| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
UMWIRF9310TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRF9317TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRF9317TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRF9389TR | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 4.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V, 383pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRF9389TR | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 4.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V, 383pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, 16nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRF9Z24N | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220ABPackaging: Tube |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRF9Z34N | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220ABPackaging: Tube |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFB4110 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFB4310Z | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFB7437PBF | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABPackaging: Tube |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFB7440PBF | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220ABPackaging: Tube |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFL9014TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFL9014TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFML8244TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFML8244TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR024NTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR024NTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR1205TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR1205TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR120NTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR120NTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR2405TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR2405TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR3707ZTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR3707ZTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 56A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR3709ZTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR3709ZTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR3806TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR3806TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR3910TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR3910TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR4105TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR4105TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 27A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR5305TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR5305TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR5505TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR5505TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR8314TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR8314TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR9024NTR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR9024NTR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFR9120NTR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFR9120NTR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFS4410Z | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFS4410Z | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRFZ44N | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220Packaging: Tube |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFZ44NS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRFZ44NS | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRLB3034 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRLL014NTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRLL014NTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRLL110TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRLL110TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRLML0030TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRLML0030TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRLML0040TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
на замовлення 2621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRLML0040TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRLML0060TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UMWIRLML0060TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UMWIRLML0100TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| UMWIRF9310TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRF9317TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRF9317TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.75 грн |
| UMWIRF9389TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V, 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V, 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.38 грн |
| 10+ | 50.76 грн |
| 100+ | 33.30 грн |
| 500+ | 24.21 грн |
| 1000+ | 21.94 грн |
| UMWIRF9389TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V, 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V, 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V, 64mOhm @ 4.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRF9Z24N |
![]() |
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.81 грн |
| 10+ | 45.07 грн |
| 100+ | 29.39 грн |
| 500+ | 21.26 грн |
| UMWIRF9Z34N |
![]() |
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 85.25 грн |
| 10+ | 51.18 грн |
| 100+ | 33.56 грн |
| 500+ | 24.39 грн |
| UMWIRFB4110 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.64 грн |
| 10+ | 130.59 грн |
| 100+ | 89.92 грн |
| 500+ | 68.10 грн |
| UMWIRFB4310Z |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 231.38 грн |
| 10+ | 144.91 грн |
| 100+ | 100.43 грн |
| 500+ | 76.41 грн |
| UMWIRFB7437PBF |
![]() |
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.03 грн |
| 10+ | 60.81 грн |
| 100+ | 40.21 грн |
| 500+ | 29.44 грн |
| UMWIRFB7440PBF |
![]() |
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.64 грн |
| 10+ | 62.66 грн |
| 100+ | 41.51 грн |
| 500+ | 30.43 грн |
| UMWIRFL9014TR |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.44 грн |
| UMWIRFML8244TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 33.05 грн |
| 18+ | 19.35 грн |
| 100+ | 12.21 грн |
| 500+ | 8.56 грн |
| 1000+ | 7.62 грн |
| UMWIRFML8244TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRFR024NTR |
![]() |
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 66.98 грн |
| 10+ | 40.12 грн |
| 100+ | 26.06 грн |
| 500+ | 18.77 грн |
| 1000+ | 16.94 грн |
| UMWIRFR1205TR |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.44 грн |
| UMWIRFR120NTR |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.52 грн |
| UMWIRFR2405TR |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.26 грн |
| UMWIRFR3707ZTR |
![]() |
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.34 грн |
| 10+ | 55.03 грн |
| 100+ | 36.25 грн |
| 500+ | 26.43 грн |
| 1000+ | 23.99 грн |
| UMWIRFR3709ZTR |
![]() |
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.16 грн |
| 10+ | 60.39 грн |
| 100+ | 39.94 грн |
| 500+ | 29.24 грн |
| 1000+ | 26.58 грн |
| UMWIRFR3806TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRFR3806TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 27.34 грн |
| UMWIRFR3910TR |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.56 грн |
| UMWIRFR4105TR |
![]() |
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 57.41 грн |
| 10+ | 34.26 грн |
| 100+ | 22.08 грн |
| 500+ | 15.80 грн |
| 1000+ | 14.21 грн |
| UMWIRFR5305TR |
![]() |
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.73 грн |
| 10+ | 66.34 грн |
| 100+ | 44.07 грн |
| 500+ | 32.38 грн |
| 1000+ | 29.50 грн |
| UMWIRFR5505TR |
![]() |
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.34 грн |
| 10+ | 55.03 грн |
| 100+ | 36.25 грн |
| 500+ | 26.43 грн |
| 1000+ | 23.99 грн |
| UMWIRFR8314TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRFR8314TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.19 грн |
| 10+ | 98.17 грн |
| 100+ | 66.53 грн |
| 500+ | 49.73 грн |
| 1000+ | 47.43 грн |
| UMWIRFR9024NTR |
![]() |
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 66.98 грн |
| 10+ | 40.12 грн |
| 100+ | 26.06 грн |
| 500+ | 18.77 грн |
| 1000+ | 16.94 грн |
| UMWIRFR9120NTR |
![]() |
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 111.34 грн |
| 10+ | 67.68 грн |
| 100+ | 45.01 грн |
| 500+ | 33.11 грн |
| 1000+ | 30.17 грн |
| UMWIRFS4410Z |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.77 грн |
| 10+ | 129.92 грн |
| 100+ | 89.41 грн |
| UMWIRFS4410Z |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRFZ44N |
![]() |
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.60 грн |
| 10+ | 54.03 грн |
| 100+ | 35.60 грн |
| 500+ | 25.96 грн |
| 1000+ | 23.56 грн |
| UMWIRFZ44NS |
![]() |
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 115.69 грн |
| 10+ | 70.45 грн |
| 100+ | 46.98 грн |
| UMWIRLB3034 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.22 грн |
| 50+ | 60.70 грн |
| 100+ | 54.22 грн |
| 500+ | 40.21 грн |
| UMWIRLL014NTR |
![]() |
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 66.11 грн |
| 10+ | 39.37 грн |
| 100+ | 25.52 грн |
| 500+ | 18.35 грн |
| 1000+ | 16.54 грн |
| UMWIRLL110TR |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.84 грн |
| UMWIRLML0030TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRLML0030TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.98 грн |
| UMWIRLML0040TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.19 грн |
| 18+ | 18.93 грн |
| 100+ | 12.00 грн |
| 500+ | 8.40 грн |
| 1000+ | 7.48 грн |
| UMWIRLML0040TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Description: MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRLML0060TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMWIRLML0060TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.53 грн |
| 16+ | 21.70 грн |
| 100+ | 13.73 грн |
| 500+ | 9.67 грн |
| 1000+ | 8.63 грн |
| UMWIRLML0100TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.19 грн |
| 18+ | 18.93 грн |
| 100+ | 12.00 грн |
| 500+ | 8.40 грн |
| 1000+ | 7.48 грн |






