.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP250NPBF description infineon-irfp250n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFP250NPBF description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 8191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.22 грн
25+ 148.64 грн
100+ 127.4 грн
500+ 106.28 грн
1000+ 91 грн
2000+ 85.69 грн
5000+ 80.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+116.54 грн
5+ 97.12 грн
11+ 77.69 грн
29+ 72.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+139.85 грн
5+ 121.02 грн
11+ 93.23 грн
29+ 87.4 грн
500+ 86.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+187.48 грн
400+ 172.14 грн
800+ 161.02 грн
1200+ 147.22 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+190.72 грн
70+ 166.98 грн
73+ 161.69 грн
100+ 145.04 грн
250+ 132.98 грн
Мінімальне замовлення: 62
IRFP250PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP250PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.85 грн
25+ 192.79 грн
100+ 165.24 грн
500+ 137.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+177.09 грн
10+ 155.06 грн
25+ 150.14 грн
100+ 134.68 грн
250+ 123.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP250PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP250PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.29 грн
10+ 198.35 грн
25+ 157.83 грн
100+ 155.16 грн
500+ 145.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP250S2453
IRFP250S2453
Виробник: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 188
IRFP251 HRISSD89-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP251
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+135.03 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFP254B FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFP254B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 12803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
544+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 544
IRFP254B FAIRS25475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP254B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 15903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+43.9 грн
Мінімальне замовлення: 452
IRFP254PBF IRFP254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.38 грн
5+ 129.72 грн
8+ 102.67 грн
22+ 97.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF IRFP254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.46 грн
5+ 161.65 грн
8+ 123.2 грн
22+ 116.54 грн
500+ 115.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP254PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.46 грн
25+ 144.79 грн
100+ 124.1 грн
500+ 113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+197.9 грн
10+ 186.77 грн
25+ 153.74 грн
100+ 138.49 грн
250+ 127.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP254PBF TO247AC_Front.jpg
IRFP254PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.71 грн
10+ 228.98 грн
25+ 163.82 грн
100+ 148.5 грн
250+ 145.84 грн
500+ 134.52 грн
1000+ 127.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+213.21 грн
59+ 201.22 грн
71+ 165.64 грн
100+ 149.21 грн
250+ 136.84 грн
Мінімальне замовлення: 55
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+127.37 грн
6+ 98.84 грн
10+ 98.05 грн
25+ 92.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP254PBF VISH-S-A0014480852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP254PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP254PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+262.96 грн
10+ 175.56 грн
100+ 154.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP254PBF irfp254.pdf
IRFP254PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+106.45 грн
111+ 105.59 грн
113+ 103.49 грн
Мінімальне замовлення: 110
IRFP260M
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+116.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+176.3 грн
5+ 144.29 грн
7+ 120.01 грн
19+ 113.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3  Наступна Сторінка >> ]