| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SS36 | UMW |
Schottky, 3.0A, 60V, Vf=0.75V@3A, DO-214AB (SMC) (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SS36 SMA UMW Schottky diode | UMW |
3A; 60V; package: tape/reel SS36A DS SS36A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SS54C SMC UMW Schottky diode | UMW |
5A; 40V; package: tape/reel UMW SS54C SMC DS SS54C UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2725 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SS8050 | UMW |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SS8050 | UMW |
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT-23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3J332R | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SSM3J332R | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23FPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ST232BDR UMW | UMW |
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 120kbps; 4x0,1µF; 5V; -40°C ~ 85°C; Equivalent: MAX232ESE+; MAX232ESE+T; MAX232ID; MAX232IDG4; MAX232IDR; MAX232IDRG4; ST232BDR (STM); ST232BDR 232ST bd UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ST3232EBTR | UMW |
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ST3232EBTR | UMW |
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ST3232EBTR UMW | UMW | RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 250kbps; 4x0,1?F; ±8kV ESD; 3V~5,5V; 0°C ~ 70°C; Equivalent: MAX3232CUE+; MAX3232CUE+T; MAX3232CPW; MAX3232CPWE4; MAX3232CPWG4; MAX3232CPWR; MAX3232CPWRE4; MAX3232CPWRG4; ST3232CTR; SP3232EBCY-L, SP3232EBCY-L/TR |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ST3232EBTR UMW | UMW |
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 250kbps; 4x0,1?F; ±8kV ESD; 3V~5,5V; 0°C ~ 70°C; Equivalent: MAX3232CUE+; MAX3232CUE+T; MAX3232CPW; MAX3232CPWE4; MAX3232CPWG4; MAX3232CPWR; MAX3232CPWRE4; MAX3232CPWRG4; ST3232CTR; SP3232EBCY-L, SP3232EBCY-L/TR кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST3485EBDR | UMW |
Трансивер RS-485, 3.3V, -40..+85, SOIC-8 (SMD) Мікросхеми інтерфейсів передачі даних |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ST3485EBDR UMW | UMW |
RS-485/RS-422 Transceiver w/ SD, Half-Duplex, 12Mbps, 3.3V, -40?85°C Replacement for: MAX3485ESA+, SP3485EN-L, ADM3485ARZ, SN65HVD11DR ST3485EBDR UIMAX3485ebd UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST485EBDR UMW | UMW |
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 2.5Mbps, 5V, -40?85°C Replacement for: MAX485ESA+, ST485BDR, SP485EN-L, ADM485ARZ ST485EBDR UIMAX485 st485ebd UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ST485EBDR UMW | UMW |
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 2.5Mbps, 5V, -40?85°C Replacement for: MAX485ESA+, ST485BDR, SP485EN-L, ADM485ARZ ST485EBDR UIMAX485 st485ebd UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STD10NF10L | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD10NF10L | UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STD15NF10L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STD20NF06L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD20NF06L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STD30NF06L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STD35NF06L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STD35NF06L | UMW |
Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD35NF06L UMW | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 35A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STD35NF06LT4; STD35NF06L TSTD35nf06lt4 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STN4438 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4438 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STP4925A | UMW |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.2A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP4925A | UMW |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.2A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STTH102A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 200V; ultra fast <20ns packaging: tape&reel STTH102A DP STTH102A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH108A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 800V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH108A DP STTH108A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH110A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH110A DP STTH110A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH112A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH112A DP STTH112A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STTH12R06G-TR | UMW |
Description: DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STTH12R06G-TR | UMW |
Description: DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STTH1L06A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 600V; ultra fast <80ns packaging: tape&reel STTH1L06A DP STTH1L06A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH1R02A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1,5A; 200V; ultra fast <15ns packaging: tape&reel STTH1R02A DP STTH1R02A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH1R04A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 400V; ultra fast <14ns packaging: tape&reel STTH1R04A DP STTH1R04A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH1R06A SMA UMW rectifier diode | UMW |
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06A DP STTH1R06A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH1R06U SMB UMW rectifier diode | UMW |
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06U DP STTH1R06U UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH1R06U SMB UMW rectifier diode | UMW |
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06U DP STTH1R06U UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH212S SMC UMW rectifier diode | UMW |
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212S DP STTH212S UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH212U SMB UMW rectifier diode | UMW |
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212U DP STTH212U UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH212U SMB UMW rectifier diode | UMW |
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212U DP STTH212U UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH2R02A SMA UMW rectifier diode | UMW |
2A; 200V; ultra fast <15ns packaging: tape&reel STTH2R02A DP STTH2R02A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH2R06A SMA UMW rectifier diode | UMW |
2A; 600V; ultra fast <35ns packaging: tape&reel STTH2R06A DP STTH2R06A UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH310S SMC UMW rectifier diode | UMW |
3A; 1000V; fast <75ns packaging: tape&reel STTH310S DP STTH310S UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH3L06U SMB UMW rectifier diode | UMW |
3A; 600V; fast <60ns packaging: tape&reel STTH3L06U DP STTH3L06U UMW кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH3L06U SMB UMW rectifier diode | UMW |
3A; 600V; fast <60ns packaging: tape&reel STTH3L06U DP STTH3L06U UMW кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH3R06S SMC UMW rectifier diode | UMW |
3A; 600V; ultra fast <35ns packaging: tape&reel STTH3R06S DP STTH3R06S UMW кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH4R02U SMB UMW rectifier diode | UMW |
4A; 200V; ultra fast <16ns packaging: tape&reel STTH4R02U DP STTH4R02U UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STTH4R02U SMB UMW rectifier diode | UMW |
4A; 200V; ultra fast <16ns packaging: tape&reel STTH4R02U DP STTH4R02U UMW кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STTH506B-TR | UMW |
Description: DIODE STANDARD 600V 5A DPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
STTH506B-TR | UMW |
Description: DIODE STANDARD 600V 5A DPAK |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUD23N06-31 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUD23N06-31 | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SUD50P06-15 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUD50P06-15 | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
TCA9555PWR | UMW |
Description: IC XPND 400KHZ I2C SMBUS 24TSSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
TCA9555PWR | UMW |
Description: IC XPND 400KHZ I2C SMBUS 24TSSOP |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SS36 |
![]() |
Виробник: UMW
Schottky, 3.0A, 60V, Vf=0.75V@3A, DO-214AB (SMC) (SMD) Діоди та діодні збірки
Schottky, 3.0A, 60V, Vf=0.75V@3A, DO-214AB (SMC) (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SS36 SMA UMW Schottky diode |
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.76 грн |
| SS54C SMC UMW Schottky diode |
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.32 грн |
| SS8050 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.72 грн |
| SS8050 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 1.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.88 грн |
| 38+ | 8.02 грн |
| 100+ | 4.95 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| SSM3J332R |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.57 грн |
| SSM3J332R |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.60 грн |
| 23+ | 12.92 грн |
| 50+ | 9.25 грн |
| 100+ | 7.57 грн |
| 500+ | 5.59 грн |
| ST232BDR UMW |
Виробник: UMW
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 120kbps; 4x0,1µF; 5V; -40°C ~ 85°C; Equivalent: MAX232ESE+; MAX232ESE+T; MAX232ID; MAX232IDG4; MAX232IDR; MAX232IDRG4; ST232BDR (STM); ST232BDR 232ST bd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 120kbps; 4x0,1µF; 5V; -40°C ~ 85°C; Equivalent: MAX232ESE+; MAX232ESE+T; MAX232ID; MAX232IDG4; MAX232IDR; MAX232IDRG4; ST232BDR (STM); ST232BDR 232ST bd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 24.38 грн |
| ST3232EBTR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 39.97 грн |
| ST3232EBTR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ST3232EBTR UMW |
Виробник: UMW
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 250kbps; 4x0,1?F; ±8kV ESD; 3V~5,5V; 0°C ~ 70°C; Equivalent: MAX3232CUE+; MAX3232CUE+T; MAX3232CPW; MAX3232CPWE4; MAX3232CPWG4; MAX3232CPWR; MAX3232CPWRE4; MAX3232CPWRG4; ST3232CTR; SP3232EBCY-L, SP3232EBCY-L/TR
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 250kbps; 4x0,1?F; ±8kV ESD; 3V~5,5V; 0°C ~ 70°C; Equivalent: MAX3232CUE+; MAX3232CUE+T; MAX3232CPW; MAX3232CPWE4; MAX3232CPWG4; MAX3232CPWR; MAX3232CPWRE4; MAX3232CPWRG4; ST3232CTR; SP3232EBCY-L, SP3232EBCY-L/TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| ST3232EBTR UMW |
Виробник: UMW
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 250kbps; 4x0,1?F; ±8kV ESD; 3V~5,5V; 0°C ~ 70°C; Equivalent: MAX3232CUE+; MAX3232CUE+T; MAX3232CPW; MAX3232CPWE4; MAX3232CPWG4; MAX3232CPWR; MAX3232CPWRE4; MAX3232CPWRG4; ST3232CTR; SP3232EBCY-L, SP3232EBCY-L/TR
кількість в упаковці: 25 шт
RS-232 Transceiver; 2-Drivers/2-Receivers; 250kbps; 4x0,1?F; ±8kV ESD; 3V~5,5V; 0°C ~ 70°C; Equivalent: MAX3232CUE+; MAX3232CUE+T; MAX3232CPW; MAX3232CPWE4; MAX3232CPWG4; MAX3232CPWR; MAX3232CPWRE4; MAX3232CPWRG4; ST3232CTR; SP3232EBCY-L, SP3232EBCY-L/TR
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 27.60 грн |
| ST3485EBDR |
![]() |
Виробник: UMW
Трансивер RS-485, 3.3V, -40..+85, SOIC-8 (SMD) Мікросхеми інтерфейсів передачі даних
Трансивер RS-485, 3.3V, -40..+85, SOIC-8 (SMD) Мікросхеми інтерфейсів передачі даних
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ST3485EBDR UMW |
Виробник: UMW
RS-485/RS-422 Transceiver w/ SD, Half-Duplex, 12Mbps, 3.3V, -40?85°C Replacement for: MAX3485ESA+, SP3485EN-L, ADM3485ARZ, SN65HVD11DR ST3485EBDR UIMAX3485ebd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
RS-485/RS-422 Transceiver w/ SD, Half-Duplex, 12Mbps, 3.3V, -40?85°C Replacement for: MAX3485ESA+, SP3485EN-L, ADM3485ARZ, SN65HVD11DR ST3485EBDR UIMAX3485ebd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 26.74 грн |
| ST485EBDR UMW |
Виробник: UMW
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 2.5Mbps, 5V, -40?85°C Replacement for: MAX485ESA+, ST485BDR, SP485EN-L, ADM485ARZ ST485EBDR UIMAX485 st485ebd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 2.5Mbps, 5V, -40?85°C Replacement for: MAX485ESA+, ST485BDR, SP485EN-L, ADM485ARZ ST485EBDR UIMAX485 st485ebd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 24.30 грн |
| ST485EBDR UMW |
Виробник: UMW
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 2.5Mbps, 5V, -40?85°C Replacement for: MAX485ESA+, ST485BDR, SP485EN-L, ADM485ARZ ST485EBDR UIMAX485 st485ebd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 2.5Mbps, 5V, -40?85°C Replacement for: MAX485ESA+, ST485BDR, SP485EN-L, ADM485ARZ ST485EBDR UIMAX485 st485ebd UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.04 грн |
| STD10NF10L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.87 грн |
| STD10NF10L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STD15NF10L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STD20NF06L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.38 грн |
| 10+ | 66.92 грн |
| 25+ | 55.97 грн |
| 100+ | 40.88 грн |
| 250+ | 35.17 грн |
| 500+ | 31.65 грн |
| 1000+ | 28.24 грн |
| STD20NF06L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STD30NF06L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.94 грн |
| STD35NF06L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STD35NF06L |
![]() |
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.73 грн |
| 10+ | 59.49 грн |
| 25+ | 50.21 грн |
| 100+ | 37.16 грн |
| 250+ | 32.30 грн |
| 500+ | 29.32 грн |
| 1000+ | 26.40 грн |
| STD35NF06L UMW |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 35A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STD35NF06LT4; STD35NF06L TSTD35nf06lt4 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 35A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STD35NF06LT4; STD35NF06L TSTD35nf06lt4 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 21.22 грн |
| STN4438 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.09 грн |
| STN4438 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STP4925A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.42 грн |
| STP4925A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STTH102A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 200V; ultra fast <20ns packaging: tape&reel STTH102A DP STTH102A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 200V; ultra fast <20ns packaging: tape&reel STTH102A DP STTH102A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH108A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 800V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH108A DP STTH108A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 800V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH108A DP STTH108A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH110A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH110A DP STTH110A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH110A DP STTH110A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.14 грн |
| STTH112A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH112A DP STTH112A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH112A DP STTH112A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH12R06G-TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK
Description: DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 45.24 грн |
| STTH12R06G-TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK
Description: DIODE STANDARD 600V 12A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STTH1L06A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 600V; ultra fast <80ns packaging: tape&reel STTH1L06A DP STTH1L06A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 600V; ultra fast <80ns packaging: tape&reel STTH1L06A DP STTH1L06A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH1R02A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1,5A; 200V; ultra fast <15ns packaging: tape&reel STTH1R02A DP STTH1R02A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1,5A; 200V; ultra fast <15ns packaging: tape&reel STTH1R02A DP STTH1R02A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH1R04A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 400V; ultra fast <14ns packaging: tape&reel STTH1R04A DP STTH1R04A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 400V; ultra fast <14ns packaging: tape&reel STTH1R04A DP STTH1R04A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH1R06A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06A DP STTH1R06A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06A DP STTH1R06A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH1R06U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06U DP STTH1R06U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06U DP STTH1R06U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.93 грн |
| STTH1R06U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06U DP STTH1R06U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 600V; ultra fast <25ns packaging: tape&reel STTH1R06U DP STTH1R06U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.93 грн |
| STTH212S SMC UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212S DP STTH212S UMW
кількість в упаковці: 100 шт
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212S DP STTH212S UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.83 грн |
| STTH212U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212U DP STTH212U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212U DP STTH212U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH212U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212U DP STTH212U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
2A; 1200V; ultra fast <75ns packaging: tape&reel STTH212U DP STTH212U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH2R02A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
2A; 200V; ultra fast <15ns packaging: tape&reel STTH2R02A DP STTH2R02A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
2A; 200V; ultra fast <15ns packaging: tape&reel STTH2R02A DP STTH2R02A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH2R06A SMA UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
2A; 600V; ultra fast <35ns packaging: tape&reel STTH2R06A DP STTH2R06A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
2A; 600V; ultra fast <35ns packaging: tape&reel STTH2R06A DP STTH2R06A UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH310S SMC UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
3A; 1000V; fast <75ns packaging: tape&reel STTH310S DP STTH310S UMW
кількість в упаковці: 100 шт
3A; 1000V; fast <75ns packaging: tape&reel STTH310S DP STTH310S UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.83 грн |
| STTH3L06U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
3A; 600V; fast <60ns packaging: tape&reel STTH3L06U DP STTH3L06U UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
3A; 600V; fast <60ns packaging: tape&reel STTH3L06U DP STTH3L06U UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 3.12 грн |
| STTH3L06U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
3A; 600V; fast <60ns packaging: tape&reel STTH3L06U DP STTH3L06U UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
3A; 600V; fast <60ns packaging: tape&reel STTH3L06U DP STTH3L06U UMW
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 3.12 грн |
| STTH3R06S SMC UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
3A; 600V; ultra fast <35ns packaging: tape&reel STTH3R06S DP STTH3R06S UMW
кількість в упаковці: 100 шт
3A; 600V; ultra fast <35ns packaging: tape&reel STTH3R06S DP STTH3R06S UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.83 грн |
| STTH4R02U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
4A; 200V; ultra fast <16ns packaging: tape&reel STTH4R02U DP STTH4R02U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
4A; 200V; ultra fast <16ns packaging: tape&reel STTH4R02U DP STTH4R02U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH4R02U SMB UMW rectifier diode |
Виробник: UMW
4A; 200V; ultra fast <16ns packaging: tape&reel STTH4R02U DP STTH4R02U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
4A; 200V; ultra fast <16ns packaging: tape&reel STTH4R02U DP STTH4R02U UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.12 грн |
| STTH506B-TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: DIODE STANDARD 600V 5A DPAK
Description: DIODE STANDARD 600V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| STTH506B-TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: DIODE STANDARD 600V 5A DPAK
Description: DIODE STANDARD 600V 5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 16.61 грн |
| SUD23N06-31 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.93 грн |
| 10+ | 36.39 грн |
| 50+ | 26.72 грн |
| 100+ | 22.13 грн |
| 500+ | 16.95 грн |
| SUD23N06-31 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SUD50P06-15 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.37 грн |
| SUD50P06-15 |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.50 грн |
| 10+ | 60.46 грн |
| 50+ | 45.03 грн |
| 100+ | 37.56 грн |
| 500+ | 29.35 грн |
| TCA9555PWR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: IC XPND 400KHZ I2C SMBUS 24TSSOP
Description: IC XPND 400KHZ I2C SMBUS 24TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TCA9555PWR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: IC XPND 400KHZ I2C SMBUS 24TSSOP
Description: IC XPND 400KHZ I2C SMBUS 24TSSOP
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.64 грн |
| 10+ | 106.44 грн |
| 25+ | 97.03 грн |
| 100+ | 81.39 грн |
| 250+ | 76.78 грн |
| 500+ | 74.35 грн |













