Продукція > UMW > Всі товари виробника UMW (1834) > Сторінка 21 з 31

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2302B SI2302B UMW 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303 UMW SI2303.PDF Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
43+7.12 грн
49+6.24 грн
100+4.97 грн
250+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303 UMW SI2303.PDF Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A UMW SI2304A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
43+7.12 грн
49+6.27 грн
100+4.99 грн
250+4.57 грн
500+4.31 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A UMW SI2304A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A UMW SI2305A.pdf Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A UMW SI2305A.pdf Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.94 грн
32+9.61 грн
36+8.48 грн
100+6.80 грн
250+6.24 грн
500+5.90 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A UMW SI2306A.pdf Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A UMW SI2306A.pdf Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.36 грн
35+8.78 грн
40+7.75 грн
100+6.19 грн
250+5.68 грн
500+5.36 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A UMW SI2307A.pdf Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.52 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A UMW SI2307A.pdf Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.51 грн
29+10.60 грн
33+9.42 грн
100+7.55 грн
250+6.94 грн
500+6.57 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A UMW SI2308A.pdf Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A UMW SI2308A.pdf Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.15 грн
32+9.46 грн
37+8.33 грн
100+6.69 грн
250+6.13 грн
500+5.80 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A SI2309A UMW d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A SI2309A UMW d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
20+15.67 грн
100+9.84 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A UMW SI2310A.pdf Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A UMW SI2310A.pdf Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.10 грн
14+22.79 грн
25+18.65 грн
100+13.17 грн
250+11.04 грн
500+9.73 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A UMW SI2312A.pdf Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A UMW SI2312A.pdf Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
44+7.04 грн
49+6.21 грн
100+4.93 грн
250+4.51 грн
500+4.25 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A UMW SI2318A.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A UMW SI2318A.pdf Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
31+10.07 грн
35+8.87 грн
100+7.13 грн
250+6.54 грн
500+6.20 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A SI2319A UMW c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.87 грн
18+17.49 грн
100+11.04 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A SI2319A UMW c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS SI2323DS UMW e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS SI2323DS UMW e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.09 грн
18+17.11 грн
100+10.84 грн
500+7.59 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A UMW SI2328A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.36 грн
35+8.78 грн
40+7.75 грн
100+6.20 грн
250+5.69 грн
500+5.38 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A UMW SI2328A.PDF Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS SI2333CDS UMW e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS SI2333CDS UMW e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.16 грн
21+14.84 грн
100+9.32 грн
500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY SI4401BDY UMW 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.04 грн
10+39.44 грн
100+25.61 грн
500+18.45 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY SI4425DY UMW fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY SI4425DY UMW fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY UMW 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
10+30.36 грн
100+19.55 грн
500+13.95 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY SI4435DY UMW 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY SI4948BEY UMW 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.33 грн
10+43.38 грн
100+28.33 грн
500+20.49 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY SI4948BEY UMW 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY SI9945BDY UMW 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY SI9945BDY UMW 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.18 грн
10+41.64 грн
100+27.20 грн
500+19.71 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY SI9948AEY UMW 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY SI9948AEY UMW 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.91 грн
10+51.33 грн
100+33.69 грн
500+24.49 грн
1000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SM05 UMW SMxx.pdf Description: SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SM05 UMW SMxx.pdf Description: SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.59 грн
18+16.96 грн
25+14.90 грн
100+9.04 грн
250+7.49 грн
500+5.99 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU SM4027PSU UMW b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU SM4027PSU UMW b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.18 грн
10+41.49 грн
100+27.04 грн
500+19.56 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ15A UMW SMBJ%20SERIES.pdf 600W,15V,5%,UNI,TRANSZORB-TVS Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA UMW tvs-diodes-smbj-series-datasheet?assetguid=ba555e99-a12d-4f72-a0b6-86b06c67171e TVS DIODE 28VWM 45.4VC 600W SMB Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA SMBJ28CA
Код товару: 201163
Додати до обраних Обраний товар
UMW UMW-Youtai-SMBJ28CA.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 34,4 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 28 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 945 шт
710 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6+3.50 грн
10+2.90 грн
100+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0CA UMW littelfuse_tvs_diode_smcj_datasheet.pdf?assetguid=37388813-0d6d-4329-969b-1aa8b7614ac1 1.5KW, 5V, 5%, BIDIR, DO-214AB, SMC Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58CA UMW littelfuse_tvs_diode_smcj_datasheet.pdf?assetguid=37388813-0d6d-4329-969b-1aa8b7614ac1 TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMC Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN65176BDR SN65176BDR UMW TexasInstruments.pdf RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 10Mbps, 5V, -40?105°C Replacement for: SN65176BD, SN65176BDE4, SN65176BDG4, SN65176BDR, SN65176BDRE4, SN65176BDRG4 SN65176BDR UMW 65176bd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SN65LBC184DR UMW suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn65lbc184 LP RS-485 Transceiver, Half-Duplex, 0.25Mbps, Transient protection, 5V, -40?85°C Replacement for: SN65LBC184D, SN65LBC184G4, SN65LBC184DR, SN65LBC184DRG4 SN65LBC184DR UMW UISN65lbc184d UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G08DRYR SN74AUP1G08DRYR UMW d69bd47c86656209cd3499f8e4e619d1.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP DFN-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1.5)
Input Logic Level - High: 1.6V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.9V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 200 nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G08DRYR SN74AUP1G08DRYR UMW d69bd47c86656209cd3499f8e4e619d1.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP DFN-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1.5)
Input Logic Level - High: 1.6V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.9V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 200 nA
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.94 грн
31+9.99 грн
35+8.87 грн
100+7.10 грн
250+6.53 грн
500+6.18 грн
1000+5.80 грн
2500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G126DBVR SN74AUP1G126DBVR UMW ea3298c0c7cba612b1a7031a289be016.pdf Description: IC BUFF 0.8V/3.6V SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: SOT-23-5
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
37+8.33 грн
42+7.30 грн
100+5.83 грн
250+5.34 грн
500+5.05 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G126DBVR SN74AUP1G126DBVR UMW ea3298c0c7cba612b1a7031a289be016.pdf Description: IC BUFF 0.8V/3.6V SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: SOT-23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LV1T08DBVR SN74LV1T08DBVR UMW dcdddcc212ae314c2ac0c5be763e1988.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 0.94V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.58V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.7ns @ 5V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.71 грн
9000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LV1T08DBVR SN74LV1T08DBVR UMW dcdddcc212ae314c2ac0c5be763e1988.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 0.94V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.58V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.7ns @ 5V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.58 грн
37+8.40 грн
41+7.39 грн
100+5.90 грн
250+5.41 грн
500+5.11 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LVC1G00DBVR SN74LVC1G00DBVR UMW SN74LVC1G00.pdf Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.7V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 5V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.44 грн
25+12.26 грн
100+7.67 грн
500+5.31 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LVC1G00DBVR SN74LVC1G00DBVR UMW SN74LVC1G00.pdf Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.7V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 5V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302B 1db602c4e2b90fd255fe1e0f606602cc.pdf
SI2302B
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303.PDF
SI2303
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.01 грн
43+7.12 грн
49+6.24 грн
100+4.97 грн
250+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303 SI2303.PDF
SI2303
Виробник: UMW
Description: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A.PDF
SI2304A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.01 грн
43+7.12 грн
49+6.27 грн
100+4.99 грн
250+4.57 грн
500+4.31 грн
1000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304A SI2304A.PDF
SI2304A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A.pdf
SI2305A
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A SI2305A.pdf
SI2305A
Виробник: UMW
Description: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.94 грн
32+9.61 грн
36+8.48 грн
100+6.80 грн
250+6.24 грн
500+5.90 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A.pdf
SI2306A
Виробник: UMW
Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306A SI2306A.pdf
SI2306A
Виробник: UMW
Description: 30V 3.5A 1.25W 57MR@10V,3.5A 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.36 грн
35+8.78 грн
40+7.75 грн
100+6.19 грн
250+5.68 грн
500+5.36 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A.pdf
SI2307A
Виробник: UMW
Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.52 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307A SI2307A.pdf
SI2307A
Виробник: UMW
Description: 30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 15 V
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.51 грн
29+10.60 грн
33+9.42 грн
100+7.55 грн
250+6.94 грн
500+6.57 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A.pdf
SI2308A
Виробник: UMW
Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308A SI2308A.pdf
SI2308A
Виробник: UMW
Description: 60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.15 грн
32+9.46 грн
37+8.33 грн
100+6.69 грн
250+6.13 грн
500+5.80 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf
SI2309A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309A d74087f7b9d7a2bce9ecd6ed636578af.pdf
SI2309A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.73 грн
20+15.67 грн
100+9.84 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A.pdf
SI2310A
Виробник: UMW
Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2310A SI2310A.pdf
SI2310A
Виробник: UMW
Description: 60V 3A 90MR@10V,3A 1.38W 3V@250A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.10 грн
14+22.79 грн
25+18.65 грн
100+13.17 грн
250+11.04 грн
500+9.73 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A.pdf
SI2312A
Виробник: UMW
Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312A SI2312A.pdf
SI2312A
Виробник: UMW
Description: 20V 3.77A 750MW 33MR@4.5V,5A 850
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.01 грн
44+7.04 грн
49+6.21 грн
100+4.93 грн
250+4.51 грн
500+4.25 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A.pdf
SI2318A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.14 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A SI2318A.pdf
SI2318A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.72 грн
31+10.07 грн
35+8.87 грн
100+7.13 грн
250+6.54 грн
500+6.20 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf
SI2319A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.87 грн
18+17.49 грн
100+11.04 грн
500+7.73 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319A c7676d553312dd19521f9b68ff15cf79.pdf
SI2319A
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf
SI2323DS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS e1e8ff979d9611cf5a9ad984089268cb.pdf
SI2323DS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.09 грн
18+17.11 грн
100+10.84 грн
500+7.59 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A.PDF
SI2328A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.36 грн
35+8.78 грн
40+7.75 грн
100+6.20 грн
250+5.69 грн
500+5.38 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328A SI2328A.PDF
SI2328A
Виробник: UMW
Description: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.32 грн
6000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf
SI2333CDS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS e91d240b2667923e016b0d130c72f065.pdf
SI2333CDS
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.16 грн
21+14.84 грн
100+9.32 грн
500+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf
SI4401BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY 72e76850ad14549b1e217ee50e793470.pdf
SI4401BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.04 грн
10+39.44 грн
100+25.61 грн
500+18.45 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf
SI4425DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DY fd7de421b7aa40f20eba8c06dc7b973e.pdf
SI4425DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.7A/11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf
SI4435DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
10+30.36 грн
100+19.55 грн
500+13.95 грн
1000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DY 13716945c9e9d4c20003fde598d34130.pdf
SI4435DY
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf
SI4948BEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+43.38 грн
100+28.33 грн
500+20.49 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY 187cf952f1918d0d0a88e20df99d3250.pdf
SI4948BEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf
SI9945BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY 140ec8e618e8fc91200d74b565101fec.pdf
SI9945BDY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.18 грн
10+41.64 грн
100+27.20 грн
500+19.71 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf
SI9948AEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9948AEY 176109c249bfbf20c8ca1d47cdfa1baf.pdf
SI9948AEY
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.91 грн
10+51.33 грн
100+33.69 грн
500+24.49 грн
1000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SMxx.pdf
SM05
Виробник: UMW
Description: SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM05 SMxx.pdf
SM05
Виробник: UMW
Description: SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.59 грн
18+16.96 грн
25+14.90 грн
100+9.04 грн
250+7.49 грн
500+5.99 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf
SM4027PSU
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM4027PSU b402c12cbd743f26e50401b756da0460.pdf
SM4027PSU
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.18 грн
10+41.49 грн
100+27.04 грн
500+19.56 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ15A SMBJ%20SERIES.pdf
Виробник: UMW
600W,15V,5%,UNI,TRANSZORB-TVS Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA tvs-diodes-smbj-series-datasheet?assetguid=ba555e99-a12d-4f72-a0b6-86b06c67171e
Виробник: UMW
TVS DIODE 28VWM 45.4VC 600W SMB Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA
Код товару: 201163
Додати до обраних Обраний товар
UMW-Youtai-SMBJ28CA.pdf
SMBJ28CA
Виробник: UMW
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 34,4 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 28 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 945 шт
710 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
6+3.50 грн
10+2.90 грн
100+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0CA littelfuse_tvs_diode_smcj_datasheet.pdf?assetguid=37388813-0d6d-4329-969b-1aa8b7614ac1
Виробник: UMW
1.5KW, 5V, 5%, BIDIR, DO-214AB, SMC Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ58CA littelfuse_tvs_diode_smcj_datasheet.pdf?assetguid=37388813-0d6d-4329-969b-1aa8b7614ac1
Виробник: UMW
TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMC Група товару: Супресори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN65176BDR TexasInstruments.pdf
SN65176BDR
Виробник: UMW
RS-485/RS-422 Transceiver, Half-Duplex, 10Mbps, 5V, -40?105°C Replacement for: SN65176BD, SN65176BDE4, SN65176BDG4, SN65176BDR, SN65176BDRE4, SN65176BDRG4 SN65176BDR UMW 65176bd UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SN65LBC184DR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn65lbc184
Виробник: UMW
LP RS-485 Transceiver, Half-Duplex, 0.25Mbps, Transient protection, 5V, -40?85°C Replacement for: SN65LBC184D, SN65LBC184G4, SN65LBC184DR, SN65LBC184DRG4 SN65LBC184DR UMW UISN65lbc184d UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G08DRYR d69bd47c86656209cd3499f8e4e619d1.pdf
SN74AUP1G08DRYR
Виробник: UMW
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP DFN-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1.5)
Input Logic Level - High: 1.6V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.9V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 200 nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G08DRYR d69bd47c86656209cd3499f8e4e619d1.pdf
SN74AUP1G08DRYR
Виробник: UMW
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP DFN-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-DFN (1x1.5)
Input Logic Level - High: 1.6V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.9V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.6ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 200 nA
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.94 грн
31+9.99 грн
35+8.87 грн
100+7.10 грн
250+6.53 грн
500+6.18 грн
1000+5.80 грн
2500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G126DBVR ea3298c0c7cba612b1a7031a289be016.pdf
SN74AUP1G126DBVR
Виробник: UMW
Description: IC BUFF 0.8V/3.6V SOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: SOT-23-5
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.58 грн
37+8.33 грн
42+7.30 грн
100+5.83 грн
250+5.34 грн
500+5.05 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SN74AUP1G126DBVR ea3298c0c7cba612b1a7031a289be016.pdf
SN74AUP1G126DBVR
Виробник: UMW
Description: IC BUFF 0.8V/3.6V SOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: SOT-23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LV1T08DBVR dcdddcc212ae314c2ac0c5be763e1988.pdf
SN74LV1T08DBVR
Виробник: UMW
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 0.94V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.58V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.7ns @ 5V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.05 грн
6000+4.71 грн
9000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LV1T08DBVR dcdddcc212ae314c2ac0c5be763e1988.pdf
SN74LV1T08DBVR
Виробник: UMW
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 0.94V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.58V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.7ns @ 5V, 30pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.58 грн
37+8.40 грн
41+7.39 грн
100+5.90 грн
250+5.41 грн
500+5.11 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LVC1G00DBVR SN74LVC1G00.pdf
SN74LVC1G00DBVR
Виробник: UMW
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.7V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 5V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.44 грн
25+12.26 грн
100+7.67 грн
500+5.31 грн
1000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LVC1G00DBVR SN74LVC1G00.pdf
SN74LVC1G00DBVR
Виробник: UMW
Description: IC GATE NAND 1CH 2-INP SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SOT-23-5
Input Logic Level - High: 1.7V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10ns @ 5V, 15pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]