Результат пошуку "irfp3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 65
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 70
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 65
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 112
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 37
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 128
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 244
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 159
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 48
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 44
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 46
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 194
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 205
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 44
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP3077PBF Код товару: 24931
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 75 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160 Монтаж: THT |
у наявності: 84 шт
64 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF Код товару: 1056
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() ![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 60 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85 Монтаж: THT |
у наявності: 5 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210 Монтаж: THT |
у наявності: 80 шт
25 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 11 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3703PBF Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 25 шт
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||
IRFP3006 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 147975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3006PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 297951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3006PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 340W Gate charge: 160nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFP3077PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3206 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3206PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 29051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP32N50K | Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP32N50K | Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3306 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 220W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Power dissipation: 220W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFP3306PBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() ![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFP3306PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFP3077PBF Код товару: 24931
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
64 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 165.00 грн |
10+ | 154.00 грн |
IRFP3306PBF Код товару: 1056
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 105.00 грн |
10+ | 98.00 грн |
IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 400 V
Idd,A: 23 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210
Монтаж: THT
у наявності: 80 шт
25 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 105.00 грн |
10+ | 96.50 грн |
IRFP3703PBF Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 122.00 грн |
10+ | 114.00 грн |
IRFP3006 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3006 IRFP3006 TIRFP3006
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 358.46 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.03 грн |
5+ | 223.22 грн |
10+ | 222.42 грн |
12+ | 211.26 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 342.04 грн |
5+ | 278.16 грн |
10+ | 266.90 грн |
12+ | 253.51 грн |
100+ | 243.94 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 175.19 грн |
25+ | 160.52 грн |
100+ | 158.92 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 298.77 грн |
10+ | 267.86 грн |
100+ | 236.95 грн |
500+ | 208.87 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
500+ | 261.54 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 175.69 грн |
7+ | 95.70 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 189.21 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 147975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
500+ | 261.54 грн |
1000+ | 246.22 грн |
10000+ | 223.63 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
70+ | 175.81 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 189.94 грн |
71+ | 174.03 грн |
100+ | 172.30 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 297951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
500+ | 261.54 грн |
1000+ | 246.22 грн |
10000+ | 223.63 грн |
IRFP3006PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
112+ | 275.85 грн |
500+ | 261.54 грн |
IRFP3077 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 241.30 грн |
IRFP3077 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077; IRFP3077XKMA1; IRFP3077 TIRFP3077
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 241.30 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 240.09 грн |
500+ | 226.81 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 469.62 грн |
10+ | 461.89 грн |
100+ | 300.49 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 339.19 грн |
50+ | 275.44 грн |
100+ | 253.37 грн |
200+ | 233.29 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 240.09 грн |
500+ | 226.81 грн |
1000+ | 214.55 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 240.09 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
128+ | 240.09 грн |
IRFP3077PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
244+ | 158.56 грн |
IRFP31N50LPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 368.31 грн |
4+ | 235.97 грн |
11+ | 223.22 грн |
IRFP31N50LPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.97 грн |
4+ | 294.06 грн |
11+ | 267.86 грн |
IRFP31N50LPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFP31N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 31 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 491.08 грн |
10+ | 464.46 грн |
IRFP3206 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206; IRFP3206; IRFP3206 TIRFP3206
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 149.84 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 211.20 грн |
9+ | 108.42 грн |
24+ | 102.84 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.44 грн |
9+ | 135.11 грн |
24+ | 123.41 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 158.36 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
159+ | 122.68 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 247.86 грн |
25+ | 179.84 грн |
100+ | 118.30 грн |
500+ | 109.20 грн |
1000+ | 97.77 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 158.36 грн |
500+ | 150.18 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 269.65 грн |
10+ | 258.75 грн |
25+ | 166.84 грн |
100+ | 114.03 грн |
400+ | 111.74 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
48+ | 259.09 грн |
51+ | 241.93 грн |
100+ | 183.90 грн |
400+ | 126.10 грн |
800+ | 103.62 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
44+ | 278.92 грн |
46+ | 266.94 грн |
50+ | 256.77 грн |
100+ | 239.20 грн |
250+ | 214.76 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 273.87 грн |
10+ | 256.70 грн |
100+ | 157.11 грн |
500+ | 140.31 грн |
1000+ | 123.63 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 29051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 158.36 грн |
500+ | 150.18 грн |
1000+ | 142.01 грн |
10000+ | 128.07 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
46+ | 268.72 грн |
63+ | 194.97 грн |
100+ | 128.25 грн |
500+ | 118.39 грн |
1000+ | 106.00 грн |
IRFP3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
194+ | 158.36 грн |
500+ | 150.18 грн |
1000+ | 142.01 грн |
10000+ | 128.07 грн |
IRFP32N50K |
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 279.25 грн |
IRFP32N50K |
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 279.25 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 607.84 грн |
4+ | 281.41 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 729.41 грн |
4+ | 350.68 грн |
10+ | 319.52 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 647.42 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 711.72 грн |
10+ | 657.63 грн |
IRFP3306 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 220W 0.0042Ω IRFP3306 TIRFP3306
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 95.16 грн |
IRFP3306PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 429.26 грн |
IRFP3306PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 220W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 220W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 309.07 грн |
10+ | 221.54 грн |
12+ | 101.40 грн |
31+ | 95.66 грн |
IRFP3306PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
205+ | 150.18 грн |
IRFP3306PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
44+ | 280.34 грн |
54+ | 228.03 грн |
100+ | 177.36 грн |
400+ | 141.86 грн |
800+ | 115.85 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]