Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2255) > Сторінка 26 з 38
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
P20F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P21F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P22F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P23LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 23A; Idm: 69A; 99W; LA Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC On-state resistance: 29mΩ Drain current: 23A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 99W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P24B15SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FB (TO252AA) Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P25B6EB-5071 | Shindengen |
MOSFET High Switching Speed |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P25LA12SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 120V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P25LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 29mΩ Drain current: 25A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P26B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P26B10SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P26B10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 43nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 46W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P26B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 35nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 44W Drain current: 26A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P26F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P26FE10SLK-5061 | Shindengen |
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P2B60HP2F-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30FE4SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W Case: FE (TO252AB similar) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 30A Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 44W Pulsed drain current: 90A Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 21mΩ Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P30W60HP2V-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 310W Case: MTO3PV (TO247AD) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 32A Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 100W Case: FG (TO263AB) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS3 |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P39LF6QTKD-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 39A Pulsed drain current: 117A Power dissipation: 62W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 1419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SN-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 56nC On-state resistance: 16.8mΩ Power dissipation: 62.5W Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 836 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 138A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 75V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 8.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 11.3mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50LF10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 65W Drain-source voltage: 600V Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Case: FTO-220AG (SC91) Technology: Hi-PotMOS2 |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B10SB-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA) Case: FB (TO252AA) Kind of package: reel; tape Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P60B4EL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P60B6EL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
на замовлення 935 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P64LF6QL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 192A Power dissipation: 168W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | Shindengen | MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P6F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| P20F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 401.28 грн |
| 10+ | 314.49 грн |
| 100+ | 219.91 грн |
| 500+ | 195.94 грн |
| 1000+ | 167.75 грн |
| 2500+ | 157.88 грн |
| P21F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P22F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P23LA10SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 23A; Idm: 69A; 99W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 23A; Idm: 69A; 99W; LA
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 99W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P24B15SL-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25B6EB-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET High Switching Speed
MOSFET High Switching Speed
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P25LA12SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 142W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 120V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P25LF12SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 55.73 грн |
| 10+ | 46.15 грн |
| 25+ | 40.81 грн |
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 37.73 грн |
| 25+ | 31.39 грн |
| 100+ | 27.74 грн |
| 500+ | 24.94 грн |
| P26B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SLK-5071 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 46W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 46W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P26B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 44W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P26FE10SLK-5061 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P2B60HP2F-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30FE4SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 90A; 44W
Case: FE (TO252AB similar)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 44W
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30LA10SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P30W60HP2V-5100 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 310W
Case: MTO3PV (TO247AD)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 310W
Case: MTO3PV (TO247AD)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 549.11 грн |
| 3+ | 458.14 грн |
| 10+ | 405.54 грн |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 100W
Case: FG (TO263AB)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 100W
Case: FG (TO263AB)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS3
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 79.49 грн |
| 7+ | 66.18 грн |
| 25+ | 59.39 грн |
| 100+ | 52.60 грн |
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P32LF10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 55.73 грн |
| 10+ | 46.15 грн |
| 25+ | 40.81 грн |
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P36F25HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 84.06 грн |
| 7+ | 70.42 грн |
| 25+ | 61.93 грн |
| 100+ | 55.15 грн |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P39LF6QTKD-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; Idm: 117A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 62W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.26 грн |
| 10+ | 122.39 грн |
| 100+ | 83.87 грн |
| 500+ | 70.48 грн |
| 1000+ | 60.54 грн |
| 2500+ | 57.51 грн |
| 5000+ | 57.09 грн |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.99 грн |
| 10+ | 43.78 грн |
| 25+ | 38.60 грн |
| 100+ | 34.78 грн |
| 500+ | 34.70 грн |
| P40B10SN-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 16.8mΩ
Power dissipation: 62.5W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 70.35 грн |
| 11+ | 41.91 грн |
| 25+ | 37.08 грн |
| 100+ | 33.34 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.82 грн |
| 25+ | 30.80 грн |
| 100+ | 27.23 грн |
| 500+ | 24.43 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P40LF12SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 61.08 грн |
| 25+ | 53.45 грн |
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P46LF7R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P4F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Mosfet
MOSFETs Mosfet
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.84 грн |
| 25+ | 75.51 грн |
| 100+ | 67.02 грн |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P50LF10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P50LF10SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.91 грн |
| 10+ | 123.20 грн |
| 100+ | 85.28 грн |
| 500+ | 71.19 грн |
| 1000+ | 61.18 грн |
| 2500+ | 58.15 грн |
| 5000+ | 57.73 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 65W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Case: FTO-220AG (SC91)
Technology: Hi-PotMOS2
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.17 грн |
| 10+ | 43.10 грн |
| 25+ | 38.01 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B10SB-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; FB (TO252AA)
Case: FB (TO252AA)
Kind of package: reel; tape
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 50.53 грн |
| 25+ | 42.34 грн |
| 100+ | 37.41 грн |
| 500+ | 33.60 грн |
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 54.18 грн |
| 25+ | 45.13 грн |
| 100+ | 39.87 грн |
| 500+ | 35.80 грн |
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EN-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6SN-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P64LF6QL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolar; 60V; 64A; Idm: 192A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 192A
Power dissipation: 168W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 63.04 грн |
| 9+ | 48.02 грн |
| 25+ | 42.42 грн |
| P66F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B40HP2-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| P6B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.





















