Результат пошуку "irfp3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 66
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 41
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 65
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 48
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 41
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 37
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 400
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 225
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 60
Мінімальне замовлення: 80
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 52
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 400
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 25
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP3077PBF Код товару: 24931 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160 Монтаж: THT |
у наявності: 95 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFP3306PBF Код товару: 1056 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85 Монтаж: THT |
у наявності: 6 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236 |
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210 Монтаж: THT |
у наявності: 158 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFP3703PBF Код товару: 41216 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 25 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFP3006 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 152 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N-CH 60V 257A TO247 |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3006PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 340W 0.0033Ω IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 340W 0.0033Ω IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Power dissipation: 340W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Power dissipation: 340W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3077PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 707 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 31A N-CH MOSFET |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP31N50LPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
на замовлення 4872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 78800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 6832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP32N50K | Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP32N50KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP32N50KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFP3077PBF Код товару: 24931 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 165 грн |
10+ | 154 грн |
IRFP3306PBF Код товару: 1056 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 105 грн |
IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
у наявності: 158 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 105 грн |
10+ | 96.5 грн |
IRFP3703PBF Код товару: 41216 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 122 грн |
10+ | 114 грн |
IRFP3006 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 329.29 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.75 грн |
3+ | 307.87 грн |
8+ | 291.01 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 576.9 грн |
3+ | 383.65 грн |
8+ | 349.21 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 148.6 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 187.16 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 359.18 грн |
10+ | 241.56 грн |
100+ | 213.14 грн |
500+ | 194.25 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 280.6 грн |
10+ | 263.58 грн |
25+ | 226.33 грн |
50+ | 217.73 грн |
100+ | 184.96 грн |
250+ | 173.8 грн |
800+ | 173.47 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 195.22 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 60V 257A TO247
MOSFETs MOSFET N-CH 60V 257A TO247
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 321 грн |
10+ | 293.76 грн |
25+ | 211.11 грн |
100+ | 194.22 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 303.72 грн |
25+ | 232.07 грн |
100+ | 198.92 грн |
500+ | 182.59 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 173.79 грн |
IRFP3006PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 302.02 грн |
44+ | 283.71 грн |
51+ | 234.35 грн |
100+ | 199.08 грн |
250+ | 187.07 грн |
800+ | 186.71 грн |
IRFP3077 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 340W 0.0033Ω IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 340W 0.0033Ω IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 221.67 грн |
IRFP3077 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 340W 0.0033Ω IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 340W 0.0033Ω IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 221.67 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 356.81 грн |
5+ | 212.57 грн |
12+ | 201.58 грн |
25+ | 200.85 грн |
100+ | 199.38 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 428.17 грн |
5+ | 264.9 грн |
12+ | 241.9 грн |
25+ | 241.02 грн |
100+ | 239.26 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
65+ | 189.44 грн |
67+ | 183.5 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 345.76 грн |
10+ | 245.5 грн |
100+ | 234.45 грн |
500+ | 206.71 грн |
1000+ | 181.34 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
48+ | 257.24 грн |
50+ | 251.14 грн |
100+ | 250.12 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 187.01 грн |
25+ | 176.97 грн |
100+ | 170.4 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 303.02 грн |
49+ | 249.49 грн |
100+ | 221.24 грн |
400+ | 209.18 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 298.39 грн |
25+ | 227.5 грн |
100+ | 195 грн |
500+ | 178.99 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
37+ | 337.48 грн |
46+ | 266.23 грн |
100+ | 230.84 грн |
400+ | 217.81 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.62 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 313.37 грн |
25+ | 247.21 грн |
100+ | 214.35 грн |
400+ | 202.26 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 281.52 грн |
25+ | 231.79 грн |
100+ | 205.55 грн |
400+ | 194.34 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 243.61 грн |
IRFP3077PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 321 грн |
25+ | 250.87 грн |
100+ | 190 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 381.28 грн |
4+ | 244.09 грн |
10+ | 230.9 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 457.54 грн |
4+ | 304.18 грн |
10+ | 277.08 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 367.42 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 31A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 500V 31A N-CH MOSFET
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 510.65 грн |
10+ | 431.33 грн |
25+ | 340.59 грн |
100+ | 313.14 грн |
250+ | 294.85 грн |
500+ | 275.85 грн |
1000+ | 247.7 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 539.95 грн |
10+ | 382.86 грн |
100+ | 331.55 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 367.66 грн |
25+ | 282.53 грн |
100+ | 261.82 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
225+ | 268.21 грн |
IRFP31N50LPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 335.43 грн |
10+ | 332.03 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.56 грн |
5+ | 181.79 грн |
10+ | 171.53 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.87 грн |
5+ | 226.54 грн |
10+ | 205.83 грн |
25+ | 197.91 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 228.55 грн |
10+ | 217 грн |
25+ | 182.48 грн |
100+ | 156.74 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 246.13 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 206.07 грн |
62+ | 197.45 грн |
71+ | 172.59 грн |
100+ | 151.65 грн |
400+ | 108.31 грн |
1200+ | 102.91 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 152.51 грн |
93+ | 132.18 грн |
100+ | 126.08 грн |
200+ | 120.59 грн |
800+ | 110.75 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.05 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 4872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 234.8 грн |
10+ | 220.12 грн |
25+ | 167.48 грн |
100+ | 153.41 грн |
400+ | 117.52 грн |
1200+ | 111.18 грн |
2800+ | 110.48 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
52+ | 238.44 грн |
54+ | 229.35 грн |
100+ | 221.57 грн |
250+ | 207.18 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 191.45 грн |
10+ | 183.45 грн |
25+ | 160.35 грн |
100+ | 140.89 грн |
400+ | 100.63 грн |
1200+ | 95.61 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 78800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 142.47 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 260.5 грн |
10+ | 193.4 грн |
100+ | 176.04 грн |
500+ | 146.6 грн |
IRFP3206PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.39 грн |
25+ | 189.26 грн |
100+ | 162.23 грн |
500+ | 135.33 грн |
1000+ | 115.88 грн |
2000+ | 109.11 грн |
5000+ | 102.96 грн |
IRFP32N50K |
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 262.08 грн |
IRFP32N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 364.7 грн |
4+ | 259.49 грн |
10+ | 244.83 грн |
IRFP32N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 437.64 грн |
4+ | 323.36 грн |
10+ | 293.79 грн |
IRFP32N50KPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 621.91 грн |
25+ | 478.13 грн |
100+ | 427.8 грн |
IRFP32N50KPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 635.47 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]