Результат пошуку "irl3" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRL3103 IRL3103
Код товару: 189656 		JSMicro Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
2+38 грн
10+ 34.5 грн
100+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF IRL3705NPBF
Код товару: 24017 		IR irl3705n-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 289 шт
2+30 грн
10+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF
Код товару: 113435 		IR irl3705zpbf-222332.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 111 шт
2+42 грн
10+ 37.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3713PBF IRL3713PBF
Код товару: 198923 		VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
1+70 грн
10+ 65 грн
IRL3713PBF IRL3713PBF
Код товару: 35005 		IR irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
1+85 грн
IRL3803PBF IRL3803PBF
Код товару: 28690 		IR irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
2+39 грн
10+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3103PBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS11873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103PBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Infineon Technologies irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516 Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 163572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+36.2 грн
Мінімальне замовлення: 586
IRL3103STRLPBF ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS11873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103STRLPBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 163572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 564
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.09 грн
4+ 118.75 грн
10+ 90.89 грн
26+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF IR irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+98.19 грн
10+ 80.68 грн
100+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.51 грн
3+ 147.98 грн
10+ 109.07 грн
26+ 102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.15 грн
10+ 110.52 грн
100+ 87.62 грн
500+ 78.43 грн
1000+ 69.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.61 грн
10+ 109.25 грн
100+ 78.81 грн
250+ 78.11 грн
500+ 66.78 грн
1000+ 57.42 грн
2000+ 54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.14 грн
10+ 64.5 грн
100+ 57.44 грн
250+ 54.84 грн
500+ 47.57 грн
1000+ 34.03 грн
2000+ 33.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+70.66 грн
188+ 65.07 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.43 грн
198+ 61.83 грн
250+ 61.21 грн
500+ 55.3 грн
1000+ 38.16 грн
2000+ 36.26 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.69 грн
10+ 104.97 грн
100+ 83.58 грн
500+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NSPBF Infineon Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 description Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+162.68 грн
10+ 145.66 грн
100+ 73.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBF Infineon Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+185.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.82 грн
250+ 94.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.93 грн
10+ 130.25 грн
50+ 121.57 грн
100+ 104.82 грн
250+ 94.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.43 грн
100+ 114.91 грн
800+ 65.44 грн
4800+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705Z International Rectifier irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.75 грн
10+ 113.3 грн
100+ 80.92 грн
250+ 78.11 грн
500+ 68.05 грн
1000+ 58.41 грн
5000+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF International Rectifier IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 330
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.21 грн
50+ 103.28 грн
100+ 84.97 грн
500+ 67.48 грн
1000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+100.15 грн
142+ 85.94 грн
250+ 83.76 грн
500+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 122
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+109.81 грн
119+ 102.69 грн
142+ 86.53 грн
200+ 78.93 грн
500+ 72.81 грн
1000+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108 грн
10+ 93.05 грн
100+ 79.85 грн
250+ 75.04 грн
500+ 60.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.3 грн
10+ 117.62 грн
100+ 83.68 грн
500+ 71.18 грн
1000+ 53.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.83 грн
2400+ 71.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 158
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.53 грн
10+ 85.12 грн
25+ 84.37 грн
100+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.53 грн
2400+ 66.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.67 грн
135+ 90.86 грн
190+ 64.32 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.84 грн
10+ 135.14 грн
100+ 94.3 грн
250+ 88.67 грн
500+ 80.92 грн
800+ 67.41 грн
2400+ 64.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.76 грн
10+ 123.29 грн
100+ 98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.04 грн
10+ 103.41 грн
50+ 92.36 грн
100+ 75.5 грн
250+ 68.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.22 грн
1600+ 70.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.5 грн
250+ 68.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+208.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+208.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3716L International Rectifier N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
11+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL3803 International Rectifier irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.51 грн
10+ 87.96 грн
27+ 82.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.62 грн
10+ 109.61 грн
27+ 99.4 грн
250+ 95.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+157.8 грн
10+ 115.77 грн
100+ 96.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+92.93 грн
10+ 80.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+124.68 грн
118+ 103.68 грн
Мінімальне замовлення: 98
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf description MOSFETs MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.37 грн
10+ 118.15 грн
100+ 89.37 грн
250+ 85.85 грн
500+ 78.81 грн
1000+ 66.08 грн
2000+ 63.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON INFN-S-A0011996831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.25 грн
10+ 115.25 грн
100+ 96.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3103
Код товару: 189656
IRL3103
Виробник: JSMicro
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+38 грн
10+ 34.5 грн
100+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF
Код товару: 24017		 description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 289 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+30 грн
10+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZPBF
Код товару: 113435		 description irl3705zpbf-222332.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 111 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+42 грн
10+ 37.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3713PBF
Код товару: 198923		 description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+70 грн
10+ 65 грн
IRL3713PBF
Код товару: 35005		 description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+85 грн
IRL3803PBF
Код товару: 28690		 description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+39 грн
10+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3103PBF description IRSDS11873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103PBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565bb8702516
IRL3103STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 163572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
586+36.2 грн
Мінімальне замовлення: 586
IRL3103STRLPBF IRSDS11873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL3103STRLPBF - IRL3103 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 163572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
564+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 564
IRL3705N description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.09 грн
4+ 118.75 грн
10+ 90.89 грн
26+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.19 грн
10+ 80.68 грн
100+ 73.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.51 грн
3+ 147.98 грн
10+ 109.07 грн
26+ 102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF description INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+138.15 грн
10+ 110.52 грн
100+ 87.62 грн
500+ 78.43 грн
1000+ 69.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NPBF description Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.61 грн
10+ 109.25 грн
100+ 78.81 грн
250+ 78.11 грн
500+ 66.78 грн
1000+ 57.42 грн
2000+ 54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+68.14 грн
10+ 64.5 грн
100+ 57.44 грн
250+ 54.84 грн
500+ 47.57 грн
1000+ 34.03 грн
2000+ 33.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+70.66 грн
188+ 65.07 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
176+69.43 грн
198+ 61.83 грн
250+ 61.21 грн
500+ 55.3 грн
1000+ 38.16 грн
2000+ 36.26 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.69 грн
10+ 104.97 грн
100+ 83.58 грн
500+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NSPBF description Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.68 грн
10+ 145.66 грн
100+ 73.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBF Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+104.82 грн
250+ 94.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+138.93 грн
10+ 130.25 грн
50+ 121.57 грн
100+ 104.82 грн
250+ 94.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRL3705NSTRLPBF Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.43 грн
100+ 114.91 грн
800+ 65.44 грн
4800+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705Z irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705ZPBF description Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.75 грн
10+ 113.3 грн
100+ 80.92 грн
250+ 78.11 грн
500+ 68.05 грн
1000+ 58.41 грн
5000+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF description IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL3705ZPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
330+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 330
IRL3705ZPBF description irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.21 грн
50+ 103.28 грн
100+ 84.97 грн
500+ 67.48 грн
1000+ 57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+100.15 грн
142+ 85.94 грн
250+ 83.76 грн
500+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 122
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+109.81 грн
119+ 102.69 грн
142+ 86.53 грн
200+ 78.93 грн
500+ 72.81 грн
1000+ 63.19 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+108 грн
10+ 93.05 грн
100+ 79.85 грн
250+ 75.04 грн
500+ 60.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZPBF description INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+156.3 грн
10+ 117.62 грн
100+ 83.68 грн
500+ 71.18 грн
1000+ 53.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+74.83 грн
2400+ 71.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+77.27 грн
Мінімальне замовлення: 158
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+91.53 грн
10+ 85.12 грн
25+ 84.37 грн
100+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+69.53 грн
2400+ 66.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+91.67 грн
135+ 90.86 грн
190+ 64.32 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRL3705ZSTRLPBF Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.84 грн
10+ 135.14 грн
100+ 94.3 грн
250+ 88.67 грн
500+ 80.92 грн
800+ 67.41 грн
2400+ 64.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.76 грн
10+ 123.29 грн
100+ 98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+131.04 грн
10+ 103.41 грн
50+ 92.36 грн
100+ 75.5 грн
250+ 68.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+86.22 грн
1600+ 70.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+75.5 грн
250+ 68.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3713 description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+208.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3713 description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+208.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3716L
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL3803 irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3803PBF description irl3803.pdf
IRL3803PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.51 грн
10+ 87.96 грн
27+ 82.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF description irl3803.pdf
IRL3803PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.62 грн
10+ 109.61 грн
27+ 99.4 грн
250+ 95.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+157.8 грн
10+ 115.77 грн
100+ 96.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.93 грн
10+ 80.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
98+124.68 грн
118+ 103.68 грн
Мінімальне замовлення: 98
IRL3803PBF description Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+163.37 грн
10+ 118.15 грн
100+ 89.37 грн
250+ 85.85 грн
500+ 78.81 грн
1000+ 66.08 грн
2000+ 63.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF description INFN-S-A0011996831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3803PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+175.25 грн
10+ 115.25 грн
100+ 96.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]