Результат пошуку "irfp2" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 62
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 58
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 53
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 42
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 41
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP260M | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260MPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260N | International Rectifier |
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm |
на замовлення 66 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 13310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 5230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260NPBF; 50A; 200V; 300W; 0.04R; N-канальный, корпус: TO-247AC; IR |
на замовлення 28 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP260PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 7968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP260PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264 | Vishay Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 38 А; Ptot, Вт = 280; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25; Qg, нКл = 210; Rds = 75 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3; TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 24A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=250V; Id=38A; Pdmax=280W; Rds=0,075 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP264PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP26N60LPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP26N60LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP26N60LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP26N60LPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP26N60LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP2907 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP2907PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP2907PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFP260M |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 50A; 300W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRFP260M; IRFP260M TIRFP260m
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 116.41 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 176.75 грн |
5+ | 144.65 грн |
7+ | 120.31 грн |
19+ | 114.05 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.41 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.04 грн |
25+ | 132.82 грн |
100+ | 104.82 грн |
400+ | 83.45 грн |
1200+ | 81.45 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 182.71 грн |
25+ | 139.23 грн |
100+ | 119.32 грн |
500+ | 99.54 грн |
1000+ | 85.23 грн |
2000+ | 80.25 грн |
5000+ | 75.73 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 120.91 грн |
99+ | 118.96 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 110.52 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 190.35 грн |
64+ | 183.09 грн |
100+ | 176.88 грн |
250+ | 165.39 грн |
500+ | 148.97 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 145.38 грн |
25+ | 117.08 грн |
100+ | 103.34 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 192.47 грн |
10+ | 131.06 грн |
100+ | 124.32 грн |
500+ | 108.49 грн |
1000+ | 94.36 грн |
IRFP260MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 156.06 грн |
94+ | 125.68 грн |
106+ | 110.93 грн |
IRFP260N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 46A 200V 280W 0.055Ω Replacement: IRFP260 IRFP260N TIRFP260n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 116.76 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 163.27 грн |
5+ | 136.3 грн |
8+ | 104.31 грн |
22+ | 98.06 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.58 грн |
10+ | 103.48 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.92 грн |
5+ | 169.86 грн |
8+ | 125.18 грн |
22+ | 117.67 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.62 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 190 грн |
10+ | 181.58 грн |
25+ | 159.07 грн |
100+ | 133.11 грн |
400+ | 107.68 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 13310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 272.98 грн |
25+ | 208.63 грн |
100+ | 178.82 грн |
500+ | 149.17 грн |
1000+ | 127.73 грн |
2000+ | 120.27 грн |
5000+ | 113.49 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 292.86 грн |
10+ | 286.37 грн |
25+ | 198.95 грн |
100+ | 170.91 грн |
400+ | 129.52 грн |
1200+ | 121.51 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 327.63 грн |
51+ | 231.1 грн |
61+ | 194.04 грн |
100+ | 177.71 грн |
200+ | 163.68 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 352.74 грн |
10+ | 295.83 грн |
100+ | 196.22 грн |
500+ | 178.73 грн |
1000+ | 161.77 грн |
IRFP260NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
58+ | 203.95 грн |
61+ | 194.93 грн |
69+ | 170.75 грн |
100+ | 142.88 грн |
400+ | 115.58 грн |
IRFP260NPBF; 50A; 200V; 300W; 0.04R; N-канальный, корпус: TO-247AC; IR |
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 109.21 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.91 грн |
5+ | 197.5 грн |
6+ | 152.3 грн |
15+ | 144.65 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 283.09 грн |
5+ | 246.12 грн |
6+ | 182.76 грн |
15+ | 173.58 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 7968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257.03 грн |
10+ | 251.06 грн |
25+ | 189.6 грн |
100+ | 185.6 грн |
500+ | 181.59 грн |
1000+ | 170.91 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
53+ | 222.61 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 297.54 грн |
25+ | 227.13 грн |
100+ | 194.66 грн |
500+ | 178.68 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP260PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 46 A, 0.055 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 361.73 грн |
10+ | 254.63 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 257.64 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.29 грн |
IRFP260PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 300.86 грн |
10+ | 293.06 грн |
25+ | 247.08 грн |
100+ | 224.73 грн |
500+ | 203.21 грн |
1000+ | 179.04 грн |
2500+ | 175.7 грн |
IRFP264 |
Виробник: Vishay Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 38 А; Ptot, Вт = 280; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25; Qg, нКл = 210; Rds = 75 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3; TO-247AC
N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 38 А; Ptot, Вт = 280; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 5400 @ 25; Qg, нКл = 210; Rds = 75 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3; TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 150.06 грн |
10+ | 140.06 грн |
100+ | 130.06 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.95 грн |
5+ | 180.81 грн |
6+ | 150.91 грн |
15+ | 142.56 грн |
100+ | 140.48 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=250V; Id=38A; Pdmax=280W; Rds=0,075 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=250V; Id=38A; Pdmax=280W; Rds=0,075 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.02 грн |
10+ | 155.22 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 263.38 грн |
10+ | 240.85 грн |
25+ | 211.66 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42+ | 283.64 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 399.48 грн |
35+ | 336.68 грн |
44+ | 268.74 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 370.94 грн |
10+ | 312.63 грн |
25+ | 249.54 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 380.87 грн |
10+ | 311.71 грн |
25+ | 228.99 грн |
500+ | 215.64 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 184.2 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 419.4 грн |
10+ | 281.6 грн |
100+ | 256.88 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 198.37 грн |
IRFP264PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 367.59 грн |
25+ | 280.65 грн |
100+ | 240.56 грн |
500+ | 200.67 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 457.14 грн |
25+ | 351.36 грн |
100+ | 325.57 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 569.36 грн |
10+ | 524.38 грн |
25+ | 350.5 грн |
100+ | 335.14 грн |
250+ | 331.14 грн |
500+ | 330.47 грн |
1000+ | 300.43 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 292.53 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 486.8 грн |
10+ | 382.7 грн |
100+ | 331.02 грн |
500+ | 283.04 грн |
1000+ | 231.1 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 372.67 грн |
3+ | 271.64 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 373.71 грн |
4+ | 243.4 грн |
10+ | 230.19 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 448.46 грн |
4+ | 303.31 грн |
10+ | 276.22 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
Description: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 704.74 грн |
10+ | 563.19 грн |
100+ | 469.58 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 683.08 грн |
10+ | 577.35 грн |
100+ | 418.59 грн |
500+ | 368.52 грн |
1000+ | 332.47 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 637.68 грн |
25+ | 490.31 грн |
100+ | 438.7 грн |
500+ | 363.27 грн |
1000+ | 326.94 грн |
IRFP2907 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 184.99 грн |
IRFP2907PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 300.32 грн |
5+ | 191.94 грн |
12+ | 181.51 грн |
IRFP2907PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 360.38 грн |
5+ | 239.19 грн |
12+ | 217.81 грн |
IRFP2907PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 289.6 грн |
46+ | 258.4 грн |
50+ | 245.73 грн |
100+ | 230.37 грн |
200+ | 208.08 грн |
800+ | 197.25 грн |
IRFP2907PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 270.77 грн |
10+ | 261.5 грн |
25+ | 233.58 грн |
100+ | 210.68 грн |
250+ | 185.02 грн |
400+ | 147.72 грн |
1200+ | 140.73 грн |