Результат пошуку "irl3" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRL3103 IRL3103
Код товару: 189656
JSMicro Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
1+38 грн
10+ 34.5 грн
IRL3705NPBF IRL3705NPBF
Код товару: 24017
IR irl3705n-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 403 шт
очікується: 50 шт
1+30 грн
10+ 27.4 грн
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF
Код товару: 113435
IR irl3705zpbf-222332.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
1+42 грн
10+ 37.7 грн
IRL3713PBF IRL3713PBF
Код товару: 198923
VBsemi irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
очікується: 10 шт
IRL3713PBF IRL3713PBF
Код товару: 35005
IR irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
1+85 грн
10+ 77 грн
IRL3803PBF IRL3803PBF
Код товару: 28690
IR irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 58 шт
1+39 грн
10+ 34.7 грн
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705N International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.74 грн
10+ 83.2 грн
26+ 78.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF IR irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+80.39 грн
10+ 67.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.88 грн
3+ 142.98 грн
10+ 99.84 грн
26+ 94.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534 description Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.75 грн
10+ 94.2 грн
100+ 74.98 грн
500+ 59.54 грн
1000+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.99 грн
10+ 66.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+148.74 грн
82+ 138.18 грн
100+ 131.47 грн
200+ 120.29 грн
Мінімальне замовлення: 76
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.33 грн
10+ 67.36 грн
100+ 61.52 грн
250+ 58.72 грн
500+ 49.21 грн
1000+ 43.73 грн
2000+ 40.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf description MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.98 грн
10+ 94.82 грн
100+ 72.14 грн
250+ 71.5 грн
500+ 61.13 грн
1000+ 52.56 грн
2000+ 50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+68.47 грн
173+ 65.4 грн
250+ 62.79 грн
500+ 58.36 грн
1000+ 52.27 грн
2500+ 48.69 грн
5000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Infineon Technologies 1101379178424467irl3705npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.17 грн
10+ 95.38 грн
100+ 80.21 грн
500+ 71.12 грн
1000+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NSPBF Infineon Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631 description Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.15 грн
10+ 67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.25 грн
10+ 125.73 грн
100+ 91.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+100.77 грн
124+ 91.34 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.69 грн
10+ 83.7 грн
100+ 61.13 грн
250+ 59.13 грн
500+ 59.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+93.57 грн
10+ 85.23 грн
25+ 84.82 грн
100+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+166.02 грн
74+ 153.54 грн
100+ 128.59 грн
200+ 117.52 грн
500+ 99.39 грн
1600+ 78.06 грн
Мінімальне замовлення: 69
IRL3705Z International Rectifier irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF International Rectifier IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 330
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.85 грн
50+ 92.66 грн
100+ 76.24 грн
500+ 60.54 грн
1000+ 51.37 грн
2000+ 48.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+156.42 грн
79+ 143.94 грн
100+ 120.91 грн
200+ 110.11 грн
500+ 93.39 грн
1000+ 74.6 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf description MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+ 97.78 грн
100+ 68.28 грн
500+ 57.33 грн
1000+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF IRL3705ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.79 грн
10+ 107.66 грн
100+ 77.32 грн
500+ 65.55 грн
1000+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+78.24 грн
155+ 72.88 грн
157+ 72.15 грн
171+ 63.95 грн
250+ 52.12 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+188.08 грн
65+ 173.69 грн
100+ 145.86 грн
200+ 133.25 грн
500+ 113.1 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.45 грн
10+ 90.32 грн
100+ 67.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.96 грн
10+ 110.64 грн
100+ 88.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536 Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.36 грн
1600+ 63.21 грн
2400+ 60.05 грн
5600+ 54.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.65 грн
10+ 67.67 грн
25+ 66.99 грн
100+ 59.39 грн
250+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.71 грн
10+ 91.85 грн
100+ 66.99 грн
250+ 64.09 грн
800+ 56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+211.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3713 International Rectifier description N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+211.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3716L International Rectifier N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
11+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL3803 International Rectifier irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.95 грн
4+ 110.04 грн
10+ 80.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3803.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.55 грн
3+ 137.13 грн
10+ 96.62 грн
27+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+81.76 грн
152+ 74.47 грн
156+ 72.74 грн
200+ 66.53 грн
500+ 61.43 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.55 грн
10+ 82.97 грн
100+ 70.34 грн
500+ 64.95 грн
1000+ 46.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+87.89 грн
160+ 70.99 грн
176+ 64.24 грн
Мінімальне замовлення: 129
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3803PBF IRL3803PBF INFINEON INFN-S-A0011996831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.68 грн
10+ 79.48 грн
100+ 65.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.96 грн
50+ 106.84 грн
100+ 87.9 грн
500+ 69.8 грн
1000+ 59.23 грн
2000+ 56.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 199
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+81.62 грн
10+ 65.92 грн
100+ 59.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf description MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+151.8 грн
10+ 94.82 грн
100+ 71.5 грн
250+ 68.28 грн
500+ 66.35 грн
1000+ 56.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+133.06 грн
127+ 89.35 грн
150+ 75.75 грн
500+ 69.95 грн
1000+ 50.13 грн
Мінімальне замовлення: 85
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+82.89 грн
10+ 66.98 грн
100+ 60.62 грн
500+ 56.89 грн
1000+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3103
Код товару: 189656
IRL3103
Виробник: JSMicro
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+38 грн
10+ 34.5 грн
IRL3705NPBF
Код товару: 24017
description irl3705n-datasheet.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 403 шт
очікується: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 27.4 грн
IRL3705ZPBF
Код товару: 113435
description irl3705zpbf-222332.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 22 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+42 грн
10+ 37.7 грн
IRL3713PBF
Код товару: 198923
description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
очікується: 10 шт
IRL3713PBF
Код товару: 35005
description irl3713pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f4881253d
IRL3713PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+85 грн
10+ 77 грн
IRL3803PBF
Код товару: 28690
description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 58 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+39 грн
10+ 34.7 грн
IRL3705N description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705N description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.74 грн
10+ 83.2 грн
26+ 78.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.39 грн
10+ 67.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.88 грн
3+ 142.98 грн
10+ 99.84 грн
26+ 94.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NPBF description irl3705npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f31232534
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.75 грн
10+ 94.2 грн
100+ 74.98 грн
500+ 59.54 грн
1000+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+74.99 грн
10+ 66.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+148.74 грн
82+ 138.18 грн
100+ 131.47 грн
200+ 120.29 грн
Мінімальне замовлення: 76
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.33 грн
10+ 67.36 грн
100+ 61.52 грн
250+ 58.72 грн
500+ 49.21 грн
1000+ 43.73 грн
2000+ 40.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705NPBF description Infineon_IRL3705N_DS_v01_02_EN-3363508.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.98 грн
10+ 94.82 грн
100+ 72.14 грн
250+ 71.5 грн
500+ 61.13 грн
1000+ 52.56 грн
2000+ 50.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+68.47 грн
173+ 65.4 грн
250+ 62.79 грн
500+ 58.36 грн
1000+ 52.27 грн
2500+ 48.69 грн
5000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRL3705NPBF description 1101379178424467irl3705npbf.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRL3705NPBF description INFN-S-A0005130618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+127.17 грн
10+ 95.38 грн
100+ 80.21 грн
500+ 71.12 грн
1000+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NSPBF description Infineon-IRL3705NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0f9650631
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.15 грн
10+ 67.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705NSTRLPBF INFN-S-A0012826409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+171.25 грн
10+ 125.73 грн
100+ 91.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+100.77 грн
124+ 91.34 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRL3705NSTRLPBF Infineon_IRL3705NS_DataSheet_v01_00_EN-3363556.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.69 грн
10+ 83.7 грн
100+ 61.13 грн
250+ 59.13 грн
500+ 59.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+93.57 грн
10+ 85.23 грн
25+ 84.82 грн
100+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705NSTRLPBF infineon-irl3705ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+166.02 грн
74+ 153.54 грн
100+ 128.59 грн
200+ 117.52 грн
500+ 99.39 грн
1600+ 78.06 грн
Мінімальне замовлення: 69
IRL3705Z irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3705ZPBF description IRSDS11322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRL3705ZPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
330+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 330
IRL3705ZPBF description irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.85 грн
50+ 92.66 грн
100+ 76.24 грн
500+ 60.54 грн
1000+ 51.37 грн
2000+ 48.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF description infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+156.42 грн
79+ 143.94 грн
100+ 120.91 грн
200+ 110.11 грн
500+ 93.39 грн
1000+ 74.6 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRL3705ZPBF description Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf
IRL3705ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.49 грн
10+ 97.78 грн
100+ 68.28 грн
500+ 57.33 грн
1000+ 49.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZPBF description INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.79 грн
10+ 107.66 грн
100+ 77.32 грн
500+ 65.55 грн
1000+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+78.24 грн
155+ 72.88 грн
157+ 72.15 грн
171+ 63.95 грн
250+ 52.12 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+188.08 грн
65+ 173.69 грн
100+ 145.86 грн
200+ 133.25 грн
500+ 113.1 грн
Мінімальне замовлення: 61
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+113.45 грн
10+ 90.32 грн
100+ 67.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.96 грн
10+ 110.64 грн
100+ 88.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3705ZSTRLPBF INFN-S-A0012838585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f3a192536
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+77.36 грн
1600+ 63.21 грн
2400+ 60.05 грн
5600+ 54.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRL3705ZSTRLPBF infineon-irl3705z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+72.65 грн
10+ 67.67 грн
25+ 66.99 грн
100+ 59.39 грн
250+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRL3705ZSTRLPBF Infineon_IRL3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363480.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.71 грн
10+ 91.85 грн
100+ 66.99 грн
250+ 64.09 грн
800+ 56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3713 description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+211.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3713 description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+211.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3716L
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRL3803 irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+66 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRL3803PBF description irl3803.pdf
IRL3803PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.95 грн
4+ 110.04 грн
10+ 80.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF description irl3803.pdf
IRL3803PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.55 грн
3+ 137.13 грн
10+ 96.62 грн
27+ 91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+81.76 грн
152+ 74.47 грн
156+ 72.74 грн
200+ 66.53 грн
500+ 61.43 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+123.55 грн
10+ 82.97 грн
100+ 70.34 грн
500+ 64.95 грн
1000+ 46.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+87.89 грн
160+ 70.99 грн
176+ 64.24 грн
Мінімальне замовлення: 129
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3803PBF description INFN-S-A0011996831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL3803PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+133.68 грн
10+ 79.48 грн
100+ 65.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRL3803PBF description irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.96 грн
50+ 106.84 грн
100+ 87.9 грн
500+ 69.8 грн
1000+ 59.23 грн
2000+ 56.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
199+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 199
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+81.62 грн
10+ 65.92 грн
100+ 59.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRL3803PBF description Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.8 грн
10+ 94.82 грн
100+ 71.5 грн
250+ 68.28 грн
500+ 66.35 грн
1000+ 56.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+133.06 грн
127+ 89.35 грн
150+ 75.75 грн
500+ 69.95 грн
1000+ 50.13 грн
Мінімальне замовлення: 85
IRL3803PBF description infineon-irl3803-datasheet-v02_01-en.pdf
IRL3803PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+82.89 грн
10+ 66.98 грн
100+ 60.62 грн
500+ 56.89 грн
1000+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]