| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7301TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMWкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7303TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7303TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMWкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF7304TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7307TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7309TR | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7313TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7314TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 359 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF7316TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7319TR | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7319TR | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7319TR | UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7324TR | UMW |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7324TR | UMW |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7328TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR UMW TIRF7328 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7341TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7341TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7342TR | UMW |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7342TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7343TR | UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7343TR | UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7351TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7351TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7389TR | UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7389; IRF7389TR; SP001574944; SP001554234; IRF7389TR UMW TIRF7389 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7401TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7401TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF7403TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMWкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7404TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7406TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7406TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF7406TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF7406TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7413TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7416TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7416TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7455TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7455TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF7455TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 20mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7455; IRF7455TR; SP001555380; SP001566270; IRF7455TR UMW TIRF7455 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7456TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7456TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRF7468TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 35mOhm; 9,4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7468; IRF7468TR; SP001559918; SP001570352; IRF7468TR UMW TIRF7468 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF7469TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7469TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 40V 9A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7476TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7476TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF7809AVTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7809AVTR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF8313TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF8313TR | UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF8313TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF8707TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF8736TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF8788TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF9310TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF9317TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRF9317TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR UMW TIRF9317 UMWкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRF9321TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321TR UMW TIRF9321 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRF9328TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRF9328TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF9388TR | UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7301TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7301; IRF7301TR; SP001571442; SP001561974; IRF7301TR UMW TIRF7301 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.72 грн |
| IRF7303TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.61 грн |
| IRF7303TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7303; IRF7303TR; SP001577432; SP001563422; IRF7303TR UMW TIRF7303 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.72 грн |
| IRF7304TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 4,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7304; IRF7304TR; SP001561936; SP001565312; IRF7304TR UMW TIRF7304 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.43 грн |
| IRF7307TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7309TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V, 440pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7313TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7314TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.00 грн |
| IRF7316TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.00 грн |
| IRF7319TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.62 грн |
| IRF7319TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7319TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.24 грн |
| IRF7324TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.57 грн |
| IRF7324TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7328TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR UMW TIRF7328 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7328; IRF7328TR; IRF7328TRXTMA1; SP001555158; SP001565270; SP005828189; IRF7328TR UMW TIRF7328 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.00 грн |
| IRF7341TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.62 грн |
| IRF7341TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.28 грн |
| IRF7342TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.57 грн |
| IRF7342TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 20.61 грн |
| IRF7343TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, 90mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.62 грн |
| IRF7343TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7343; IRF7343TR; SP001571976; SP001565516; IRF7343TR UMW TIRF7343 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.86 грн |
| IRF7351TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.61 грн |
| IRF7351TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7389TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7389; IRF7389TR; SP001574944; SP001554234; IRF7389TR UMW TIRF7389 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7389; IRF7389TR; SP001574944; SP001554234; IRF7389TR UMW TIRF7389 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.09 грн |
| IRF7401TR |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.36 грн |
| IRF7401TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.66 грн |
| IRF7403TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7403; IRF7403TR; SP001563614; SP001559832; IRF7403TR UMW TIRF7403 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.73 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.30 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.30 грн |
| IRF7406TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.30 грн |
| IRF7413TR |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.57 грн |
| IRF7416TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.20 грн |
| IRF7455TR |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.69 грн |
| IRF7455TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 20mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7455; IRF7455TR; SP001555380; SP001566270; IRF7455TR UMW TIRF7455 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 20mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7455; IRF7455TR; SP001555380; SP001566270; IRF7455TR UMW TIRF7455 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 14.44 грн |
| IRF7468TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 35mOhm; 9,4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7468; IRF7468TR; SP001559918; SP001570352; IRF7468TR UMW TIRF7468 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 35mOhm; 9,4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7468; IRF7468TR; SP001559918; SP001570352; IRF7468TR UMW TIRF7468 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 17.18 грн |
| IRF7469TR |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.54 грн |
| IRF7476TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.55 грн |
| IRF7476TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Description: MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7809AVTR |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.53 грн |
| IRF8313TR |
![]() |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.66 грн |
| IRF8313TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF8313; IRF8313TR; SP001570694; SP001577640; IRF8313TR UMW TIRF8313 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.71 грн |
| IRF8707TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.61 грн |
| IRF8736TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.57 грн |
| IRF8788TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.34 грн |
| IRF9310TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9317TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.57 грн |
| IRF9317TR |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR UMW TIRF9317 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR UMW TIRF9317 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.17 грн |
| IRF9321TR |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321TR UMW TIRF9321 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321TR UMW TIRF9321 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.86 грн |
| IRF9328TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9328TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.21 грн |
| 10+ | 62.72 грн |
| 100+ | 41.37 грн |
| 500+ | 30.20 грн |
| 1000+ | 27.43 грн |
| IRF9388TR |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

